光电晶体管跨阻放大器
我有一个典型的NPN光电晶体管。我让它在公共收集器配置下工作;参见本应用笔记的图2 。 增加Re会增加灵敏度,但会降低速度。我研究光电晶体管已有几天了,我认为跨阻放大器可以在不牺牲速度的情况下为我提供额外的灵敏度,因为我不再需要重新加载发射极了。 但是,我似乎找不到简单的实现。绝大多数应用笔记都描述了光电二极管。与光电二极管不同,光电晶体管需要偏置,并且讨论使用光电晶体管的少数应用笔记假设其跨阻放大器中存在负偏置电压。我需要一种与单电源运算放大器一起使用的解决方案。 跨阻放大器的同相输入上的虚拟接地是否会正确偏置光电晶体管?通常,虚拟地在VCC和GND之间,但我认为并非必须如此。我的光电晶体管饱和电压为0.15V;给定VCC = 3.3V,这是否意味着我的虚拟地可能在〜3V? 有没有更好的方法来设计该电路?我希望输出尽可能靠近GND,因为可能会有第二级放大器。 编辑: 有关该应用程序的更多详细信息。我正在感应光线水平;低,非常低,然后关闭。环境光没有问题,因此我不想过多地关注这个问题的光电晶体管方面。感兴趣的带宽约为1-10 kHz。普通收藏家几乎可以工作;我在保持所需带宽的同时将Re提高到可以达到的最高水平,但是我仍然希望Re大约大2倍,这会导致信号过慢。