Questions tagged «mosfet»

我整理了一个简单的唤醒灯。它具有外部电源，额定电流为7V和600mA。内部有Arduino和由MOSFET控制的一堆LED。 目前它可以正常工作，但我想确保它不会在我不在时烧毁我的公寓。到目前为止，我一直在考虑以下功能： 保险丝，额定值低于电源的最大输出 MOSFET的散热片。没有它会变暖，但不会烫伤我的手指。 还有什么需要考虑的吗？ 编辑：该设备用于卧室。晚上不要加油。

10 led  mosfet  safety  fuses 

我的设计继承了相当标准的n通道mosfet，该mosfet驱动继电器来控制电动机和执行器。 在最近的构建中，我们开始在n沟道mosfet上获得50％的故障率。以前我们没有mosfet的失败。到目前为止，我唯一能找到的区别是继电器和mosfet上的日期代码不同。否则，一切都不会改变。 mosfet是安森美半导体2N7002LT1G 继电器是欧姆龙电子G6RL-1-ASI-DC24 反激二极管是ON半导体MRA4003T3G 通过ON半导体对mosfet进行了检查，发现它很可能被过高的电压破坏了。但是到目前为止，我还没有看到MOSFET上的电压尖峰超过30V。 这是带有MOSFET /继电器/二极管的电路部分。

10 mosfet  relay 

我在protoboard上连接了以下电路。 BSS138 MOSFET的数据表在这里。我对该电路所发生的事情感到困惑-当我在栅极电阻上施加3.3V电压时，MOSFET完全导通，而在输出端看到3mV电压。当然，这是可以预期的。 但是，如果我从栅极电阻器上删除了3.3V，则下拉电阻器将关闭栅极。我希望在输出端看到大约3.3V，但我只能看到2.7V。如果我用5V代替R1上的3.3V，输出将显示为4V。换句话说，当MOSFET关断时，R1上将下降一个电压。这是预期的吗？不知何故，我希望MOSFET在关断时具有极大的电阻，因此在关断时会在其上下降大约5V。 我对这个MOSFET的期望不高吗？ 测试1：通过。 测试2：漏极至源极Vf = 0.515V，源极至漏极= 0.09V，栅极至源极= 0.07V。 这很奇怪。请注意，我已经完成了多次测试。我总是得到一致的结果。我没有在任何地方看到过开放循环。这使我相信我确实在处理该MOSFET时将其破坏了。一位同事告诉我，他昨天从同一卷盘上销毁了另一个MOSFET。这使我进入测试4。 测试4：不完整。我现在在处理这些MOSFET时更加谨慎。我没有意识到设备越小，损坏它的可能性就越大。我以前曾经处理过MOSFET，但它们的尺寸要大得多：TO-220。我确实从家里带来了防静电腕带上班，但是我工作的房间没有接地端子（请注意！！）但我正在努力尽快获得固定的固定。我不认为我什至会去做任何事情，直到我正确接地为止。我还订购了防静电垫。这里的环境相当干燥，但是建筑物中的任何地方显然都没有地毯，更不用说房间了，这导致了我认为这是我的衣服还是我的办公桌。 我确保电路正常。我也已经由另一个人检查过，这让我觉得我还可以。 注意：这些只是您在第三世界国家中必须忍受的一些事情！幸运的是，至少建筑物具有接地连接。因此，进入我的房间并不难。

10 mosfet 

似乎有大约4种主要的晶体管版本，然后是NPN / PNP版本。也有继电器，SCR和TRIAC。 当我需要微控制器控制的开关时，应遵循哪些经验法则来指导我选择？在没有特定的高性能规格时，人们是否喜欢保留一些常见的用途？ 我想学习一般规则，所以我不会在同一问题上搜索37个变体。 举一个具体的例子，我现在选择的应用包括驱动一个5 V，160 mA（在50％占空比时平均为80 mA），3.1 kHz蜂鸣器，并带有一个3.3V MCU的输出，可吸收8mA或源电流。 4毫安

10 transistors  switches  mosfet 

虽然555竞赛早已结束，但我仍在调试设备，而我已经放弃了555本身:-) 此刻，我正在从atmel uC的PWM（30kHz）信号驱动PC风扇。 我通过一个简单的1-BJT晶体管“驱动器”为P-MOSFET供电。输出用22uH电感+ 330uF电容滤波。当然，我有反冲二极管。 我遇到的问题是，当我具有256个“电平”的PWM时，我得到的大部分输出差异都在1-20范围内。看起来即使是短脉冲也具有“功率”以全功率驱动风扇。 1）如何使它“更小”的强大？届时，我是否会有实力更强大的粉丝？ 2）在mosfet的漏极上，我看到一些1-3Mhz的振铃，振幅为5V，尽管全部起作用，但我不喜欢它（源极或栅极上没有振铃）。是什么原因引起的，我该如何应对？ 更新： R1-1kOhm R2-47Ohm MOSFET-是主板上的PMOSFET二极管是一些中等尺寸的肖特基二极管，压降为0.2V。

10 driver  pwm  mosfet 

如果将一对分立的MOSFET背对背连接以创建双向负载开关，那么将它们的共源极与共漏极之间的实际区别是什么？ 在这种特殊情况下，我使用一对p-ch FET将电池与负载隔离，并且还确保关闭时负载中的存储电荷不会返回电池。我有一个3V6电池，因此逻辑电平FET可以正常工作。如果我有共同的消息来源，PCB布线效果最好，但是我在文献中已经看到了两种配置。 我想在一个集成设备中，有充分的理由选择一个，而不是另一个，因为普通的体硅很可能会影响选择。但是对于分立器件，只要栅极驱动电压超过体二极管的正向压降以及Vgth，似乎并没有明显的理由选择一个。 那么，是否有理由专门选择这些配置之一？ 编辑： 给定基本条件：电源大于FET Vgth加上体二极管正向压降；那么任一电路都可以正常工作。但是，仿真表明，共源布置有一些好处，因为开关转换速度更快，因此FET中浪费的功率更少。

10 mosfet 

请总结一下多指（MF）与单指的晶体管布局的优缺点。 在EDA工具中布置具有特定宽度和长度的MOSFET时，关于栅极的形状，有两种选择： 1）单条纹（经典情况）（一根手指）； 2）几个条纹（几个手指）。 假设（基于各种Internet论坛）： 1）MF为高W / L或L / W的晶体管的布局规划提供了更大的灵活性。换句话说，允许使布局更像正方形。 2）MF 在需要时可以更好地匹配晶体管。例如，如果使用普通质心技术。 3）MF布局减小了栅极电阻（对于AC）。如果是这样，您能解释为什么吗？ 4）如果存在技术限制，则MF会降低栅极中的电流密度。 有知识的人可以比较这两种方法吗？ 图1：一根手指。 图2：两个手指。两个并联的晶体管（宽度相加）。 图3：两个手指。两个串联的晶体管（加长）。

10 mosfet  layout 

目前有一个Google竞赛正在进行，称为小盒子挑战。设计一个非常高效的交流逆变器。基本上，逆变器会被馈入几百伏的直流电压，胜出的设计将取决于其以最高效的电方式产生2kW（或2kVA）输出的能力。还有其他一些标准需要满足，但这是最基本的挑战，组织者表示必须达到95％以上的效率。 这是一个艰巨的任务，这让我把它当作一种练习来思考。我已经看到了很多逆变器H桥设计，但它们都将PWM驱动到所有四个MOSFET，这意味着有4个晶体管一直在造成开关损耗：- 上面的图是我通常阅读的逆变器设计，但是下面的图令我震惊，因为它实际上将开关损耗降低了2倍。 我以前从没看过它，所以我想如果有其他人的话我会在这里-也许有一个我不认识的“问题”。无论如何，如果有人想知道为什么要发布此帖子，我决定不参加比赛。 编辑-只是为了解释我认为应该如何工作-Q1和Q2（使用PWM）可以生成（滤波后）“平滑”电压，该电压可以在0V和+ V之间变化。为了产生交流电源波形的前半个周期，Q4导通（Q3关闭），而Q1 / Q2产生PWM开关波形以产生从0度到180度的正弦波。对于第二个半周期，Q3导通（Q4断开） Q1 / Q2使用适当的PWM时序产生反相的正弦波电压。 题： 在这种类型的设计中我是否没有意识到某个问题-也许是EMC辐射或“它只是愚蠢而已”！

10 mosfet  switch-mode-power-supply  h-bridge 

我不明白为什么MOSFET的栅极电荷曲线（恰好是Miller高原部分）取决于漏极-源极电压Vds。 例如，IRFZ44的数据表在第4页（图6）上显示了不同Vds值的栅极电荷曲线。 为什么更大的Vds的Miller高原时间更长？高原不依赖Cgd吗？但是对于较大的Vds，Cgd（= Crss）会变小（请参见数据表中的图5）。米勒高原不应该变短吗？

10 mosfet 

由于我需要为新项目提供某种类型的广泛输入（进入微控制器），因此，我仔细研究了我公司中其他产品已经使用（或在某些时候考虑过）的一些设计。 我发现该电路似乎可以接受5-24V之间的任何电压来驱动光耦合器。我很难理解MOSFET在该星座中的工作原理，因为我对此没有太多经验。 我对二极管和电阻器功能的猜测： D17：可能是反极性保护 D18：瞬态电压抑制 R18：基本电流限制 MOSFET似乎以某种方式“调节”其电阻，即它提供的电流足以为LED提供电源，而与输入电压无关。 原理上如何运作？ 如何计算实际支持的电压范围？

10 mosfet  opto-isolator  input  circuit-analysis 

这是我第一次设计全桥驱动程序。我在输出端响铃时遇到问题。我为此做了一个PCB。这是板顶部的图片。 背面 输入到L6498驱动器，死区时间为250ns 全桥的空载输出电压 输出，带空载变压器CH1：变压器电压CH2：变压器电流 完整设定 我遇到的问题是连接负载时输出波形顶部的振荡。向变压器施加负载只会使振铃更严重。我已经测试了所有MOSFET的栅极，即使加载了变压器，其波形也非常干净，没有尖峰。唯一的问题是电桥输出波形。该评估板的中央有一个1uf薄膜电容器。我尝试在MOSFET旁边的主电压轨处添加一个2200uf电容器，如下图所示。我也有一个电流互感器来测量电容器电流。 添加电解电容后，即使仍连接变压器，输出波形也会改善。CH1：全桥输出电压CH2：电解电容器电流。 问题是：在整个桥的极轻负载下，电解盖会变热。在高负载下，通过电容器的电流在峰值时约为30安培。电容器很热。如果在电源轨上增加更多电容会改善振铃，我应该使用哪种电容器？更大的薄膜电容器会帮助振铃吗？响铃是布局问题吗？如果是这样，那么PCB电源走线应该更短吗？

9 power-supply  capacitor  mosfet  switch-mode-power-supply  layout 

最长的时间，我一直远离FET和MOSFET（就是说，在电路中使用分立晶体管的时候）。我以当前的业余项目为借口，尝试并最终对使用它们感到满意。但是，我似乎无法从这些野兽中做出正面或反面。 在尝试任何实际电路之前，我正在运行基本的（几乎是“健全性检查”）LTspice仿真。极其简单的电路，它们似乎仍然不起作用。例如，请参见下面的LTspice屏幕截图-电压探头位于电源的输出端；电流通过连接到漏极引脚的电阻测量。当MOSFET导通时（V2为12V）假定为1mA，我预计当输入电压为0V时它会回到0mA持续1μs： 顺便说一句，如果我将V1设为直流电源，那么它将起作用：我将其设置为0V，通过R1的电流为0mA（好，以pA的顺序），如果将其设置为5V，则电流为1mA。 我想念什么？我还尝试了从V1到栅极的100Ω电阻。它在切换时只会在电流上产生一点点的颠簸，但仍不会回到0mA。我还从栅极到GND添加了一个10k电阻。参见下图，显示了模拟的输出（再次：我缺少了什么？）： 我确实对该主题有一些更具体的问题，但是我认为在尝试进行任何“实际”应用程序之前（即使是在业余项目中），我最好先熟悉最简单的“玩具”电路。

9 mosfet 

阅读有关BIOS / CMOS的计算机硬件课程后，我仍然无法确定为什么不使用CMOS技术构建BIOS的ROM芯片的原因，以及为什么将其连接到名为“ CMOS”的单独芯片上以存储BIOS的原因。配置信息。 这来自讲义： 程序存储在系统BIOS芯片上，而可变数据存储在CMOS芯片上 CMOS硬件组：通用，必要但可能会更改的硬件– RAM，硬盘驱动器，软盘驱动器，串行和并行端口 我知道BIOS存储在闪存中，并且与其他实现相比，CMOS MOSFET技术的功耗更低。 为什么只有像其他存储设备一样不使用CMOS的BIOS ROM才有优势？为什么不能将BIOS配置信息存储在其自己的ROM芯片中而不是“ CMOS芯片”中？

9 mosfet  cmos  flash  computer-architecture  rom 

在计算单个MOSFET的栅极电阻时，首先将电路建模为串联RLC电路。其中，R是要计算的栅极电阻。L是mosfet栅极和mosfet驱动器输出之间的走线电感。C是从MOSFET栅极看到的输入电容（在mosfet数据手册中以给出）。然后，我计算出适当的阻尼比，上升时间和过冲的值。C我š 小号CissC_{iss}R 当存在多个并联的mosfet时，是否更改这些步骤。是否可以通过不为每个mosfet使用单独的栅极电阻来简化电路，还是建议为每个mosfet使用单独的栅极电阻？如果是，我可以C作为每个MOSFET的栅极电容器的总和吗？ 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 特别是，我的目标是驱动由TK39N60XS1F-ND制成的H桥。每个分支将有两个平行的mosfet（总共8个mosfets）。MOSFET驱动器部分将包括两个UCC21225A。工作频率将在50kHz至100kHz之间。负载将是电感为31.83mH或更高的变压器的主要部分。

9 mosfet  gate-driving 

我目前正在设计电容放电点焊机，并且遇到开关问题。 我计划使用几个串联的超级电容器在很短的时间内（最有可能少于100毫秒）放电约1000A。我计划将电容器充电至10V左右。 因此，我本质上需要一种能够提供非常高电流的短脉冲的设备。我不想一次性丢弃电容器的全部电荷，因此可控硅不是解决我问题的方法。我一直在研究MOSFET，这一点引起了我的注意：http : //www.mouser.com/ds/2/205/DS100728A( IXTN660N04T4)-1022876.pdf 但是，我不确定如何正确解释数据表。MOSFET能够在脉冲漏极电流状态下驱动1800A吗？还是将其限制为660A（甚至220A），迫使我并联其中一些？还是这些MOSFET之一可以吗？根据我的初步计算，没有任何其他电阻的情况下，直接连接至电容器的单独MOSFET将耗散900W左右的功率，这似乎在数据手册的范围内。 因此，从本质上讲，我是否正确解释了数据手册，还是需要订购其中一些MOSFET（如果是，那么您会猜到多少？）

9 mosfet  high-current  supercapacitor  high-power