Questions tagged «mosfet»

由于异步串行通信甚至在当今的电子设备中也很普遍，我相信我们许多人会不时遇到这样的问题。考虑与串行线（RS-232或类似产品）连接并且需要连续交换信息的电子设备D和计算机。即每个发送一个命令帧，并每个发送一个状态报告/遥测帧答复（报告可以作为对请求的响应发送，也可以独立发送-在这里并不重要）。通信帧可以包含任何任意二进制数据。假设通信帧是固定长度的分组。PCPCX msDY ms 问题： 由于协议是连续的，因此接收方可能会失去同步，或者只是在进行中的发送帧中间“加入”，因此它只是不知道帧起始位置（SOF）在哪里。根据数据相对于SOF的位置，数据具有不同的含义，接收到的数据可能会永久损坏。 所需的解决方案 可靠的定界/同步方案可在恢复时间短的情况下检测SOF（即重新同步所需的时间不超过1帧）。 我了解（并使用了一些）的现有技术： 1）标头/校验和 -SOF作为预定义的字节值。帧末的校验和。 优点：简单。 缺点：不可靠。恢复时间未知。 2）字节填充： 优点：可靠，快速恢复，可与任何硬件一起使用 缺点：不适用于固定大小的基于帧的通信 3）第9位标记 -在每个字节之前附加一个位，而SOF标记为1和数据字节标记为0： 优点：可靠，快速恢复 缺点：需要硬件支持。大多数PC硬件和软件未直接支持。 4）第8位标记 -上面的一种模拟，同时使用第8位而不是第9位，每个数据字仅保留7位。 优点：可靠，快速的恢复，可与任何硬件一起使用。 缺点：需要从/到常规8位表示到/从7位表示的编码/解码方案。有点浪费。 5）基于超时 -假定SOF为某个已定义的空闲时间之后的第一个字节。 优点：无数据开销，简单。 缺点：不太可靠。在较差的计时系统（如Windows PC）上无法很好地工作。潜在的吞吐量开销。 问题： 还有哪些其他可能的技术/解决方案可以解决该问题？您能否指出上面列出的缺点，可以轻松解决这些缺点，从而消除它们？您（或您将）如何设计系统协议？

24 serial  communication  protocol  brushless-dc-motor  hall-effect  hdd  scr  flipflop  state-machines  pic  c  uart  gps  arduino  gsm  microcontroller  can  resonance  memory  microprocessor  verilog  modelsim  transistors  relay  voltage-regulator  switch-mode-power-supply  resistance  bluetooth  emc  fcc  microcontroller  atmel  flash  microcontroller  pic  c  stm32  interrupts  freertos  oscilloscope  arduino  esp8266  pcb-assembly  microcontroller  uart  level  arduino  transistors  amplifier  audio  transistors  diodes  spice  ltspice  schmitt-trigger  voltage  digital-logic  microprocessor  clock-speed  overclocking  filter  passive-networks  arduino  mosfet  control  12v  switching  temperature  light  luminous-flux  photometry  circuit-analysis  integrated-circuit  memory  pwm  simulation  behavioral-source  usb  serial  rs232  converter  diy  energia  diodes  7segmentdisplay  keypad  pcb-design  schematics  fuses  fuse-holders  radio  transmitter  power-supply  voltage  multimeter  tools  control  servo  avr  adc  uc3  identification  wire  port  not-gate  dc-motor  microcontroller  c  spi  voltage-regulator  microcontroller  sensor  c  i2c  conversion  microcontroller  low-battery  arduino  resistors  voltage-divider  lipo  pic  microchip  gpio  remappable-pins  peripheral-pin-select  soldering  flux  cleaning  sampling  filter  noise  computers  interference  power-supply  switch-mode-power-supply  efficiency  lm78xx 

我在某处读到它可以用于电路中的反极性保护。但是我对其操作感到很困惑。有人可以帮我这个忙吗？ 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

23 mosfet  protection  polarity 

在NMOS中，电流是从源极流向漏极还是反向流动？ 这个Wikipedia页面让我感到困惑：http : //en.wikipedia.org/wiki/MOSFET 上图使我感到困惑。对于N通道，它显示二极管的极性在某些情况下朝向源极，而在另一些情况下则远离源极。 我想知道哪个端子应该连接到电源（即正极电池端子），哪个端子应该连接到电力用户（即电动机）。

23 mosfet  nmos  polarity 

什么是驱动适当示意图这通过从微控制器引脚MOSFET 这还是该光耦？MOSFET将驱动24V，6A的电动机。

23 microcontroller  motor  mosfet  opto-isolator 

我需要快速调节LED的开/关（几兆赫兹范围）。这是一个大功率LED。我很难找到任何知名的方法来做到这一点。只需用FET切换电压即可快速打开LED，但下降时间会受到影响，为解决这个问题，我想有一些不同的解决方案，例如，短时间切换反向偏置？有任何想法吗？ 我认为关断的根本问题是电荷载流子使pn结有点像电感器，因为关断电压梯度后电流会持续一小段时间，但我没有在此找到任何参考。 我知道可以更快地调制激光二极管。 编辑：由于这个问题有很多看法，让我添加一些背景信息-此应用程序是使用飞行时间CMOS传感器的3D相机。本质上，您发出光，它会在要成像的场景上反弹，并且图像传感器可以辨别出发送光和接收光之间的相位差。更快，更深的调制意味着更好的分辨率和更少的3D图像噪声。在此特定应用中，目标调制速率为20 MHz。

23 led  mosfet  modulation 

我正在使用100Ω和10kΩ电阻的分压器电路，并将其输出用于（IRF740）晶体管的输入。 我试图找出为什么电阻具有这些特定值。有意义的是，如果使用分压器，则100Ω和10kΩ时的结果是0.99x，从而得到与输出相同的输出电压。 但是，如果是这样，那么如果我获得与输入相同的电压，那为什么我首先需要这些电阻。没有他们，我无法实现同样的目标吗？

22 voltage  mosfet  switches  voltage-divider 

我已经制作了一个非常简单的MOSFET LED驱动器，该驱动器使用Arduino Nano的PWM 来开关MOSFET，该MOSFET控制大约16米长的LED灯带的功率。 我正在使用STP16NF06 MOSFET。 我正在控制RGB LED，所以我使用三个MOSFET每种颜色一个，当所有16米长的LED灯条都在运行时，我消耗的电流约为9.5安培。 9.5 A/ 3 channels = 3.17 A maximum load each. MOSFET的全导通电阻为0.8Ω，所以我的热量应该是I 2 R损耗 3.17 amperes^2 * 0.08 ohms = 0.8 watts 数据表显示我每瓦得到62.5°C的热量，最高工作温度为175°C，预期的环境温度低于50°C 175 °C - (0.8 W * 62.5 °C/W) + 50 °C = 75 °C for margin of error 我在没有散热器的情况下运行这些MOSFET，并且让它整夜运行在一个程序中，该程序只循环红，绿，蓝，白白色，并且不会过热。我希望该电路每天能够运行16个小时以上。 我正在为LED使用12 …

22 arduino  mosfet  heat  esd 

这是我在电子堆栈交换上的第一篇文章。我是电子产品的业余爱好，并且是编程方面的专业人士。 我正在研究用于加热工件的电感器电路。我有一个工作设置@ 12Vac。简而言之，电路中包含以下元素： 微控制器通过自己的电源产生直流电压为50％的脉冲，并与为螺线管供电的变压器共享接地。 低端有2个MOSFET（100Amps继续提供150Vds的漏极电流），以通过 一个11圈的3570 nH螺线管，直径约5厘米，由直径为1厘米的铜管制成。（计划稍后再通过盘管进行水冷） 一个230Vac至12Vac的变压器，可提供高达35A的峰值，或一段时间内提供20A的峰值。 MOSFET驱动器（TC4428A）驱动MOSFET的栅极 每个MOSFET的栅极到源极上都有一个10K电阻。 每个MOSFET栅极至源极上都有1000pF陶瓷电容器（以减少栅极上的某些振铃）。Vpkpk的闸门电压约为17V 现在，当我想通过使用焊接机（MOSFET可以处理）的焊接机向电路施加48Vac时，电路短路（48Vac =〜68Vdc * 2 = ~~ 136Vpkpk）。没爆炸，MOSFET合二为一。但是MOSFET的引脚（栅极，源极，漏极<->栅极，源极，漏极）之间的电阻都为0或非常低（<20Ohms）。所以他们坏了。 是什么导致我的MOSFET损坏？组件死亡时很难检查电路。 我的设备仅由示波器和万用表组成。 当电磁阀未通电时，在没有C2和C3的门上响起。与变压器共享公共接地。从MCU到TC4428A驱动器的电线为5厘米。从驱动器到大门，导线约15厘米。这会引起铃声吗？从TC4428A驱动器到栅极使用的大约2mm的电线。 在未给螺线管供电的情况下，使用C2和C3在门上产生无声振铃。共享共同点。看起来比第一张图片好得多。 螺线管通电时在盖茨振铃。螺线管通电时，为什么振铃会增加？如何在保持开关速度的同时防止/减小振铃？ 使用〜150Khz的螺线管中的工件在源极至漏极上进行测量。如上图所示，如果信号是干净的，它将产生约41伏的Vpkpk。但是由于峰值，它约为63伏。 150％超出/不足Vpkpk的后者会是问题吗？这会导致（48Vac => 68Vmax => 136Vpkpk * 150％=）〜203Vpkpk吗？如何减少在“源”->“漏极”上测量的波上的噪声？ 编辑 这里，我从驱动器上断开了一个MOSFET栅极。CH1是栅极，CH2是仍连接的MOSFET的漏极。现在两个波浪看起来都很好。没有/最小电流在这里流动。当我将两个MOSFET都连接到驱动器并测量两个门之间的电阻时，它表示为24.2K欧姆。可能是如果TC4428A驱动器打开了一个MOSFET，那么当驱动器将其导通时，它仍会从其他MOSFET栅极接收信号吗？像这样放置一个二极管Driver --->|---- Gate以确保没有噪声是否有意义？优选地，当然具有低电压降的二极管。

22 mosfet  heat  inductance  ringing 

简介：我正在建立一个USB供电的锂离子充电电路，当然想在可能的情况下汲取最大充电电流-但同时也要确保在电流汲取时不违反USB规范。虽然我已经能够分别满足USB条件中的一/二，但我在思考一种智能方式满足所有条件时遇到了一些麻烦。这是发生了什么... 与我的特定情况相关的四个USB规范规则（三个关于最大电流消耗，一个关于浪涌电流限制）如下：（注意：我在此图中显示了不同的时间段：） 好消息是... 我碰巧使用的是FTDI USB-UART IC，即FT232R（数据表），它负责枚举并具有指示枚举状态和挂起状态的输出，这对于设置何时绘制多少电流水平非常有用。 同样有用的是，我使用的是锂离子充电器IC，MCP73871（数据手册），它具有ChargeEnable引脚，以及Prog2引脚和Prog1引脚，它们可以设置充电电流限制。 这些对以上两个IC有用的引脚的功能在下面我的（粗略）尝试布局中进行了总结。尚未完成，如某些连接处的问号所示： 我的布局 电流消耗规格 最后，这是这两种IC的电流消耗规范。当然，这些电流消耗也必须计入USB电源的0.5 / 100/500 mA电流消耗限制中： 问题：似乎有一种解决方案可以调整我的布局，以便一次满足所有四个规则/条件，但我没有看到它；有任何想法吗？ 如您在前面的布局中所见，我为软启动问题设置了一个未连接的电路（MOSFET上的RC组合）。而且我在PROG1引脚上有极限设置电阻，它可以用作分压器的一部分，以部分解决500mA vs 100mA vs 0.5mA问题（部分基于本应用笔记中 FTDI的策略）。但这是我所能达到的。

22 usb  mosfet  charger  current-limiting 

有专用的“ MOSFET驱动器” IC（ICL7667，Max622 / 626，TD340，IXD * 404）。有些还控制IGBT。这些的实际目的是什么？就是要最大化开关速度（驱动栅极电容）还是有其他动机？

22 mosfet  switches  driver 

Raspberry Pi B +型号在USB连接器和板上的5V网络之间具有保护电路。他们建议在通过其GPIO接头和多熔丝对pi进行“反向供电”之前，对pi HAT进行类似的保护。我知道为什么要这样做，但我想进一步了解该电路的工作原理。 在发布此问题之前，我进行了一些搜索，发现了有关将MOSFET用作低压降二极管的信息，但它们的栅极都直接接地，而没有一对PNP和电阻。他们正在为此电路做什么？另外，这主要是使用体二极管吗？在哪种情况下，数据表上符合DMG2305UX资格的相关信息是什么？在我发现的其他电路中，似乎Rdson和Vgsth较低，这似乎与该电路的特性有关。

21 mosfet  diodes  raspberry-pi  protection 

仔细查看这种MOSFET的示意图： （在本应用笔记中找到） 我们可以看到该设备实际上是对称的。是什么使栅极自身参考源极而不是漏极？ 另外，为什么栅极氧化物会在20V Vgs而不是20V Vgd的情况下击穿？ （不是作业问题。只是出于好奇。）

21 transistors  mosfet 

我正在研究手机锂离子电池中常用的电池保护芯片和参考电路（下图），并且被负极EB-上串联的两个MOSFET所迷惑。 根据这个问题，我现在理解MOSFET可以在SD或DS方向上导通。 我的问题是：1.为什么此电路中有两个MOSFET？为什么不只是一个？2.如果它们沿任一方向导电，为什么FET1和FET2的极性相反？这对电路有何好处？

20 mosfet  battery-charging  lithium-ion  protection 

我一直在购买一些mosfet晶体管，入门工具包，并且注意到清单表明mosfet适用于5v逻辑，但数据表显示Gate Threshold是1-2v。由同一卖方将接近5v的4v栅形mosfet进行广告不适合。 我知道向栅极施加Vgs电压会打开MOSFET，但是它如何与不同的电压相互作用？ 因此，例如，如果mosfet的Vgs范围为2-3，并且我对其施加了0-1,2-3,3-7的电压范围，那么我认为它会像这样（如果我错了，请纠正我）： 0-1v-关 2-3v-以比例电导率接通（最大3v）。 3-7v-热/烧？

20 voltage  transistors  mosfet 

MOSFET是否允许电流反向流动（即从源极到漏极）？ 我进行了Google搜索，但找不到关于此问题的明确声明。我发现了类似的问题，但它与从MOSFET的原理图符号检测电流方向有关。在同一个问题下，有一个答案表明MOSFET没有固有极性，因此它们可以在两个方向上导电。但是，该答案没有上/下票或评论，因此我无法确定。 我需要一个明确的答案。MOSFET双向导电吗？

20 current  mosfet  semiconductors  polarity  bidirectional