Questions tagged «bjt»

下面的电路尽可能简单，但是却不像我期望的那样。V3是进入晶体管基极的3.3Vpp方波，因此我希望看到当V3为低时V_Out为高，反之亦然。基本上是一个反相电路。 更重要的是，我希望该电路足够快以跟上400 kHz方波的速度。2222的输入端可能有25 pf的电容，这给R2提供了25 ns的时间常数。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 但是在仿真中，我看到V_Base在V_In的下降沿上花了一些时间作出反应： 不幸的是，这似乎使V_Out的开启时间比我想要的更长。请参见针对V_out绘制的V_In（请牢记反转）： 我可以通过降低R2或R3并加快电路速度来改善“伸缩性”，但是从一阶的角度来看，我不知道为什么必须这样做。我也不明白为什么只有一个边缘慢。Q1的基极-发射极电容不能解决这个问题，对吗？我缺少二阶效应吗？ 附言：我知道在基极晶体管小于发射极晶体管的情况下，有一个公共发射极电路是很奇怪的。让我们将此称为学术练习。

9 switches  bjt 

下面的电路应从MCU_LS12上的MCU接收3.3V信号，并输出12V高端信号。 输出始终为12V。在对输出晶体管的基极进行范围界定时，并未“足够”地接地-仅将12V升高至11.5V。 我想念什么？LS12上的输入信号来自MCU，为3.3V，以50％方波发送以进行测试。为什么Q6不会将Q8的基座接地？我可以改变什么？是分隔线吗？

9 transistors  bjt  biasing 

我在参考电路中发现，当BJT用作饱和模式的开关时，负载始终在集电极上。对于NPN，发射极接地，对于PNP，发射极接地，如下所示： 为什么负载总是集中在收集器上而不是相反？ 由于晶体管仅用作开关，是否还可以使用FET代替BJT？ 如果使用BJT来复用多个7段显示器，则所有7段的电流都应流经晶体管。那么，当在饱和模式下每7段单元使用分立晶体管时，不同晶体管的不同电流增益值是否会导致7段显示器的亮度差异？

9 transistors  switches  bjt  fet 

该MIDI规格提出了一种快速开关二极管，以保护光耦的LED免受ESD可能超过其反向电压： 但这是唯一使用的二极管。如果可以用电路中其他地方已经使用的某些组件替换BOM，则可以简化BOM。那么，为什么不使用通用晶体管的PN结呢？ 与1N4148相比，2N3904具有较小的反向击穿电压，但是在本应用中这无关紧要，因为LED钳位了这种电压。其他参数，例如电容或最大电流，也是可比的。这样看来，晶体管可以工作了，不是吗？ 以及应该使用哪个结，基极/发射极，基极/集电极或同时使用两者？以及如何处理未使用的结？

9 diodes  bjt  protection  esd  hacking 

想要改善这篇文章吗？通过编辑帖子，添加来自知名来源的引用。带有未来源内容的帖子可以被编辑或删除。 使用BJT，我们可以使用Vin（从图中）控制基本电流。为什么当改变电压可以控制流过集电极的电流时教科书为何指出BJT受电流控制？

9 bjt 

因此，这就是我的H桥： 每次在一个方向上开始使用它时，属于使用方向的P沟道MOSFET和NPN BJT就会在几秒钟内消失。被杀死的MOSFET和BJT发生短路，因此我不能再使用其他方向了。他们死了没有明显的热量或烟雾！ 该控制器是一个典型的控制器，仅N沟道MOSFET由PWM信号驱动，P沟道连接至简单的数字输出引脚。数字引脚9和10的默认PWM频率为490Hz（每个PWM输出都是单独的）。我已经杀死了4-5个P沟道MOSFET + BJT对，这可能会在两侧发生。（这取决于我首先使用哪个方向。）电动机是12V汽车雨刮器直流电动机，电源是12V 5A。已连接12V和5V电源接地。 有两件事可能是正确的，但是由于我没有进行全面测试，因此我不确定100％： 在以前的版本中，我为R7和R8使用了1k电阻，但没有任何问题。我将再次尝试，但现在我在P沟道MOSFET上的电量不足。 当我切掉油炸的MOSFET + BJT对时，我可以使用其他方向，而不会杀死其余的MOSFET + BJT对。 请帮助我，这是怎么回事:) 我是否应该在NPN BJT和P沟道MOSFET之间使用电阻？ 我应该使用2n7000 MOSFET代替2N2222 BJT吗？ 更新：我刚刚用12V 55W灯泡而不是刮水器电动机测试了H桥。在测试期间，P-FET和NPN被杀死。N通道侧由40％PWM信号驱动。没有负载，它没有任何问题。 UPDATE2：我将R7和R8从150R改回了1k。现在，网桥可以再次正常工作，而没有任何组件出现故障。（我已经运行了好几天，但是使用150R电阻器仅能恢复故障几秒钟。）我将按照Brian的建议在GND和+ 12V之间的电桥上添加一些去耦电容器。感谢大家的回答！

9 mosfet  bjt  h-bridge 

他们甚至如何工作？我正在读高中，并且将电子学作为主题。我真的很想了解这一点，并在大学学习电子学。但是现在，由于我对“晶体管的工作原理”及其在“电路中的实际应用”的理解有限，这似乎是一个遥不可及的梦想。我已经在线阅读了许多指南，并在完成阅读之后，觉得自己已经学到了很多，但是当我开始研究TTL NOT门（IC 7404）和其他一些指南（例如7402、7400）时，这是其中的一部分我的课程是基于晶体管的工作原理的，我什么都没得到！有时将发射器用作输入，有时将其用作输出，我觉得课文中的某些句子（关于IC的工作）与我在其他指南中学到的相矛盾。我觉得那里 有人可以指出一些可以填补这一空白并启发我的文章吗？ 更新：我想了解他们在应用电路中的工作。关于“理解的深度”，我知道电子和空穴在晶体管的工作中起什么作用。

9 bjt  transistors 

在BJT偏置中，计算中始终存在电压Vbe和Vce。是因为集电极，基极和发射极之一接地还是由于任何其他有关半导体理论的原因，所以方程式中没有电压Vbc吗？

9 bjt 

我正在将TIP120（达林顿对BJT）用于我的项目。我有VCË（š 一吨）= 1 伏VCË（s一个Ť）=1个VV_{CE(sat)}=1V， 一世C= 2 安一世C=2一个I_C=2A， V乙Ë= 2.5 伏V乙Ë=2.5VV_{BE}=2.5V 和 一世乙= 0.005一世乙=0.005I_B=0.005A，这使我的总功耗为： Pd=VCË（š 一吨）∗一世C+V乙Ë∗一世乙≈ 2 w ^Pd=VCË（s一个Ť）∗一世C+V乙Ë∗一世乙≈2w ^P_D=V_{CE(sat)}*I_C+V_{BE}*I_B \approx 2W 当我查看组件数据表以检查绝对最大额定值时，给出了两个功耗值：一个在65W（@ŤC= 25 ° CŤC=25°CT_C=25°C）和2W（@），如下图所示：Ť一个= 25 ° CŤ一个=25°CT_A=25°C 所以我的问题是：两个值之间有什么区别？和什么区别？Ť一个Ť一个T_AŤCŤCT_C 抱歉，如果这是一个常见问题，我到处搜索以尝试回答该问题，但是当我想了解电子数据表中参数的用途时（如果有最常用的术语表，则搜索引擎不是很有帮助）在某处的数据表中找到的参数，并且有人链接，我非常乐意使用它！）。 我怀疑出于某种原因我应该使用第一个值，但是鉴于我计算出的值实际上与第二个值相同，因此我不想冒任何机会破坏我的未来设置，从而使所有魔幻烟雾逃脱了...PdPdP_D 谢谢！

9 bjt  darlington  power-dissipation 

在其他问题中，一些声誉卓著的成员对此表示不同意见，所以我认为我将其作为一个单独的问题发布。 问题： 该电路中的NPN BJT是否配置为共发射极或共集电极？ 请注意，也许不寻常，S +节点为地，S-节点为输出。“ S”在这里代表意义，但就目前的目的可以解释为。VoutVoutV_{out} 这是直流台式电源电路的一部分，在块级看起来像这样。注意，运放外观符号代表整个放大器，而不是LF411运放： 将运算放大器抽象为信号电压源，我相信这两个都是观察电路的备用布局。我特意将它们布置成分别让人联想到经典的公共发射器和公共收集器（发射器跟随器）的形式。 我不想破坏任何人的乐趣，所以我的结论在下面的破坏者栏中。用鼠标滚动查看是否喜欢。这是我最好的结论。我的脑子里仍然有些怀疑：) 普通发射器，更具体地说是接地发射器。BJT增加了与负载电阻成比例的电路增益。 答案应说明得出结论的理由。我认为像这样的难题的很酷的特征之一就是它迫使人们去挖掘形式上的本质，而不仅仅是以经典形式来认识它:)

9 power-supply  amplifier  analog  bjt 

我正在尝试使用来自MCU的信号切换12V（最大30mA），而我希望该信号处于低电平有效状态（因此，当控制信号为0V时输出电压为12V，而当控制信号为5V时输出电压为0V）。 由于我手头有很多双极晶体管，因此我正在寻找使用双极晶体管的解决方案。对于高电平有效信号，我在此站点上找到了一个似乎完美的答案，并且似乎可以通过添加另一个PNP晶体管使其适应低电平有效信号： 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 但是，似乎很简单的3个晶体管似乎有点过分。有更好的解决方案吗？

9 switches  bjt  12v  5v 

当我偶然发现使用BJT而不是普通MOSFET的电平转换器电路时，我正在读Amitava Basak 的《模拟电子电路和系统》一书。请参见下图。请忽略晶体管型号。 我对中间的NPN晶体管Q2感到困惑：它总是关闭吗？ Q5以二极管模式连接，其Vbe固定为0.7V 将Q2 Vbe加R2中的压降后应再次提供0.7V 以上暗示Q2的Vbe小于0.7或R2上的电压降为零。 舍弃R2上的零电压降，导通的晶体管怎么可能具有低于0.7V的基极至发射极电压？

8 bjt  level-shifting 

我目前正在上模拟电子课程，这是出现的问题之一： V 1 = 15V V 1 = 15V, Ueb = Ube = 0.6V, Uce(sat) = 0.2V, β =200, VT = 25mV, R2 = 39Ω, R4 = 4.7kΩ, R5 = 470Ω 我被要求找到R1，R3和R6的值，以使Q2和Q3的静态集电极电流都为8 mA，并且在不存在输入信号的情况下Q2的集电极处于电势V1 / 2（做什么这告诉我吗，因为我仅在此处进行直流分析，甚至还有意义吗？）有没有遵循的常规步骤？我对两个晶体管进行了类似的分析，始终需要做的是找到每个晶体管的Ve，Vc和Vb表达式，并通过比较它们来假设其工作于哪种模式。但是在这里，我遇到了一个矛盾，即Q2似乎处于线性模式，因此R6 =（V1 / 2-V1-0.7）/ 8mA <0。我希望我不要问的问题太广泛。我并不是要寻求解决方案，而只是告诉我进行这种分析的方法。 编辑：尴尬的是，我现在才注意到，实际上，在我看来，作为Q1的收集器和q3的基数之间的一个节点不是一个。仔细观察就能知道。

8 transistors  analog  circuit-analysis  bjt 

我正在阅读凌力尔特公司（Linear Technology）的AN70应用笔记 ，在图40上有一部分我不了解的电路。 它看起来像一个BJT直通晶体管稳压器，但是它使用一个BJT的基极和发射极短路，而不是使用齐纳二极管作为参考。 我唯一的想法是以某种方式使用反向传导的CB二极管作为参考电压。 谁能解释它是如何工作的？

8 voltage-regulator  bjt 

我只是想了解更多有关此电路的知识，以了解它是如何进行更深入的分析的。我知道有一种差分放大器和一个用于稳压的稳压二极管连接到分压器。（如我错了请纠正我）。 在Proteus 8模拟中我无法从Vo中获得任何电压是怎么回事？（模拟文件）

8 transistors  amplifier  bjt  differential