电气工程

假设我在所有板上都有痕迹。它的长度的大部分为50密耳，但在一个短的地方，它缩小到25密耳以使其穿过狭窄的区域。尽我所能告诉我们，这对长度相同的25密耳线来说是更好的选择，而在其长度的百分之几缩小到25密耳的情况下，它仅次于50密耳的走线。 缩小范围是否有不利之处？奇怪的高频影响？EMI？显然，走线有很多可能的用途，包括传输功率，传输不同频率的信号，接地...那么在什么情况下这很重要？

12 pcb  trace 

在一个（暂定）新设计中，我想连接两个类似于LAN8270a的 100 Mbit / s以太网PHY，它们在同一PCB上以相同的接地平面（但电源不同）隔开几英寸。我可以选择其中一个PHY，但另一个可以嵌入到尚未指定的PCIe至以太网IC（也许为千兆位，但以100 Mbit / s的模式使用）中，因此该PHY认为存在一个真正的 100 Mbit / s以太网连接。 我可以使用以下 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 但我想在没有磁性的情况下达到同样的效果，以节省成本，避免头痛，甚至不惜耗电。 我可以想象一个RC网络，也许就像在本应用笔记中一样简单，是由于类似的问题而发现的。或采用衰减和低通进行工程设计，但这不会模拟这样的事实，即对于真实的磁性，当TX1P上有一个负脉冲时，TX1M和RX2M上有一个正脉冲。我不确定这是否会阻止某些PHY正常工作。 有什么迹象表明一个人有信心几乎可以为任何PHY工作吗？

12 ethernet 

我知道有人问过类似的问题标题，但我相信这并不能回答我的问题（我想不出更好的措辞来表达问题的方式）。 我对放大器究竟能使扬声器超载感到困惑，反之亦然。 许多吉他放大器扬声器的阻抗为8Ω。 如果我理解正确，那么不管放大器承受了什么负载，输出放大器（应该）都会输出固定电压信号输出。如果此步骤有误，请纠正我。 因此，如果有一个固定的电压信号（例如，+-15V，即摆幅为30V），并且扬声器的阻抗为〜8Ω（我知道它会随频率而变化，但是说它在这个数字附近），那么如何即使阻抗大致相同，瓦数也会随不同的安培组合而变化？电压随着功率放大器/扬声器组合的增加而增加吗？ 例如，具有8Ω扬声器的10W组合与连接到4个扬声器柜的100W放大器（以8Ω阻抗进行有线连接）（并行连接2对8Ω扬声器对），则100W明显更大。是100W放大器的输出电压更高吗？否则，如果保持电压和阻抗恒定，则如何增加功率？ 如果将10W放大器直接连接到4扬声器箱会怎样？会使放大器过载吗？或者只是更安静地播放？从理论上讲，如果电压相同且阻抗仍为8ohms，则功率应相同，即100W额定扬声器中的功率为10W。 如果是这样，那么这是真的吗：当我们说10W 8ohm扬声器时，我们的意思是它能够处理（P = V ^ 2 / R，V = sqrt（PR））〜9V的最大峰值电压。而对于100W的8ohm扬声器，它能够处理约28V的峰值电压？ 在什么情况下会伤害说话者？通过连接功率太大的放大器吗？但是那不是很多人推荐的东西吗？（放大器输出至少是扬声器额定值的2倍）。如果是这样，那么放大器的电压输出不是固定的吗？根据连接到哪个扬声器的不同而不同？（即使阻抗相同？） 在什么情况下会损坏放大器？通过连接过高的功率扬声器吗？那么，为什么我会看到这么多人在YouTube上发布1 / 2W吉他放大器的视频，这些放大器与额定功率大的4个扬声器堆栈扬声器或至少2个扬声器组合相连？

12 audio  amplifier  impedance  speakers  maximum-ratings 

RC滤波器的截止频率可通过以下公式获得： 1(2piRC)1(2piRC)1\over(2 pi RC) 这是一个带有2个变量的方程式。例如R = 100，C = 10的结果与R = 10，C = 100的结果相同。基于什么我应该优先选择另一个？

12 filter  components  low-pass 

我试图理解无线信道容量的概念。一些帮助，将不胜感激。 对于AWGN，信道容量的计算公式如下： C= 乙⋅ 升ö 克2（1 + 小号/ N） 位/秒C=乙⋅升ØG2（1个+小号/ñ） 比特/秒C=B \cdot log_2(1 + S/N)\text{ bits/sec} B =带宽。这是我不明白的。为什么它不是频率因素？对我而言，仅在系统更改频率的情况下才考虑带宽。 带宽是较高和较低频率范围之间的差异。好吧，如果我使用固定频率信号怎么办？Fupper和Flower将具有相同的值，对不对？那是不是意味着B = 0？那么固定频率的信号不能传输任何数据吗？我们知道事实并非如此，AM电台做到了。那我想念什么呢？ 根据此公式，固定频率信号无论在高频还是低频下都将具有相同的性能。这对我来说毫无意义。例如，假设我的带宽为1Hz，固定频率为1Hz。将此与2.4GHz频率下1Hz的带宽进行比较。显而易见，与仅1 / s相比，我可以将更多位填充到2.4 x 10 9个周期/秒中。但是根据这个公式，我不能。请帮忙。 分数差异呢？波形本质上是模拟的，因此我们可以有一个1Hz的信号和一个1.5Hz的信号。同样在高频范围。说2.4GHz减0.5Hz。在1到1.5之间有无限的空间。1Hz和1.001Hz不能用作两个单独的通道吗？在实用性方面，我意识到这将是困难的，几乎不可能用现代电子设备来测量这种差异，尤其是在添加了噪声的情况下，但是从纯理论上讲，您可以有两个通道。因此，从这个意义上讲，两个频率之间不应该有无限的带宽吗？还是仅以1Hz整数增量计数？

12 rf  wireless  signal  capacity 

跟进我之前的问题。 我正在设计一种由5V电源供电的产品，该产品可将其馈入TLV1117LV33 LDO。该项目的典型电流消耗小于500mA，但该稳压器便宜且稳定，带有陶瓷输出帽，因此到目前为止我还是喜欢的。无论如何，在上一个问题中建议我在Vin线上放置一些ESD和瞬态保护，这对我来说很有意义，因此我考虑的解决方案是串联PTC多熔丝，然后再使用标准的单向TVS二极管地面。 但是，我看过的所有二极管（例如Littelfuse SP1003，Vishay GSOT05C）都具有很高的钳位电压。我知道这是标准的，即TVS二极管的最大钳位电压将大大高于其最大反向隔离。我还知道，较低的钳位电压和较低的动态电阻被认为是TVS二极管的品质因数。 但是，我的调节器的安全工作输入范围高达5.5V（绝对最大6V）。这些二极管具有5V反向隔离，通常在1A时约为7V钳位电压（在30A时约为12V）。那会很容易炸我的调节器！我见过的器件具有较低的钳位电压，但是当我说“更低”时，我的意思是10V而不是12V（在30A时）。我如何降低钳位电压，以便在5V电源轨（或类似的东西）上出现电感性瞬变时，稳压器能够幸免？ 像MOV之类的设备似乎具有更高的钳位电压，据我所知，这不是一个出色的解决方案。我也听说过有关多级ESD保护的信息，但是没有关于如何做的建议。我在想什么吗？

12 power-supply  esd 

如何为MOSFET建模栅极电容和米勒电容。施加栅极电压时，两者的行为如何？

12 mosfet 

我正在尝试根据此模型设计BJT放大器： 当beta参数可能在100到800之间变化时，基极和发射极之间的电压等于0.6V（有源模式），Vt=25mVVt=25mVV_t = 25 mV并且可以忽略早期效应。 也可以假设旁路电容器只是充当AC的短路和DC的开路。 存在三个约束： 静态功耗<25mW； 6Vpp的输出信号摆幅 对于beta处的任何变化，集电极电流的最大误差为5％ 我已经证明集电极和发射极之间的电压为3.2V（使用信号摆幅信息），但是我不知道下一步该怎么做。 编辑： 导致：VCE=3.2VVCE=3.2VV_{CE} = 3.2V 输出信号摆幅产生的上限为+ 3V，下限为-3V。放大器将截止或饱和。而且，该电路是线性系统，这意味着可以使用叠加定理。在任何节点上，电压将是极化（DC）电压和信号（AC）电压之和。因此，使用信号摆幅并假定对称输出（和V Ë处于colletor和发射极的极化电压）：VCVCV_CVEVEV_E Vcmax=VC+3V=VC+vomax=VC+IC∗RC//RLVcmin=VC−3VVcmax=VC+3V=VC+vomax=VC+IC∗RC//RLVcmin=VC−3VV_{cmax} = V_C + 3V = V_C + v_{omax} = V_C + I_C * R_C//R_L\\ V_{cmin} = V_C - 3V 第一个方程式表示（截止条件，无电流流入晶体管；i R C = i R L）并使用第二个方程式（假设最小集电极电压为V）E + 0.2 V导致饱和）：IC∗RC//RL=3VIC∗RC//RL=3V I_C * …

12 amplifier  bjt 

其他人有四条腿，这对我来说很有意义，因为可以共享地面。 六脚RGB LED 的许多示例之一是Kingbright KAF-5060PBESEEVGC。

12 led  rgb 

USB充电器产生的电磁干扰可能导致移动设备上的触摸屏出现故障，并出现诸如灵敏度降低或伪造触摸之类的症状。例如，请参见http://forum.xda-developers.com/showthread.php?t=1784773。 从电气角度来看，USB充电器的EMI如何导致电容式触摸屏出现故障？我可以理解EMI如何导致无线电通信失败，但我不知道它将如何导致触摸屏故障。

12 usb  emc  touchscreen 

我正在设计用于洗衣机电机的交流开关。不需要速度控制，仅需一个开关即可将电动机打开10秒钟，然后关闭10秒钟。我正在使用MOC3063零检测双向可控硅驱动器和BT137-600E双向可控硅。MOC3063数据手册中建议使用此电路（我将双向晶闸管更改为BT137）： 我凭经验找到了电动机的型号： 我尚未实现此设计，我正在使用电路模拟器对这些值进行实验。我使用以下电路查看了没有缓冲的情况（为简单起见，双向可控硅已被开关所取代）：（在图像链接的开头添加http :） 开关在160ms后断开。仿真结果显示250000V尖峰！： 现在，我将电路与缓冲器一起使用： 从同一位置获取的电压显示： 因此，很明显，缓冲器将电压峰值从250000伏降低到2000伏。dv / dt约为40v / us，低于双向可控硅额定dv / dt的50v / us。 问题1：我通过将尖峰的最大电压除以尖峰达到最大值所需的时间（〜2000v / 50us）来计算dv / dt。这个对吗？根据计算斜率的部分，我可以得到更高或更低的值。我获得的dv / dt是否可靠？ 问题2：假设我在问题1中正确获得了dv / dt，双向可控硅现在可以处理dv / dt了，但是它能够处理2000v的尖峰脉冲吗？有击穿电压吗？除了600伏的“重复峰值关态电压”外，我在数据表中什么也看不到。双向可控硅在关断状态下一次可以处理的峰值电压是多少？ 问题3：仿真显示，几乎所有振铃尖峰电压（2000v）都出现在缓冲电容器上，而缓冲电阻器仅出现20伏（振铃）尖峰。我应该使用哪种电容器来处理该电压以及额定电压是多少？600v的电容可以处理一次尖峰吗？ 问题4：电阻上的功耗如下所示（记住，一旦三端双向可控硅开关关闭，它将保持关闭10秒钟）我应该使用哪种电阻（它可以处理的功率）？我是否需要使用碳复合电阻器（通常用在缓冲剂中）还是普通的碳膜电阻器就足够了？ 问题5：如果将10nf缓冲电容器替换为100nf电容器，将会发生什么？如果这样做，电压尖峰将下降到接近600v（请参见下图），并且在所有参数（dv / dt，尖峰电压，电容器电压）方面我都处于安全状态。那为什么不使用100nf呢？为什么MOC3063的数据表中建议使用10nf的电容，而使用100nf的电容却显示出更好的性能？ 很抱歉发布了很长的帖子和许多问题。但是我真的需要了解这一点。

12 triac  snubber 

我一直想知道只有一根电线（信号线和地线）如何使整个彩色图像出现在充满数千个像素的屏幕上。这些信号如何工作，什么特性使电视节目呈现出不同的效果？

12 video 

假设我们有一条400 kHz的I 2 C总线。有一个主设备和一堆从设备。我们想引入一个从属设备，但不幸的是，它只能达到100 kHz。 显然，可靠的设计选择是： 只需以100 kHz运行该总线 为400 kHz和100 kHz外设使用单独的总线 但是问题仅在于黑客：如果我们使用一条总线，以400 kHz的频率寻址400 kHz的设备，并且在与100 kHz的从设备通话时将总线切换到100 kHz，该怎么办？ 还是较慢的从机可能会由于错误地认为正在解决而在I 2 C线上看到的400 kHz哈希行为不当？ 我们是否可以依靠100 kHz器件来仍然能够很好地处理400 kHz I 2 C信号，以可靠地忽略发往其他从站的消息？

12 i2c 

我正在使用ACS712 + -5A来测量直流电流，但我的电流从未超过1A。这会导致传感器分辨率下降，因为它的测量值从未超过1A。 对我来说，以较高的分辨率（〜1 mA）测量低电流值有哪些选择？理想的是ACS712的1A或2A版本，但不幸的是它们不存在。应该隔离。

12 sensor  current 

这是基本的RC微分器的电路，具有输入/输出电压波形。 首先，我不明白为什么只要电源仍然打开，输出电压就会降低（电容器的电荷放电）。 其次，我不明白为什么电阻两端的电压会降至负值。 我知道这是一个简单的问题，但请帮助我理解此基本电路-谢谢。

12 theory  passive-networks