Questions tagged «mosfet»

因此，有几种类型的晶体管： 北京电讯 场效应管 场效应管 将所有这些与每种特性（NPN，PNP，增强模式，耗尽模式，HEXFET等）结合起来，您将获得各种各样的零件，其中许多零件都可以完成相同的工作。哪种类型最适合哪种应用？晶体管用作放大器，数字逻辑开关，可变电阻器，电源开关，路径隔离，因此清单不胜枚举。我怎么知道哪种类型最适合哪种应用？我确信在某些情况下，一个比另一个更理想。我承认这里有一定的主观性/重叠性，但是我敢肯定，对于列出的每种晶体管类型（以及我遗弃的那些晶体管）最适合哪种应用类别已经达成了普遍共识？例如， PS-如果这需要是Wiki，那么如果有人想为我转换它就可以了

61 mosfet  bjt  transistors 

在实验中，我仅将BJT用作MCU输出的开关（用于打开和关闭LED等）。但是，我一再被告知，对于开关来说，N沟道增强模式MOSFET是更好的选择（例如，请参见此处和此处），但是我不确定为什么会这样。我确实知道MOSFET不会在栅极上浪费电流，而BJT的基极会在栅极上浪费电流，但这对我来说不是问题，因为我没有依靠电池供电。MOSFET也不需要与栅极串联的电阻，但是通常不需要下拉电阻，因此在MCU重新启动时栅极不会浮空（对吗？）。这样就不会减少零件数量。 似乎没有太多的逻辑电平MOSFET可以切换廉价BJT可以切换的电流（例如，对于2N2222，约为600-800mA），而确实存在的（例如，TN0702）是很难找到，而且价格昂贵得多。 什么时候MOSFET比BJT更合适？为什么经常被告知我应该使用MOSFET？

57 microcontroller  transistors  mosfet  bjt 

为什么在其物理结构相似/对称的情况下，MOSFET的源极端子的漏极功能不同？ 这是一个MOSFET： 您可以看到漏极和源极相似。 那么，为什么需要将其中一个连接到VCC，将另一个连接到GND？

48 mosfet  physics 

我在面包板上连接了以下电路。 我使用电位计来改变栅极电压。这让我感到困惑：根据维基百科，当V（GS）> V（TH）和 V（DS）> V（GS）-V（TH）时，MOSFET处于饱和状态。 如果我从0开始缓慢增加栅极电压，则MOSFET保持截止状态。当栅极电压约为2.5V左右时，LED开始传导少量电流。当栅极电压达到4V左右时，亮度停止增加。当栅极电压大于4V时，LED的亮度不变。即使我将电压从4迅速增加到12，LED的亮度仍保持不变。 在增加栅极电压的同时，我还监视漏极至源极的电压。当栅极电压约为4V时，漏极至源极的电压从12V下降至接近0V。这很容易理解：由于R1和R（DS）构成一个分压器，并且R1比R（DS）大得多，因此大部分电压都在R1上下降。在我的测量中，R1上下降了约10V，其余的红色LED上下降了（2V）。 但是，由于V（DS）现在大约为0，所以不满足条件V（DS）> V（GS）-V（TH），MOSFET是否不处于饱和状态？如果是这种情况，如何设计MOSFET处于饱和状态的电路？ 注意：IRF840的R（DS）为0.8欧姆。V（TH）在2V至4V之间。Vcc为12V。 这是我绘制的电路负载线。 现在，从我从这里得到的答案中可以得出的结论是，为了将MOSFET作为开关工作，工作点应朝负载线的左侧。我的理解正确吗？ 并且，如果在上图中施加MOSFET特性曲线，则工作点将位于所谓的“线性/三极管”区域。实际上，开关应尽快到达该区域，以便有效地工作。我明白了还是我完全错了？

44 mosfet 

我想是时候我了解MOSFET晶体管的工作原理了... 假设 我想通过MOSFET晶体管切换电阻负载上的电压。 -500V至+ 500V之间的任何控制信号都可以轻松生成。 图片中的晶体管模型并不重要，它们也可以是任何其他合适的模型。 问题＃1 哪些驾驶技术可行？我的意思是，这四个电路中的哪个电路可以正确应用控制信号？ 问题＃2 加载和卸载电阻器的控制信号（CS1，CS2，CS3，CS4）的电压电平范围是多少？（我知道必须分别计算开和关状态的确切边界。但是，我要求提供近似值以了解其工作原理。请提供诸如“ 在电路（2）中，当CS2低于397V时晶体管导通的语句）。并在高于397V时关闭。 ”。

40 transistors  mosfet  dc  control 

我搜索并阅读了许多类似的问题，但是没有找到关于如何为MOSFET的浮栅的下拉电阻计算正确值的具体答案。似乎每个人都以1K，10K或100K“应该工作”来回避问题。 如果我有一个N通道IRF510，并且打算从9V运行栅极，以500mA 切换24V 的VDSVDSV_{DS}，那么我应该为栅极的下拉电阻使用哪个值，以及如何计算该值？

40 resistors  mosfet 

我正在寻找从Arduino 驱动电磁门锁。我发现了一个关于从Arduino驱动螺线管的问题，其中包括一个看起来很适合这种情况的电路： 我不明白的是如何为工作选择MOSFET。如果我知道我的逻辑电平，设备电压和设备电流，我应该寻找什么属性？ 在这种情况下，它是5V逻辑，负载工作在12V / 500mA，但是很高兴知道一般规则。

35 arduino  microcontroller  transistors  mosfet 

我正在寻找可以放置在运算放大器和功率MOSFET之间的MOSFET驱动器电路，以将晶体管用作线性放大器（与开关相对）。 背景 我正在开发一种电子负载电路，该电路必须能够在大约1µs的时间内调整负载。最重要的步长很小，例如100mA，尽管一旦得出结论，我可能还希望获得2.5A / µs的大信号步长。它应能承受1至50V的电源，0至5A的电流，并且能够消耗约30W的功率。 这是当前电路的外观。自从出现在较早的问题中以来，我已经用能够找到的最小电容器件替换了MOSFET（IRF530N-> IRFZ24N），并在保持较高带宽的同时，又选择了宽摆率，高摆率运算放大器（LM358-> MC34072）在软糖地区。为了稳定起见，我目前在运算放大器上运行约4的增益，这使我获得了大约1MHz的带宽。以下是有兴趣的人的进一步背景。 问题 虽然电路的性能相当好，但现在的问题是，稳定性很不稳定：)它不会振荡或类似的东西，但是阶跃响应的范围可能从过阻尼（无过冲）到过阻尼（20％）过冲，三个颠簸），具体取决于要加载的信号源。较低的电压和电阻源是有问题的。 我的诊断是，MOSFET的增量输入电容既对负载源的电压敏感，又对任何源电阻产生的米勒效应都敏感，并且实际上会从运放的产生“ ”极与MOSFET 的源极相关相互作用。Ç 克一吨ë[RØ[RØR_oCG一个吨ëCG一种ŤËC_{gate} 我的解决方案策略是在运算放大器和MOSFET之间引入一个驱动器级，以向栅极电容提供低得多的输出阻抗（电阻），从而将漂移极驱动到无法达到的数十或数百MHz范围内造成任何伤害。 在网上搜索MOSFET驱动器电路时，我发现大多数情况是假设人们希望尽快“完全”打开或关闭MOSFET。在我的电路中，我想在其线性区域内调制 MOSFET。因此，我找不到所需的见解。 我的问题是：“哪种驱动器电路可能适合在其线性区域内调节MOSFET的电导率？” 我看到奥林·拉斯洛普（Olin Lathrop）在另一篇文章中提到，他会不时使用一个简单的发射器跟随器来进行类似的操作，但是该帖子是关于其他内容的，因此仅是提及。我模拟了在运算放大器和栅极之间添加一个发射极跟随器，它实际上为提升稳定性创造了奇迹。但是秋天全都陷入了困境，所以我认为这并不是我所希望的那么简单。 我倾向于认为我大致需要一个互补的BJT推挽放大器，但希望能够区分MOSFET驱动器。 您能勾勒出电路的粗略参数吗？ 有兴趣的进一步背景 该电路最初基于Jameco 2161107电子负载套件，最近已停产。现在，我的零件比原来的零件少了约6个：)。对于像我这样的人感兴趣的人，我当前的原型看起来像这样：) 电源（通常是被测电源）连接到正面的香蕉插孔/接线柱。PCB左侧的跳线选择内部或外部编程。左侧的旋钮是一个10圈电位器，允许选择0-3A之间的恒定负载。右侧的BNC允许使用任意波形将负载控制在1A / V的水平，例如，使用方波步进负载。两个浅蓝色电阻器组成反馈网络，并位于机加工的插座中，以便无需焊接即可更改增益。该单元当前由单个9V电池供电。 任何希望追踪我的学习脚步的人都会在这里找到我从其他成员那里获得的出色帮助： 在运算放大器输入之间添加电容器是否有用？ 计算栅极电阻值以增强有源区稳定性 如何测试运放的稳定性？ 为什么LTSpice不能预测这种运放振荡？ 从运算放大器的振荡频率可以推断出什么？ 为什么较小的步长显示更好的不稳定性？ 如何确定运算放大器的？[RØ[RØR_o 此肖特基二极管提供MOSFET瞬态保护吗？ 为什么在55°相位裕量下会有60％的过冲？ 如何测量栅极电容？ 令我惊讶的是，像这样的简单项目是如此丰富的学习动机。这给了我一个机会去研究很多主题，如果没有手头的具体目标，这些主题本来就很干燥：)

33 operational-amplifier  mosfet  analog  mosfet-driver  gate-driving 

我将使用微控制器创建用于电机控制的PWM信号。我了解PWM和占空比的工作原理，但是我不确定理想的频率。我还没有电机，所以我不能仅仅进行测试并找出答案。 我不会改变电压，只是在它收到给定电压的时候。那么我可以假设线性响应吗？在10％的占空比和24 V的电源下，它将以15 RPM的速度运行吗？ 如果有什么不同，我将包括设置。我直接将24 V电源连接到控制电动机的H桥。显然，我有两个PWM引脚从MCU到两个使能MOSFET的栅极。 编辑：对不起，该链接似乎不起作用。我猜防火墙在工作中不喜欢imgur。图片描绘了RPM与电压的关系图。从50 RPM @ 8 V到150 RPM @ 24 V是线性的。

26 microcontroller  mosfet  pwm  dc-motor  h-bridge 

我现在已经在这个站点上呆了几个月，并且注意到用于MOSFET的各种符号。N沟道MOSFET的首选符号是什么？为什么？

26 mosfet 

我正在尝试使用Arduino启用/禁用12V电磁铁。我使用了H桥，并且可以正常工作。然后，我决定简化事情，并获得单个mosfet而不是多通道H桥，这让我感到非常困惑。我试图了解在此设置中使用P通道（或N通道）mosfet的正确方法，并在Google上遇到了以下示例电路： 为什么要使用另一个晶体管（2N3904），为什么在负载两端需要一个二极管？ 我知道当变高（高于 +）时，P通道被激活，因此被上拉，但是为什么要增加晶体管呢？MCU（在这种情况下为PIC）不应该做同样的事情吗？VG一个吨ëVgateV_{gate}Vš Ò ù ř Ç ÈVsourceV_{source}Vd[R 一我ñVdrainV_{drain} 另外-在我正在做的是打开或关闭负载（例如我的螺线管）的情况下，是否有理由使用N通道还是P通道？

25 mosfet 

出于便宜的考虑，我决定不从Sparkfun订购5v至3.3v电平转换器，而是自己组装。的原始概略使用BSS138 MOSFET，但因为我享受表面安装焊接大约相当于根管治疗，我决定使用一个类似的表面上的MOSFET是通孔安装且容易获得从我的首选供应商。 结果是次优的。将5v线接地时，一切都很好-3.3v端变为0.07v。但是当将3.3v接地时，5v线显示为4.14v左右（否则高于5.1v）。通过仔细阅读所涉及的数据表以及有关该主题的原始飞利浦应用笔记，我开始得出结论，门极阈值电压是问题所在。 通过更改原理图并将MOSFET的栅极连接至5v而不是3.3v，双方似乎都可以正常工作。将任一侧拉低会导致另一侧变低。但是，我完全不相信这实际上是一件理智的事情。我对原始原理图的理解不够深刻，无法形成明智的见解。 修改后的原理图会奏效吗，或者我目前看到的仅仅是good幸，还是释放魔力烟雾的先兆？

25 mosfet  level-shifting 

我通过在我的MCU的“饱和模式”下操作它们，将2N2222和2N3904等常用BJT用作开关。但是我相信，对于这类应用，MOSFET是更合适的器件。我有几个问题。 1）MOSFET是否像BJT一样具有“饱和模式”？通过仅在MOSFET完全“导通”的基础上提供足够高的电压就可以实现这种“饱和”吗？ 2）从MCU直接驱动MOSFET是否安全？我知道MOSFET的栅极的行为就像一个电容器，因此在“充电”时会汲取一些电流，此后没有。充电电流是否高到足以损坏MCU引脚？通过将一个电阻与栅极串联，我可以保护该引脚，但这会降低开关的速度，可能导致MOSFET的高散热？ 3）什么是适用于各种低功耗情况的常见“爱好者” MOSFET？IE，相当于2N2222或2N3904的MOSFET是什么？

25 microcontroller  mosfet 

我已经建立了此电路，以使带有PWM信号的灯变暗。MOSFET确实很热。所以我想知道MOSFET栅极上发生了什么。 我关闭了PWM信号，并用万用表测量了为12V。现在确信我可以用连接的小型USB示波器（额定为20V）查看波形。Bammm，灯熄灭了，剩下的就是一台连接好的砖头示波器和PC。VGSVGSV_{GS} 我很伤心打破我的电脑。但是我必须知道出了什么问题，所以我在这里。 关于热MOSFET的问题：事实证明，代码中存在一个错误，使PWM频率很高。确保固定为200Hz，过热，并且调光器现在可以正常工作。 编辑： MOSFET：IXTQ40N50L2 光耦合器：ILQ2

24 mosfet  pwm  oscilloscope  measurement 

我正在研究有刷直流电动机（24v，500rpm，2A，4kgcm）的速度控制电路。 我打算使用的主要组件是PIC16f873、4n25光耦合器，IRFZ44N MOSFET，BY 500-800二极管（用于续流）。 选择PWM频率的标准是什么？ 很高和很低的PWM频率对系统有什么影响？ 这里提供的硬件有哪些缺点和改进之处？

24 mosfet  pwm  dc-motor  opto-isolator  gate-driving