Questions tagged «mosfet»

因此，这就是我的H桥： 每次在一个方向上开始使用它时，属于使用方向的P沟道MOSFET和NPN BJT就会在几秒钟内消失。被杀死的MOSFET和BJT发生短路，因此我不能再使用其他方向了。他们死了没有明显的热量或烟雾！ 该控制器是一个典型的控制器，仅N沟道MOSFET由PWM信号驱动，P沟道连接至简单的数字输出引脚。数字引脚9和10的默认PWM频率为490Hz（每个PWM输出都是单独的）。我已经杀死了4-5个P沟道MOSFET + BJT对，这可能会在两侧发生。（这取决于我首先使用哪个方向。）电动机是12V汽车雨刮器直流电动机，电源是12V 5A。已连接12V和5V电源接地。 有两件事可能是正确的，但是由于我没有进行全面测试，因此我不确定100％： 在以前的版本中，我为R7和R8使用了1k电阻，但没有任何问题。我将再次尝试，但现在我在P沟道MOSFET上的电量不足。 当我切掉油炸的MOSFET + BJT对时，我可以使用其他方向，而不会杀死其余的MOSFET + BJT对。 请帮助我，这是怎么回事:) 我是否应该在NPN BJT和P沟道MOSFET之间使用电阻？ 我应该使用2n7000 MOSFET代替2N2222 BJT吗？ 更新：我刚刚用12V 55W灯泡而不是刮水器电动机测试了H桥。在测试期间，P-FET和NPN被杀死。N通道侧由40％PWM信号驱动。没有负载，它没有任何问题。 UPDATE2：我将R7和R8从150R改回了1k。现在，网桥可以再次正常工作，而没有任何组件出现故障。（我已经运行了好几天，但是使用150R电阻器仅能恢复故障几秒钟。）我将按照Brian的建议在GND和+ 12V之间的电桥上添加一些去耦电容器。感谢大家的回答！

9 mosfet  bjt  h-bridge 

我正在为两个高端开关设计PCB布局。您可以在下面看到我当前布局的图片。 未来PCB的铜重量可能为2 oz /ft²（双面）。我使用两个p沟道MOSFET（IPB180P04P4）。我希望右侧的MOSFET为10安培（我选择非常接近最小占位面积，Pd约为0.2 W），而MOSFET则为15安培（U2，峰值为30安培，Pd约为0.45 W，最大1.8 W）在左侧（U1，8平方厘米的铜）。 IC1是电流传感器。 接线端子（U15，U16）属于以下类型：Digikey上的WM4670-ND。 为了在这种类型的PCB上吸收这么大的电流，一位在线计算器告诉我，我需要20毫米的走线。为了节省空间，我决定将这条大迹线分成两条迹线（一条在顶部，一条在底部）。我将两条走线都用过孔图案连接（在2x2mm²的网格上，钻孔尺寸为0.5 mm）。我没有这种布局的经验，所以我看了看其他电路板，然后选择了一个对我来说似乎很公平的尺寸。这是通过模式正确的方法吗？ 在MOSFET下，我使用相同的图案，但钻头尺寸较小，为0.3 mm，以形成热结。如此大小的焊料会更好地流动吗？到目前为止，没有一个通孔被填满... 我还考虑在这些走线上没有任何阻焊层，那就是在铜上施加一些阻焊剂。 我还担心MOSFET的焊盘。我没有选择不用铜覆盖它们。我以为设备可以通过这种方式自动居中，但这可能会增加阻力... 请随时评论布局！ 谢谢 ！ 编辑1 我略微改进了设计。我在MOSFET的散热垫下添加了更多的过孔。MOSFET下有一些裸铜（如果将来我想增加一个散热片）。 请随意发表评论 ！先感谢您 ！ 编辑2 此设计的新更新。我增加了MOSFET引线周围的铜面积。那应该降低这些走线的电阻。 我在顶层和底层之间添加了更多的过孔，以改善这些层中的电流分布。 我问制造商是否可以在设备下面插入通孔以改善散热。他告诉我那是持久的。 我认为我不会改变其他任何事情。这是我最好的猜测，因此如果没人有任何评论，我可以尝试一下。

9 pcb  mosfet  layout  high-current  power-dissipation 

我正在尝试使用MOSFET通过PWM控制加热器线圈（电阻〜0.9欧姆）。PWM调制器基于LM393，MOSFET为IRFR3704（20V，60A）。 如果我用1k电阻代替加热器，则一切运行良好，测试点CH1和CH2处的波形几乎为正方形。但是，当我在方案中放置一个实际的加热器时，在电压超过Vth时（脉冲在此处混合：黄色示波器通道连接到测试点CH2，青色通道连接到CH1）时，脉冲的下降沿会发生振荡。振荡幅度略大于电池电压，并且最大达到16V。我主要是微控制器专家，对这种电路的了解很差。是加热器电感的影响还是其他？怎么反对呢？

9 mosfet  pwm  comparator  oscillation 

我正在研究非常零散的电机故障（我不是设计师）。我们有一个绕线电枢，它由功率MOSFET切换。这些由FET图腾柱型FET驱动器驱动。因此，当驱动器关闭时，功率FET的栅极将浮置。是的，我知道。错误的设计选择。我只是清理烂摊子。 在电机的定子侧有一个由微型输出控制的双向可控硅和驱动电路。插入电动机后，由于微端口处于三态，直到启动完成，驱动线才浮空。由于此端口线进入与门并处于浮动状态，因此最终会在其上获得大约5个AC周期的交流信号，其幅度足以触发门极和双向可控硅。这将在定子上放置大约3-5个线路的半个周期，根据电源阻抗的不同，峰值最高可达100A。对。另一个设计错误-应该将其拉低。 问题-这种情况很少发生，功率MOSFET也不会发生故障。在数百个电机中，我们遇到了三个故障，即功率FET的漏极和栅极至源极短路。问题-考虑到功率MOSFET电路的设计欠佳，我可能要确定是否可能怀疑这一系列电流尖峰（确实会在电枢上感应出电压-匝数比为1：1）。MOSFET正对着电枢绕组。电动机发生故障时，在运行期间不会发生故障。只要插入电源，它似乎就会失败。我的证据全是旁白的-到目前为止，我一直无法强迫失败。但是插件的大量尖峰，失败的稀有性以及复制它的困难似乎都表明了这一点。如果我走错了路，我需要知道并知道原因。这似乎可能会损坏FET，但我 目前，我正在使用PLC监视几个电动机，以使其循环运转。该计划是循环直到失败，应用设计更正并再次运行。除非我有天才的闪光。

9 mosfet  motor 

我建立了一个分立的H桥电路，以运行一个强劲的12V挡风玻璃刮水器电动机。电路如下（编辑：此处查看较大的PDF，StackExchange似乎无法扩展图像）： RM：此处查看较大的imgur图像 -这些由系统保存，但仅以小尺寸显示。也可以通过“在新标签页中打开图像”进行访问 提起电路板，我从100％占空比（非PWM）模式开始，发现它可以工作，因此我开始对低端N沟道MOSFET之一进行PWM。这似乎还不错，尽管由于感应尖峰导致桥的PWM侧的高端肖特基产生明显的发热。 然后，我开始对高侧和低侧MOSFET进行PWM，以更有效地消除电感尖峰。这（也可能有过多的停滞时间）似乎运行良好，并且顶部二极管保持冷却。 但是，在使用开关运行了一段时间以改变实时占空比之后，我将速度从大约2降低了。从95％的占空比提高到25％，这是我之前做过的几次。但是，在这种情况下，突然出现突然的大电流汲取，并且TC4428A MOSFET驱动器烧断了。 这些是自爆的唯一元件-MOSFET本身很好，所以我排除了任何穿通布袋的可能性。到目前为止，我最好的解释是过量的感应反冲，或者（很可能）来自电动机的再生功率过慢，导致电源无法处理。TC4428A在电桥内具有最低的额定电压（18V，绝对最大22V），我认为电压上升得太快太快了。 我用一块老式的线性台式电源在该板的12V端供电，在该板和板之间有较长的引线。我认为这并不能真正消除电压上升。 对于MOSFET的动态负载，我认为TC4428A不会过载。我当时以相对较低的速度（约2.2kHz）进行PWM，而MOSFET本身的栅极总电荷并不特别高。它们似乎在运行期间保持凉爽，此外，尽管仅驱动器B被脉宽调制，但A和B驱动器还是自爆。 我的假设看起来合理吗？还有其他我应该看的地方吗？如果是这样，是否在电路板上随意散布一些坚固的TVS二极管（在电源输入上和电桥输出端子之间）是解决过压情况的合理方法？我不确定是否要切换到制动电阻器类型的设置（这只是一个“很小的” 2.5A左右的12V齿轮电动机...）。 更新： 我在12V电源端子（SMCJ16A）上放置了1500W TVS 。这似乎将制动期间的过压钳位到了20V以下（这显示了电源电压；在MOSFET栅极和0V之间看到了相同的波形）： 它不是很漂亮，并且可能仍然太高（SMCJ16A的钳位电压在最大电流为57A时为26V，而我们的TC4428A的绝对最大值为22V）。我已经订购了一些SMCJ13CA，并将在电源上放置一个，在电动机端子上放置一个。我担心，即使有了强大的1.5kW TVS，它也不会持久。您会发现它似乎在80ms左右的时间内保持钳位，这对于TVS来说是很长的时间。也就是说，它似乎保持凉爽。当然，在轴上有实际负载的情况下……也许我毕竟可能正在实施开关制动电阻器解决方案。

9 mosfet  h-bridge  inductive  mosfet-driver 

我有一个工作电压为4.8V 的伺服器。我想从运行3.3V的MCU驱动伺服器。我还没有尝试过，但是想知道是否需要使用MOSFET或NPN晶体管将信号线驱动到4.8V。是否可以使用3.3V信号驱动4.8V伺服器？性能会受到影响吗？ 如果需要以4.8V驱动，应该如何连接？门显然到达信号（具有必要的电阻），但是如何连接伺服器的信号线？我应该将信号线连接到4.8V，将地线连接到漏极吗？我猜这行不通。这有可能吗？

9 microcontroller  mosfet  servo 

标题说明了一切：这个Mosfet符号是什么意思（两个二极管以Vgs相对的关系）？我知道它是一个N-MOS，但我不了解这两个二极管的含义/目的。 零件：AO7404 数据表链接：http : //www.aosmd.com/res/data_sheets/AO7404.pdf 符号图片（突出显示的部分）：

9 mosfet  schematics 

我的NMOS切换速度太快，无法适应我的应用程序。我正在向门中发送逻辑电平的方波（PWM）。对我而言，不幸的是，正如预期的那样，输出也是近方波。 如何使Vout更梯形？或以另一种方式说，我可以做的最简单的修改以降低输出的摆率？ 注意：（Vin）是施加在NMOS栅极上的电压＆（Vout）是在NMOS漏极上看到的电压。

9 digital-logic  mosfet  switches  analog  gate-driving 

我对MOSFET的选择有一个一般性的问题。我正在尝试为直流使用选择MOSFET。我希望用N型MOSFET代替5A 24V继电器。 MOSFET将由微型驱动，因此我需要逻辑电平门。微型是5v逻辑。 我将大量生产这些，因此成本是我的主要动力。 我遇到的大多数MOSFET在SOA曲线中都没有直流区域。例如，我可能正在寻找的是IRLR3105PBF。 数据表在这里 这是我看过的参数： VDSS Max = 55V，比我的24Vdc总线>>要好。 功率计算器-5A * 5A * 0.37mOhm = .925W（高，但我认为DPAK可以处理） 图1＆2-VGS @ 5V-> VDS = 0.3V @ 25C（但是图表20uS Pulse我希望这是DC？）VGS @ 5V-> VDS = 0.5V @ 175C（再次我希望这是DC？ ） 图8-查看VDS-0.5V（最坏的情况），它仅显示1V。1V可以高达20A，远远超过10mSec脉冲所需的电流。（实际上我对此感到困惑，我是否应该假设我将以1V的VDS来查看？） 但是接下来是我的主要问题，我想要DC在哪里寻找？ 这是一个不好的选择吗？（我感觉是因为它在数据表中没有提到DC）搜索Digikey时我应该寻找什么？ TLDR我应如何选择FET用作直流电？

9 mosfet  component-selection 

我已经读过《杀死我的MOSFET的原因》，它似乎呈现出与我的MOSFET类似的电路（我的次级也被中心抽头，并且有两个高速二极管整流成10R / 400uF负载） 变压器为12：1，我的电源电压在300mA时在10v至25v之间。 由于我认为雪崩击穿，晶体管正在发热。我使用了50V的设备，示波器显示的是〜200V的设备。在每种情况下，DS电压都会振荡直至击穿（如果电路中有足够的能量）。我想通过此电路推动10W，最好是100W。我意识到面包板对于100W设计不可行，但应该做10个。 振铃频率为2.x MHz。电源输入电容器不是低esr或特别高的值。

9 power  mosfet  switch-mode-power-supply 

我想了解漏极开路端口（例如8051微控制器的端口P0）的概念。为什么我们需要在端口P0上连接上拉电阻？ 我具有MOSFET和其他电子设备的基本知识。

9 mosfet  8051  open-drain 

我想使用PWM从微控制器驱动LED灯带来控制亮度。我的测试条在12V电压下大约需要1.5A电流。我只熟悉纯低功耗数字电子产品，因此想检查这些假设是否正确并获得建议： 如果我使用NPN晶体管来驱动该晶体管，则该晶体管在导通时将下降约0.7v，因此在导通时将耗散超过1W的功率。 这将需要一个相当矮小的晶体管和一个散热片，如果可能的话，我想避免它们。 因此，最好使用电阻低得多的mosfet，这样我也许可以摆脱较小的mosfet甚至没有散热片的困扰？ 但是，从各种MOSFET的规格来看，我可以买到它，看起来像任何能够通过此电流的器件都需要超过3.3v的电压，我可以从微控制器获得完全开启的电压。 那么，我最好让一个小的NPN晶体管将12v开关到mosfet的输入以控制实际的LED灯带吗？（很抱歉，我无法在这台计算机上绘制图表，但以后可以根据需要添加一个图表） 我的假设是正确的，有人有什么建议或更好的方法吗？我也对合适零件的推荐感兴趣，尽管这不是我的主要问题。 （编辑：我正在寻找其他能够回答此问题的帖子，但找不到与我想要的内容完全相同的东西，如果某人具有指向重复项的链接，请发布该帖子，我会很乐意结束问题）。

9 microcontroller  mosfet 

我有一个散热器，我想在上面放两个FET。我知道我必须对其进行绝缘，以便其上显示的金属不会连接并创建路径。是否有任何日常有用的材料？（例如塑料袋）我的包装是TO-247（irfp250 / 450），发现周围放了1个绝缘子，但两个都没有。那么，我需要在两个MOSFET上都放置绝缘子吗？

9 mosfet  heatsink 

我需要分析原理图，而我在这一部分遇到了麻烦： 关键是我对运放的输出完全不了解N沟道MOSFET的效用。谁能解释这个组件的目的？ 因为我认为，即使没有此晶体管也可以完成转换。

9 operational-amplifier  mosfet 

我认为，对于电流的CPU电源我和电压ü是我·U 。 我想知道如何从维基百科得出以下结论？ CPU消耗的功率大约与CPU频率成正比，并且与CPU电压的平方成正比： P = CV 2 f （其中C是电容，f是频率，V是电压）。

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