电气工程

已关闭。这个问题需要更加集中。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗？更新问题，使其仅通过编辑此帖子来关注一个问题。 2年前关闭。 我设法设法做了一个小发明，主要由一个MCU，一些传感器和无线连接组成。我经历了制作初始原型的过程，然后设计了电路板并制作了SMD版本。它很小，效果很好。它还有一个很好的案例，我设法进行3D打印，然后盖上一个自制的硅胶套。我为自己制作了一个有趣的游戏，但它确实运行良好，每个人似乎都想要一个。我可以手工制作几十个，然后将它们卖给遇到的那个想要的人，但是如果我很快用完了怎么办？似乎有可能让我对这个想法感到有些恐慌，仅仅是因为我不知道从哪里开始。 我什至在哪里开始弄清楚如何将某物推向市场？是否有用于此类事情的标准资源库？我在EE SE上没有看到其他问题，完全可以问我要问的问题（大多数人都在寻找设计或产品建议，很遗憾，但是我已经做到了），所以也许这是完全错误的论坛（另一个提示：我不知道该如何标记），在这种情况下，我很乐意将其移动到更合适的位置。 其他相关信息：我在美国（NYC地区），可能对将产品运输到其他市场（欧洲，可能是亚洲市场）感兴趣。 我希望为以下问题寻求建议： 如何找到不同组件（PCB，将其焊接在一起，外壳等）的制造商？或者也许最好说我正在尝试寻找制造商的商店。 我应该拆分生产以防止IP盗窃吗？ 组装电路板的商店也对它们进行编程了吗？ 认证??? 市场营销和分销... ??? （我对如何开始这里有个不错的主意，但是总是欢迎您提供资源） 我完全想念的东西吗？ 我觉得我知道如何找到需要做的事情以及在哪里可以找到一般的商业建议，但是两者之间的鸿沟对我来说似乎是一片沼泽和神秘。

15 microcontroller  components  production 

热量通过传导，对流和辐射离开散热器。我被告知，黑色表面最适合辐射热量，因此许多散热器都是黑色的。但是它们也有散热片。大型散热器上有很多大型散热片。因此，对流似乎很重要。 那么，如果出于美学原因我必须将散热器涂成亮白色，会发生什么？当然，白色是反射热辐射的最佳颜色。那会像铝箔包裹的火鸡一样将热量反射回内部吗？有人可以猜测效率的损失或必要的补偿性评级提高吗？ PS家用散热器为白色。 PPS 散热器术语“材料表面处理”意味着什么？并没有完全回答。

15 heatsink  thermal 

关闭。这个问题是题外话。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗？ 更新问题，使其成为电气工程堆栈交换的主题。 3年前关闭。 使用Google进行搜索仅返回了第三方文档（例如，来自芯片供应商或大学的演讲）。是否有此类规范的主要文件，类似于USB？

15 specifications 

我一直在研究使用TVS和齐纳二极管的电路保护。 我在电路图中已经看到以下用于表示TVS二极管的符号： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我想第一个问题是TVS和齐纳二极管之间是否存在有意义的区别，答案似乎是：“它们的特性相似，但是它们的设计和测试规格以及预期的应用是不同的：齐纳二极管针对特定的和TVS二极管的电压精确度较低，其设计目的是分流（并承受）大功率瞬变。” 到目前为止，我对上述符号的印象是： 应假定是指齐纳二极管（除非另有说明）。 明确表示一个TVS二极管。 明确表示一个TVS二极管。 可能是指一对齐纳二极管，但可能是指单个TVS二极管。 这些合理的假设吗？ 我想，唯一一个持续遇到麻烦的时间就是使用TVS二极管而不是一对齐纳二极管。例如，使用TVS二极管，其击穿电压不精确，当电路需要“波形削波器”时，将产生可怕的结果。另一方面，如果打算在TVS上使用齐纳二极管，那么如果大功率瞬变不是常规操作的一部分，则可能永远不会注意到该差异，或者当齐纳二极管被油炸时，人们可能会很快注意到差异吗？ 还是对这种歧义的正确答案仅仅是：“是的，它们是模棱两可的。在您确定要使用哪个二极管之前，还没有准备好构建电路。”

15 diodes  zener  diagram  tvs 

已关闭。这个问题是基于观点的。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗？更新问题，以便通过编辑此帖子以事实和引用的形式回答。 4年前关闭。 我在听觉系统中遇到的感觉有点像GSM帧频音频突破-频率完全不同，但带宽相同。我过去偶尔会注意到-总是在每年的这个精确时间。 听起来很难描述，但也许像是叮叮当当的小铃铛，蹄子的刮擦（也许类似于Rangifer tarandus的那些），也许是遥远，深刻而回响的“ Ho ho ho”？ 有人告诉我，NORAD（北美宇航防务司令部）可能存在相关问题，并已 专门在每年的这个时候实施了正式的NORAD跟踪系统。 有什么线索吗？ 无论如何，圣诞节快乐。 ______________________________ 有人希望这篇文章能在遭受不可避免的命运之前存活几个小时。

15 interference 

背景 我正在尝试使用点火线圈系统产生一些相对较高的电压（> 200KV）。这个问题只涉及该系统的一个阶段，我们试图使该阶段的发电量达到40-50KV。 最初，函数发生器用于直接驱动MOSFET，但关断时间非常慢（函数发生器的RC曲线）。接下来，构建了一个不错的图腾柱BJT驱动程序，该驱动程序工作正常，但在下降时间方面仍然存在一些问题（上升时间很棒）。因此，我们决定购买一堆MCP1402栅极驱动器。 这是原理图（C1是MCP1402的去耦电容，其物理位置靠近MCP1402）： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 晶体管之初的目的是防止从我们的函数发生器中流出的负电压（很难配置且易于拧紧）到达MCP1402。由于这种粗略的安排，我们送入MCP1402的下降时间很长（1-2uS），但似乎存在内部滞后现象或防止其引起问题的原因。如果没有，而我实际上正在销毁驱动程序，请告诉我。数据表没有任何输入上升/下降时间参数。 这是物理布局： 蓝色的线连接到点火线圈，黑色的线连接到桌子上的接地条。顶部TO92是PNP，底部TO92是NPN。TO220是MOSFET。 实验 困扰该设计的问题一直是栅极线上的振铃和开关时间慢的结合。我们销毁了更多的MOSFET和图腾柱BJT。 MCP1402似乎已解决了一些问题：无振铃，快速下降时间；看起来很完美。这是未连接点火线圈的栅极线（在MOSFET栅极引脚的底部测量，绿色和白色电线插入上方）： 我以为那看起来不错，所以我插入了点火线圈。吐出了这个垃圾： 这不是我第一次在门口看到这个垃圾，但这是我第一次看到它。这些电压瞬变超过IRF840的最大Vgs。 题 捕获上述波形后，我迅速关闭了所有设备。点火线圈没有产生任何火花，告诉我MOSFET很难及时关断。我的想法是，门从振铃中自动触发并切断了我们的di / dt尖峰。 MOSFET的温度非常高，但是经过一点冷却后，用万用表检查了一下（栅极-源极与栅极-漏极之间的高阻抗，对栅极充电后的漏极-源极之间的低阻抗，对栅极放电后的漏极-源极之间的高阻抗） 。但是，驾驶员的车费却不及此。我卸下了MOSFET，只是在输出端盖了一个帽。驾驶员不再切换，只是变热了，所以我相信它会被破坏。 2 Ω2Ω2\Omega 到底是什么摧毁了驾驶员？我的想法是，大的栅极瞬态现象回到了栅极，并以某种方式超过了500mA的最大反向电流。 在驱动感性负载时，如何抑制这种振铃并保持其清洁？我的大门长约5厘米。我可以选择多种铁氧体，但老实说，我不想炸毁另一个栅极驱动器，直到有人可以向我解释为什么会发生这种情况。在将高感性负载连接到它之前，为什么不发生这种情况？ 点火线圈的初级线圈上没有反向二极管。这是一个有意识的决定，以避免限制我们的电压尖峰，但可能会误导您。是否将二极管的初级电压尖峰完全覆盖次级电压尖峰？如果没有，我很乐意将其放在上面，以避免需要更昂贵的1200V MOSFET。我们测得的漏极至源极电压峰值约为350V（约100nS分辨率），但栅极驱动器的速度较慢，因此di / dt较小。 我们提供可供选择的1200V IGBT（它们只是坐在我的桌子上）。它们会像驱动这种负载的MOSFET一样麻烦吗？飞兆半导体似乎建议使用这些。 编辑： 我刚刚进行了LTSpice仿真，将二极管放在初级上以保护MOSFET。事实证明，它破坏了电路的目的。这是将二极管跨初级连接之前（左）和之后（右）的模拟次级电压： 因此，看来我不能使用保护二极管。

15 mosfet  inductor  mosfet-driver  igbt 

我注意到MOSFET符号中有一个小二极管（或至少看起来像一个二极管）。这是否意味着我不必担心在使用一个电动机驱动电路的电路中使用二极管？我会使用二极管来防止反向电压用手转动电动机。

15 mosfet 

我正在上一门电子电路分析课，要求我给出一个1MΩ电阻的第三频段的颜色。我的答案是蓝色，以为可能是黑棕色蓝色（01 *1MΩ），但是自动测验说正确的答案是绿色（棕色黑色绿色）。 因此，我进行了一些研究，认为只有多个正确答案，而且我在几个地方读到电阻上的第一个频段永远不会黑（0）。为什么是这样？黑色的第一乐队还有其他含义吗？如果我知道其历史或背后的原因，那将真的帮助我记住它。 这个问题已经回答。为了进一步了解此处的答案和评论中提到的零欧姆电阻，我发现以下问题和解答很有帮助： 零欧姆和微欧电阻的用途是什么？ 零欧姆电阻公差？

15 resistors 

我正在使用OpenOCD，arm-none-eabi-gcc和gdb编程STM32 Cortex M0发现板（32F0308DISCOVERY）。我想知道是否有任何直接的方法可以通过SWD记录调试消息。我已经阅读了有关半主机选项的信息，但这似乎需要引入newlib或其他大型库。（只有64k闪存可用。）是否有更轻巧的方式来通过SWD记录文本，还是使用UART是唯一实用的选择？

15 debugging  swd  openocd  cortex-m0  gdb 

我是EE爱好者，我经常在项目中使用可回收零件。我碰到了一个连接散热器风扇的连接器，想知道它的名称。 谢谢您的帮助。

15 connector  identification 

为什么即使单位为法拉x欧姆，也要以秒为单位测量时间常数（RC）？ 这是为了满足我的好奇心，因为我没有太多运气来寻找答案。如果有人可以给我一个可靠的答案或向正确的方向发送我，我将不胜感激。

15 capacitor  resistors  time-constant 

在谈论过压或ESD保护时，我总是会看到此电路（此电路是同时实现还是仅实现一个？）： 但是，我不知道它是如何工作的。假设我在Vpin端输入了20V。 因此，Vpin的电位高于Vdd，因此电流流过二极管。但是节点Vpin上的电压仍为20V，IC仍为20V，这如何保护内部电路？此外，如果ESD事件将Vpin击穿10,000V，它将如何保护内部电路？ 最后，二极管D2是否在那里防止电压低于Vss，还是有其他目的？ 我曾尝试模拟此电路，但由于某种原因它不起作用。

15 diodes  protection  esd 

我非常熟悉用于驱动N沟道高端MOSFET的MOSFET驱动器IC上的自举驱动器的操作。此站点和其他站点详尽介绍了基本操作。 我不了解高端驱动器电路本身。由于良好的驱动器会推拉大量电流，因此在IC中存在另一对晶体管以将VH引脚驱动为高电平或低电平是有意义的。我看过的几个数据表似乎表明它们使用P通道/ N通道对（或PNP / NPN）。除去IC芯片的结构，我可以想象电路看起来像这样： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 似乎我们刚刚引入了递归问题。假设标记为“浮动”的节点可以是任意高电压，那么如何驱动M3和M4而不需要另一个驱动器来驱动该驱动器（依此类推）。这也假设高端驱动器最终由某种逻辑电平信号控制。 换句话说，给定任意高的浮动电压，如何通过来自芯片外的逻辑电平信号来激活M3和M4的推挽驱动？ 澄清点：我要问的特定问题仅与使用逻辑电平信号激活高端推挽自举驱动器有关。当高端电压相对较低时，我认为这是微不足道的。但是，一旦电压超过晶体管上的典型Vds和Vgs额定值，这将变得更加困难。我希望会涉及某种隔离电路。确切地说，电路是我的问题。 我认识到，如果M4是P沟道FET（或PNP），则无需其他自举电路。但是我在构想一个电路时会遇到麻烦，因为当外部晶体管来回切换时，该电路会为M4和M3生成正确的Vgs。 这是来自两个不同数据表的屏幕截图，显示了与我上面绘制的电路类似的电路。两者都不涉及“黑匣子”驱动器电路的任何细节。 从MIC4102YM： 还有FAN7380：

15 gate-driving  mosfet-driver  bootstrap 

当我在阿拉斯加时，我看到了一条高压线，但没有看到零线。 这是因为水在其旁边足够导电以用作中性水吗？还是仅仅是两个阶段。 我住的科罗拉多州，所有电源线的顶部都有两条中性线。

15 three-phase  transmission 

在购买了TC205海绵并将其与焊接站随附的默认海绵进行比较之后，我注意到TC205海绵相比之下非常薄！ 薄海绵是否用于其他用途？海绵上的缝隙是做什么用的？

15 soldering