Questions tagged «mosfet»

标题说明了在信号切换应用中的一切-除了选择其他器件之外，如何减少（N沟道）MOSFET的关闭延迟？是否有与用于BJT的贝克钳类似的东西？

11 mosfet 

几年来，唐·兰开斯特一直在推广魔术正弦波。它们是二进制数字字符串（例如，整个正弦周期为420位），当用于驱动数字开关（MOSFET / IGBP）时，会产生非常干净的正弦波（仅保留非常高的谐波）。有关更多详细信息，请阅读链接的文章或他就此事撰写的任何其他文章。 有人真的用过这些东西吗？这个想法似乎很有用，但是我找不到关于这些的任何信息（这些信息并非来自兰开斯特本人）。

11 power  mosfet  ups 

在许多Arduino示例中，您看到人们使用结型晶体管为电机供电。例如，在这种情况下，他使用的是达林顿晶体管：http : //www.instructables.com/id/Use-Arduino-with-TIP120-transistor-to-control-moto/ 除了MOSFET之外，是否有任何理由使用其他任何器件（除非您根本没有，而您确实有另一种类型？）对于这种应用，结型晶体管或达林顿晶体管有什么优势吗？

11 mosfet  darlington  bipolar 

我试图了解MOSFET晶体管的。据我了解，通常代表电压栅极到源极的击穿，但除此之外，我缺乏理解。 是MOSFET开启的阈值电压，因此我对阈值电压有一些疑问；VGSVGSV_{GS}V摹小号VGSV_{GS}V摹小号（吨ħ ）VGS(th)V_{GS(th)} 如果超过数据手册所述的最大阈值会怎样？ 如果我在下面会怎样？

11 voltage  mosfet  voltage-source 

我从参考设计中模拟了该电路，但我不完全确定它是如何工作的，或者您将如何设计这种东西。在仿真中，尽管输入电压范围高达25V，但看起来它旨在将流经D1的电流保持恒定在5mA左右。 我看到M1的栅极电压保持在1.6V左右，而BJT的基极电压随着输入电压的升高而升高。因此，随着电压的升高，通过BJT的电流会增加，因此它的作用就像可调阻抗，我想可以使栅极电压保持恒定。那正确吗？ 这是您只是在香料中所做的事情，还是某种电流镜电路在某处定义得很好，而我只是不认识它？

10 led  transistors  mosfet  circuit-analysis  bjt 

我知道，一个基本的MOSFET包含源极和漏极，它要么是NMOS要么是PMOS。在源处由箭头指示。但是，让我们看一个伪造的NMOS。 在这里我们可以很容易地看到，引脚是源极还是漏极完全取决于连接。没有连接，此设备是对称的。但是，请看一下常规的MOSFET符号。 所有这些符号将一个引脚标记为源极，将另一个标记为漏极。这是为什么 ？为什么此符号不像设备那样对称？ 在Cadence上工作时，原理图符号都具有标记源的这种类型的符号。但是，当将其用于制造时，源和漏将由连接而不是符号决定。

10 mosfet  layout  symbol  fabrication 

最终更新： 了解以前神秘的功率MOSFET开关波形摆动！@Mario在下面揭示了根本原因，这是所谓的VDMOS器件所特有的，它是IRF2805等许多功率MOSFET的典型代表。 更新： 找到了线索！:) @PeterSmith 在以下评论之一中提到了了解MOSFET数据表中栅极电荷规格的绝佳资源。 在第二段的第6页上，第二段末尾引用了v G D > 0 时变为常数（随V D S的变化而停止变化）的想法。，但让我开始思考v G D可能发生的情况：CGDCGDC_{GD}VDSVDSV_{DS}vGDvGDv_{GD}vGDvGDv_{GD} 事实证明，当上升至0V以上时，这是正确的。vGDvGDv_{GD} 因此，如果有人了解该驱动机制是什么，我认为那将是正确的答案:) 我正在仔细研究MOSFET的开关特性，这是我研究开关转换器的一部分。 我已经建立了一个非常简单的电路，如下所示： 在仿真中会产生以下MOSFET导通波形： 漏极电压下降约20％到Miller高原时，会出现拐点。 我建立了电路： 范围很好地证实了模拟： CgdCgdC_{gd} MOSFET方面经验丰富的人可以帮助我理解吗？

10 mosfet  switches  switch-mode-power-supply  mosfet-driver  modeling 

查阅Diodes Inc.的数据表，我在遵循其MOSFET的功耗极限计算时遇到了麻烦。 例如DMG4496SSS http://www.diodes.com/_files/datasheets/ds32048.pdf 它们在第1页上指定 I_D（最大值）= 8A @ V_GS = 4.5V（R_DS（on）= 0.029欧姆） 但随后数据表也在第2页上给出： 功耗P_D = 1.42 W 结温T_J = 150°C 热阻R_ \ theta = 88.49 K / W 并在第3页： R_DS（on）@ V_GS = 4.5V，I_DS = 8A约0.024欧姆 对我来说，这看起来像是一团糟： P = 0.029 ohm *（8A）^ 2 = 1.86 W，远大于第2页中P_D = 1.42 W的允许功耗 即使第3页的R_DS（on）= 0.024欧姆值，P …

10 power  mosfet  temperature  datasheet 

我曾经说过“好，这是可行的”。但是后来我追踪了它的工作原理，当P和N对被反向偏置时，它只是阻止了流过漏极和源极的电流。然后当另一对P和N正向偏置时，电流流过正向二极管。然后交替进行...然后是一样的，只是使用二极管桥接整流。更糟糕的是，MOSFET通常没有低的二极管压降...或者也许我在这里漏了一些东西...。

10 mosfet  rectifier 

我只是最近才开始爱好电子学，而当我实际上开始记住事情时，我在大学里学到的少量理论确实有所帮助：P 无论如何，我的下一个项目是用于电子vaping的可调节盒装模块，因为我已经离开香烟两年了，我真的想自己做一件事情（尽管我不在乎是否要使用我制造的任何东西，如果甚至是值得的）。 目标是具有线性和平坦直流电压控制的稳压箱型模块，5V电压低至0.2欧姆。 显然，这意味着我将需要高额定值的电池，保险丝并使其串联运行，但还有其他一些挑战，例如要使电压控制保持高电流。这就是我想出的。（连接的带标签的测试点和仪表稍后将变得有意义）。 翻转以使其更易于阅读： 如果有任何明显的明显现象，请对我进行一些现实世界中可能遇到的问题的教育。我已经通过所有可以想到的模拟运行了该原理图，并且看起来一切都很好，但是请告诉我您是否看到任何我没有注意到的东西，或者根本不了解：P 这表明在6伏时会出现剧烈的电压下降，尽管这是我选择的运算放大器的结果，但实际上这是一件非常好的事情，因为当我需要更换电池时，它会变得很明显。实际上，我可能会使用二极管有意地将电压降低1伏特，因为无论如何我现在都想通过vape抽出大约1伏特的余量。 这表明取决于线圈的电阻，它应如何很好地处理负载。显然，当问题开始出现时为0.1欧姆。 这说明了它如何线性地调节电压，以及运算放大器无法跟上的点。6V超出了我将永远无法获得的范围。 最后，这显示了在打开电源但未按下启动按钮时的电压泄漏。对我来说似乎很小，但是如果我做/没有做过使事情变得比应有的糟糕的事情，请告诉我。 编辑：很抱歉原理图是向后和由内而外的大声笑。组件的位置是相对于组装时的位置而言的，以便在组装时易于跟随。因此，我没有想到兽医很难进行“校对”。我将其翻转了一下，因此阅读上面的更新版本可能会减少一些混乱。 编辑2：所以我相信我已经完成了一切。我要添加的只是电压上限，以减轻断电放大器和保险丝的损坏，以防万一出现错误，并在电池电量太低时降低电压，以防止意外的过度消耗。如果您有兴趣，这里是带扫描的更新原理图： 显示了当电池电量低时急剧下降的电压下降情况下的伪线性电压输出情况。 由于采用了5.6V齐纳基准电压，因此电压曲线最大。旋转电位计使其接近100绕过齐纳管，不用担心，因为我可能会发现它很有用。 使用0.1欧姆线圈不会再出现急剧的电压降。

10 operational-amplifier  mosfet  voltage-regulator  circuit-analysis 

我并不是真正的电子专家，而是软件工程师（如果我问的是愚蠢的问题，请谅解）。 我正在尝试使用额定值为1.8V的微控制器GPIO输出。当此引脚变为高电平时，我要启用12V继电器。我正在使用Freetronics的N沟道MOSFET MOSFET的规格可在此处找到。 出于某种原因，尽管指定的最小电压为1.5V，但1.8V似乎不足以驱动MOSFET。我尝试了使用1.5V AA电池的独立设置，但也无法使用。但是，如果我在相同的设置下施加3.3V，它就可以工作（只是这样您就可以知道我的接线是可以的）。 不幸的是我的微控制器（Intel Edison）只有1.8V GPIO。 我想念什么吗？我该如何工作？我应该使用其他MOSFET吗？如果是这样，哪一个？ 非常感谢您的帮助。

10 mosfet  gpio 

我看到许多MOSFET晶体管的TO-220封装中的连续电流高得惊人。更不可思议的是，开路电阻很低。 例如，我想使用IRFB7545PbF N-MOSFET晶体管。数据表中规定最大连续电流为67A，RdON低于5.9mOhm。 我不相信这是可能的。 在这种情况下，TO-220封装的微小引脚将具有几毫欧的更大的电阻，会发热并解焊。 我哪里错了？ 我相信里面的半导体能够承受这样的电流，但是我不相信TO-220封装可以提供...

10 current  mosfet  to220 

我知道在网上很难找到锗二极管，但是因为这是一个演示，所以我宁愿花6-7美元以上的价格仅花费5％来运送一个仍在研究​​中的项目。事实证明，RadioShack在储存锗方面通常没有用。 我确实可以得到741和324之类的豆形软糖组件。我还拥有N和P沟道FET以及BJT的几种变体。在低（微瓦）功率应用中，是否可以使用一些小型且简单的电路来模拟锗二极管的低压降行为？

10 mosfet  rectifier  substitution 

我正在使用WS2803恒流LED驱动器，TLP250 MOSFET驱动器和IRF540N MOSFET构建一个由Arduino控制的RGB LED驱动器。它是这样的： 图片按比例缩小，因此很难看到，R3，R7和R11是1k电阻。 该电路驱动5m RGB LED灯带（100段），每通道最大消耗2A。因此，每个MOSFET应该需要在最大13V的电压下处理2A电流。IRF540N的额定电压为100V / 33A。RDSon应为44mOhm。因此，我认为不需要散热器。 我显然想使用PWM（2.5kHz的WS2803 PWM），但让我们关注全ON状态。我的问题是，MOSFET在完全导通状态下会严重过热（无开关导通）。您可以在图片上看到以全开状态测量的值。 TLP250似乎可以正确驱动MOSFET（VGS = 10.6V），但我不明白为什么我会得到如此高的VDS（例如红色LED上的0.6V）。这些MOSFET的RDSon应为44mOhm，因此当流过1.4A电流时，其压降应小于0.1V。 我尝试过的事情： 移除TLP250并向栅极直接施加13V电压-当时认为MOSFET并未完全打开，但完全没有帮助，VDS仍为0.6V 拆下LED灯条，并在红色通道上使用12V / 55W的汽车灯泡。流过3.5A，VDS为2V，随着MOSFET的升温而上升 所以我的问题是： 为什么VDS这么高？为什么MOSFET过热？ 即使在VDS为0.6V和ID为1.4A的情况下，功率也为0.84W，我认为没有散热片应该还可以吗？ 如果使用功率较低的MOSFET（例如20V / 5A），我会更好吗？或使用逻辑电平MOSFET并直接从WS2803驱动（尽管我喜欢TLP250的光学隔离）。 几点注意事项： 目前，我仅在面包板上安装该电路，而将MOSFET的源极连接至GND的电线也变得非常热。我知道这是正常现象，因为有较大的电流流过它们，但我想我只是提到 我是从中国批量购买的MOSFET，难道不是真正的IRF540N且规格较低吗？ 编辑：还有一件事。我从这里基于MOSFET驱动器创建了该控制器。该家伙正在为TLP250和负载（Vsupply，VMOS）使用单独的电源。我对两者使用相同的来源。不确定是否重要。而且我的电源是12V 10A稳压的，因此我认为电源不是问题。 谢谢。

10 mosfet  led-strip 

如在此LTSpice模型中所见，我试图通过2N7002 N沟道MOSFET和来自Arduino的5V控制信号来控制连接到7.5电压源的白色LED（3.6 Vf @ 20 mA）。 鉴于我的栅极电压是来自微控制器的5V，我期望MOSFET基本上起开关作用。通过查看2N7002的图表，假设所需电流为20mA，Vgs为5V，我期望晶体管两端的电压降接近零，因此源电压约为7.5V。 但是，从仿真图中可以看出，晶体管两端的电压实际上非常大，因此源极电压仅为〜3V（与预期的〜7.5V相反）。 当我在电路板上做电路板时，得到的结果相同，电源电压约为3V。 谁能解释为什么MOSFET的源极电压比预期的低得多？谁能推荐一个可以在这种情况下有效地允许我使用5V信号和7.5V电源驱动白光LED的开关的晶体管吗？

10 arduino  led  mosfet