Questions tagged «mosfet»

用于开关和放大的跨导(使用电压控制电流)电子组件。金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。(摘自http://en.wikipedia.org/wiki/晶体管)

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需要帮助来理解和解释IGBT数据表
在电机控制方面,我了解我们可以选择使用分立MOSFET或IGBT。另外,市场上有一些产品将6个IGBT放在一个封装中,例如GB25XF120K。(这是来自Infineon的另一个示例部分:FS75R06KE3) 但是,在以下方面,我不知道如何将这种解决方案与使用6个分立MOSFET进行比较和对比: 切换速度 功耗(静态;相当于IGBT的I 2 * R DS是多少?) 功耗(开关) 冷却(为什么没有发布结至环境的热阻?)。 栅极驱动电路 另外,我在主题上阅读的所有资源都“推荐”高压(> 200V)IGBT,但它们并没有真正涉及到细节。所以我再次提出这个问题,也许有点不同:为什么我不希望将IGBT用于48V无刷直流电动机?

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用MOSFET驱动伺服
我正在尝试构建包含伺服器的小型电池供电设备。我希望能够关闭伺服器以节省电池寿命。之前我已经读过MOSFET可用于执行此操作,但是我很难找到足够详细的示例电路(缺少电阻值而无法计算),老实说我不太确定我使用哪种电路正在寻找(我以前从未使用过任何FET)。有人可以给我一些正确的方向吗? 可能相关的信息: 在mega88 @ 3.3V上运行的代码 4.8-6V伺服器直接连接到6V电池组中(我想对此进行更改)
9 mosfet  servo 

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PIC12F675 GP4不起作用
我正在为一个项目使用PIC12F675,除一件事情外,其他所有东西都工作正常。GP4不能用作数字IO。我已经看了很多配置和代码,但是找不到任何东西。 配置: #pragma config FOSC = INTRCCLK #pragma config WDTE = OFF #pragma config PWRTE = OFF #pragma config MCLRE = OFF #pragma config BOREN = ON #pragma config CP = OFF #pragma config CPD = OFF 码: #include <xc.h> #include <math.h> #include "config.h" #define _XTAL_FREQ 4000000 void delay(unsigned int …
9 pic  c  embedded  programming  audio  oscillator  spark  dc-dc-converter  boost  charge-pump  eagle  analog  battery-charging  failure  humidity  hard-drive  power-supply  battery-charging  charger  solar-energy  solar-charge-controller  pcb  eagle  arduino  voltage  power-supply  usb  charger  power-delivery  resistors  led-strip  series  usb  bootloader  transceiver  digital-logic  integrated-circuit  ram  transistors  led  raspberry-pi  driver  altium  usb  transceiver  piezoelectricity  adc  psoc  arduino  analog  pwm  raspberry-pi  converter  transformer  switch-mode-power-supply  power-electronics  dc-dc-converter  phase-shift  analog  comparator  phototransistor  safety  grounding  current  circuit-protection  rcd  batteries  current  battery-operated  power-consumption  power-electronics  bridge-rectifier  full-bridge  ethernet  resistance  mosfet  ltspice  mosfet-driver  ftdi  synchronous  fifo  microcontroller  avr  atmega  atmega328p  verilog  error  modelsim  power-supply  solar-cell  usb-pd  i2c  uart 

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为什么该电路不能工作于感性负载?
我正在使用类似的电路,通过相位控制对60 W交流风扇进行速度控制。与TRIAC不同,在周期开始时会向风扇供电。我认为这将使TRIAC控件中通常听到的开关噪声最小。 PWM为0到10毫秒。在低PWM中,MOSFET在感性负载下会发热很多,而在阻性负载下不会发烧。使用0.1 µF电容器和100或39欧姆电阻的缓冲器连接在MOSFET的源极和接地引脚之间。 我该怎么办?
9 mosfet 

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NMOS FET选择用于反极性保护
我正在研究反极性保护电路,类似于SLVA139:反向电流/电池保护电路的图2中的电路。这是我的电路: 由于可能的输入电压范围为5-40V,因此我的情况稍微复杂一些。大多数MOSFET的最大栅极-源极电压V GS似乎为20V,因此我需要在栅极上使用齐纳钳位电路(或非常大/昂贵的FET)。最大输入电流约为6A。 我想知道的是,在此配置中,哪些FET特性实际上很重要?我知道我绝对希望漏极-源极击穿电压BV DSS足够高,以在反极性条件下处理全部输入电压。我也很确定我要最小化R DS(on),以免在接地电路中引入任何阻抗。Fairchild AN-9010:MOSFET基础知识对欧姆区域的运行有这样的说法: “如果漏极至源极电压为零,则无论栅极至源极电压如何,漏极电流也将变为零。该区域位于V GS – V GS(th) = V DS边界线的左侧( V GS – V GS(th) > V DS > 0)。即使漏极电流非常大,在该区域,通过使V DS(on)最小也可以保持功耗。” 此配置是否属于V DS = 0分类?在嘈杂的环境中(这将在各种类型的电动机附近运行),这似乎是一个危险的假设,因为输入电源接地与本地接地之间的任何电压偏移都可能导致电流流动。即使有这种可能性,我也不确定是否需要在漏极电流I D上指定最大负载电流。随之而来的是,我也不需要耗散太多功率。我想我可以通过齐纳钳位V GS使其更接近V GS(th)来减少漏极电流/电压,从而缓解该问题? 我是在正确的道路上,还是错过了一些关键细节,这些细节会使我的MOSFET炸毁?


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5V ups电路振荡?
我正在尝试设计5V UPS。如果线路电压降至约4V以下,则应切换负载电源。电池电压可能在3.8至5V之间。我在LTSpiceIV中模拟。 我将使用mosfet来为电池供电,以避免肖特基电压降。但是,当线路电压接近4.4V时,电路开始振荡。实际使用中会不会有问题?另外,如何用mosfets代替其他肖特基呢?我认为tl431中运算放大器的高增益可能会引起振荡,但不确定。电路使用肖特基而不是电池之后的第一个MOSFET进行精细模拟。 我对此没有太多经验。所有建议将不胜感激。 我又添加了2个mosfets并获得了这个。线路电压循环时仍会振荡,但当我对V1使用固定的DV电压时,似乎仍然可以模拟。我想知道这是否是LTSpice怪癖,或者时间步伐太小,还是一个真正的问题。。。当线路电压降至4.21V以下时,电源切换至电池。

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MOSFET二极管设计
首先,我只是说我不是电气工程师。但是,我是一位在电路设计和设置方面有一定经验的嵌入式程序员(给我1和0,然后我可以让他们跳舞...但是Analog是黑魔法……)。 一些背景可能有助于了解此处的情况。我在业余时间工作,以当地技术人员的身份帮助当地剧院。很久以前,他们建造了一个钻机,该钻机已用于多个作品和特殊活动。钻机特别是在舞台上方的轨道上的铝制机箱,可以远程操作。该设备允许技术人员在演出进行时降低舞台上的道具。将道具简单地连接到系绳,并通过小型直流电动机将其降低到舞台上。电机仅在一个方向上运行-向下。然后,钻机会跳出舞台,并准备下一次使用。通过这种非常有趣的设计,可以将电动机取下并放回数次(已更换为不同的物品,钻机上没有足够的空间来存放所有物品)。 现在,我很久以前就设计了控制电路,从那时起,它们工作得很漂亮。但是,我终于有时间和金钱通过升级来帮助他们。在此过程中,我试图解决所有找不到正确答案的电子难题。 原始设计是连接到uC的DEAD简单... n沟道MOSFET(查看下图,但去掉A / B / C / D)。这一直在起作用。但是,每次在设备仍处于通电状态下插入电动机时,设备将完全重启。最初,我以为这可能是由于直流电动机线圈上的电流涌入所致,但是我不知道该怎么办,或者缺乏反激二极管。或更糟糕的是,uC正在发生某些事情。经过谷歌和这个网站的几次旅行后,我已经看到了一些建议,但是我无法确定哪个是准确的或最佳的解决方案。甚至更糟糕的是,我不知道如何正确调整任何这些组件的大小(对不起,帮助!)。 有关其他信息,所连接的电动机始终为3v-3.3v和1A才能运行。电机可以随时更改,因此在此我无法给出每个电机的属性的确切值(钻机必须对此视而不见),但始终满足这两个要求。电机也通过uC由PWM控制。 这是我看到的建议: 因此,让我们往下看。 建议使用“ A”来防止在电动机的磁场崩溃时uC闭锁。我...猜测是有道理的,不确定是否会帮助或伤害我。 “ B”是标准的反激二极管,用于在磁场崩溃时防止反电动势。这是放正确的地方吗?如果正确的话,如何调整二极管的尺寸? “ C”是一种双齐纳反激,也有人建议使用。这需要更多部分,所以我不确定这里是否有任何好处。 “ D”是压敏电阻,可防止涌入。插入电源后,是否可以防止uC重新启动?一种尺寸如何? 这些设计是否正确?我是否需要添加TVS以获得ESD?更重要的是,如果其中任何一个都是不错的选择,那么如何选择零件呢?我知道要在数据表中查找某些项目,但是大量其他信息只是帮我忙。重要的是什么而不是什么? 最后(我知道这是一个书集),我们已经在今年添加了最后一点。 这是导演的要求。他希望能够“丢下”某些物品,而不是使用系绳。为此,他目前的舞台手感很差,无法将相当大的磁铁连接到汽车电池。磁体规格为12V,0.66安培(apwelectromagnets.com的EM175L-12-222),保持力为110#(完全过大,但与安全有关)。我相信上面的电路将完成所需的工作。uC将沿线路发送1(MAG1 / MAG2,武装是安全的,也将是1),并且磁铁已通电。当我想“放下”时,我在MAG1 / MAG2上写了一个0,向相反的方向发送H桥,迫使磁铁将支柱推开(如果磁铁掉下,它会“粘住”)放置时间过长,会使支撑板磁化)。这种设计行得通吗?我是否需要从上方添加相同或不同的保护,因为当H桥切换时,该字段上的EM字段会更大吗? 我对此表示衷心的感谢。我希望我可以透露更多有关剧院,表演和其他信息的信息。但是,根据我的合同,该项目将禁止我在未经导演批准的情况下进行此类工作(正在努力!),我们将不胜感激,并且,如果获得导演的批准,我将尝试将您添加到展会手册中。 再次感谢您阅读MOSFET的故事,或者阅读更流行的标题《哈利·波特与二极管的囚徒》。 根据托尼的问题进行编辑: 电源来自一条A / C线,该线通过板载电源(Delta Electronics的100W,DPS-100AP-11 A)转换为12V,然后通过每个能够提供5A电流的线性稳压器分别转换为5V和3.3V( AZ1084CD-3.3TRG1通过Diodes Incorporated提供3.3v电源,LM1084ISX通过TI提供5v电源)。外部电缆没有屏蔽,主要由标准的2端子扬声器线组成(不幸的是便宜)。电缆长度从当时的钻机设置到几英寸到10'不等。

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带烟气的双N / P沟道MOSFET裸片
我建立了以下N-MOS和P-MOS推挽双MOSFET电路。其目的是通过3.3V微处理器控制某些外部LED。 但是,似乎存在一个问题,当如下图所示连接12V电压时,双MOSFET芯片“ SI4554DY-T1-GE3双N / P通道”导致可怕的烟熏死亡。 即使没有连接负载且MOSFET未切换(空转),也会冒烟。 据我在数据表中所见,没有超过任何限制(V [GS] <20V,V [DS] <40V)。 您能帮助您确定问题吗?谢谢! 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

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MOSFET驱动器上逻辑GND /电源GND的正确连接方法
我正在尝试使用IR21844 mosfet驱动程序构建半桥,我已经阅读了数据表和设计技巧以及本论坛中的一些主题。我仍然无法获得的一件事是逻辑和电源之间的单独GND引脚。 我从一篇文章中说:“ IR21844具有两种不同的接地,一种用于逻辑,另一种用于电源。从理论上讲,它们被允许悬空5伏,从而在逻辑和电源之间提供了某种隔离。” 我还通过研究称为Vs下冲的deisgn技巧97-3第2页第4段来确认这一点。 设计技巧97-3 我知道应该连接2引脚Vss和Com(因为这是一个非隔离驱动器),但是如何以及在何处? 我现在的建议是不要将它们连接至IC下的PCB,而应将Vss引脚连接至微控制器逻辑GND,并将Com引脚连接至较低的Mosfet源,并使2个GND在电池处汇合。 我附上我的示例电路原理图,该电路图已简化为仅显示必要的项目,请提供您的见解,如果我错了,请纠正我。 我也有疑问,是否如数据表所示,在引脚7(15v)和引脚3(Vss)之间是否需要电容器,但并没有解释。 IR21844数据表 提前致谢

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GaN脉冲操作
是否有人对微波GaN HEMT施加偏压和脉冲?我刚刚订购了10瓦S波段晶体管。我完全了解偏向测序。该应用是脉冲式的。我已经读过有关通过高侧开关对漏极施加脉冲以及通过捏紧栅极(Microsemi,Triquint等白皮书和博士学位论文辩护)来产生脉冲的知识。 有没有人尝试过任何一种方法。按重要性顺序:(1)上升/下降时间,(2)效率。我担心的不仅是串联电阻和漏极脉冲之间的无证影响。 我想要现实世界的经验。


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用PWM控制非常小的直流电动机?
我有一个非常小的直流电机(来自Walkman),我想通过微控制器控制速度。为此,我想串联一个MOSFET并将PWM信号施加到其栅极,以改变电动机的速度。 我测量了电动机的L&R = 4.7mH,11.5Ohm(Tao 0.41msec)。 从使用台式电源的电动机上进行的一些实验中,我可以看到它在0.2V电压至0.4V左右(这是我所要求的所有范围)内运行良好。 我为此使用的电源设置为1.8V(用于电路的数字部分),因此这使使用标准MOSFET有点困难,因为我无法提供栅极饱和所需的电压。我买了几个P沟道MOSFET像这样。 因此,即使我曾以为这种设置会起作用(Vcc->电动机-> FET-> GND),但我似乎无法在控制上获得良好的分辨率,而且电动机所获得的扭矩也没有达到我使用的水平从直流电源运行时获得。 我不确定是什么频率。我应该使用并且不确定要检查其他哪些参数才能使其按预期工作。任何帮助,将不胜感激。 *更新* 按照奥林的回答,我建立了他建议的电路。我使用了2N3904晶体管,180Ω电阻器和4.7nF电容并联。从PWM代码100(共256个)运行时,集电极电压已连接。Vcc为1.8V。
8 mosfet  motor  pwm 

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选择并偏置由微控制器控制的MOSFET,电流重要吗?
我需要为这里介绍的电路选择MOSFET时需要一些帮助,我本来是使用BJT设计的,但在这种情况下FET更具意义。 FET将由PIC24控制,该PIC24向FET发送逻辑高或逻辑低。我知道FET是电压控制的设备,但我想知道是否还需要最小电流来接通FET? 如果是这样,是否需要对FET施加偏置以使PIC24能够提供足够的电流来开启FET? 我对偏置FET也不是很熟悉,所以我也对内部经过预偏置的FET感到好奇,但是在Google上很难找到它们。您还能推荐其他资源吗?
8 voltage  pic  mosfet  fet 


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