Questions tagged «mosfet»

（来源） 我通常会看到Buck电路模型，其中使用MOSFET而不是续流二极管。我从Buck拓扑中了解到，当上MOSFET关断时，下一个MOSFET导通或关断都无关紧要，因为电流将从地流过体二极管流到电感。 那么，为什么他们要使用第二个MOSFET？MOSFET通常比二极管贵，不是吗？这不是过度杀伤力吗？还是以某种方式使电路更好？

12 mosfet  switch-mode-power-supply  buck 

我有60个LED装在一个LED灯带中。一米长的LED灯条需要满足以下条件： 400毫安 12伏 我想用微控制器控制这些LED。我正在考虑使用TIP120和raspberryPi。 甲树莓派GPIO管脚可以输出连续50毫安。（更新：这是不正确的，请参见下文） 我是一个初学者，不确定执行正确的方法。我所有的计算都是基于我在此博客上阅读的内容。 数学 基本电流： TIP120的集电极电流为lc = 250 * lb，因此我需要1.6 mA的基极电流。 （1.6mA * 250 = 400） raspberryPi的Base current应该没有问题 基极电阻： 我需要一个足够低的电阻，以确保TIP120基极保持饱和，但保持低于50 mA的电流，以免使raspberryPi过载。 根据我提到的博客，我通过查找Vbe（sat）来找到基本电阻。见图2。 在x轴上Vbe（sat）为400的情况下，集电极电流在y轴上约为1.3。 如果raspberryPi输出3.3伏，则压降为2伏 （3.3-1.3） 因此，根据我的计算，我需要一个4到40欧姆之间的电阻R = V / I 2 /（0.05 A）= 40欧姆 2 /（0.50 A）= 4欧姆 （更新：不正确，请参见问题底部） 我仍然认为自己是业余爱好者，我有点不知所措。 这些计算看起来正确吗？ TIP120可以工作吗？（欢迎其他任何建议） 原理图还有其他考虑因素吗？ 更新资料 正如答案中指出的那样，我将毫安额定值打错了10倍。我应该说： 2 /（0.005 …

12 microcontroller  transistors  mosfet  raspberry-pi 

在所示图片中，是否可以基于“控制”将“输出”控制为0V或12V？ 连接方式将成为漏极和源头吗？

12 switches  mosfet 

我正在尝试减少P沟道MOSFET高侧开关的功耗。所以我的问题是： 有什么方法可以修改该电路，以便无论负载如何，P沟道MOSFET始终处于“完全导通”状态（三极管/欧姆模式）？ 编辑1：请忽略开/关机制。问题仍然是相同的：我如何始终保持V（sd）尽可能最小（P-MOSFET完全导通/欧姆模式），而与负载无关，从而使MOSFET的功耗最小。 编辑2：开关信号是直流信号。基本上，电路取代了开关按钮。 编辑3：电压开关30V，最大电流开关5A。

12 transistors  mosfet  switches  pmos 

我已经在每个帖子中搜索了此问题的答案。我已经建立了一个电机控制器电路，如下图所示。 我使图表尽可能准确。添加了mosfet上的二极管，以使mosfet符号看起来像数据手册中的符号一样。 如您所见，它是使用Arduino UNO板的非常简单的PWM电路。电位器脚踏板连接到模拟输入之一，用于确定数字输出引脚6上pwm输出的占空比。 该电机是Motenergy生产的此类最小的48v电机，但是与我已经看到的其他电路相比，这是一个非常大的电机。在启动时，它可以轻松拉出约200安培的电流。 电路的工作原理-抬起车辆使车轮不接触地面。在这种状态下，电动机很容易旋转，并且不会消耗太多电流。当轮子在地面上时，当您开始踩踏板时，mosfets会爆炸。我现在已经建造了大约4次该电路。我什至在一个版本中并行使用了18个mosfet，所有18个mosfet都立即爆炸。（200/18 =大约7安培/ mosfet）每个mosfet应处理32安培。 我们最终只是从alltrax处购买了一个电动机控制器，车辆运行良好，但我决心找出为什么我自己的电动机控制器不起作用。我热爱电子产品，多年来建立了许多困难的电路。除非我发现自己做错了什么，否则我将无法入睡。 我与Alltrax的技术人员进行了交谈，他说他们的控制器不过是一堆mosfet和电容器而已。他说，电容器可以防止mosfets爆炸，但是他不知道它们如何连接到电路中。我认为他有我遗漏的信息。 所以，谁能告诉我我在做什么错？我应该如何添加电容器来解决此问题？可能是频率吗？我们在Arduino上修改了计时器，使我们的PWM频率大约为8000赫兹，但是Alltrax控制器的工作速度却惊人地达到了18,000赫兹。我知道18k随着电动机控制器的发展而变小，但我认为巨型电动机会希望使用较小的频率。 另外，在您说mosfet由于它们之间的细微差别而不能并行布线之前，我恰好使用了7英寸的18号线来并行连接每根。细电线将充当微小的电阻，并确保每根电线均分担电流负载。 多谢您的回覆。

12 mosfet  pwm  dc-motor  high-current  high-power 

如何为MOSFET建模栅极电容和米勒电容。施加栅极电压时，两者的行为如何？

12 mosfet 

我正在尝试通过MOSFET（BS170）控制12V DC电磁阀，该MOSFET从Arduino微控制器接收其控制信号（5V）。这是基本原理图： 当我测试MOSFET时，将一个带有1.5k欧姆电阻的LED作为负载（见图），它可以正常工作，并且我可以用5V信号控制12V电流，而不会出现问题。 但是然后我连接了电磁阀而不是LED。它会工作几秒钟，然后停止工作，并且无论5V控制引脚的状态如何，MOSFET最终都会永久导通电流。 MOSFET永久性损坏，因为当我再次连接LED时，它不再起作用。 电流太大？但是，当我在阀前添加电阻时，它不再工作了……也许我需要更重的MOSFET /晶体管？

12 arduino  mosfet 

使用N型MOSFET，当在栅极上施加足够高的电压时，可使电流从漏极流过源极。使用P型MOSFET时，电流应流向哪个方向？是从源头经过漏极还是从其他方向转向周围？谢谢

11 mosfet 

我有一个具有的线圈电阻的螺线管0.3 欧0.3Ω0.3\Omega和这里加速的钢弹。我已经在下面发布了原理图。 普通版本作为控件 当光学传感器检测到弹丸时，GPIO8升至5V以接通MOSFET并关闭MOSFET。而且效果很好。 接下来，我尝试了10个串联的超级电容器。我将其充电至27伏。 版本1 当我给电路加电时，将电容器的地线连接到MOSFET的地线时会产生火花。门和源电路应该已经断开，因为当我第一次连接它时，GPIO8为0v。 经过一些故障排除后，我发现我杀死了MOSFET。 我相信有2种可能性在起作用。首先，MOSFET上的寄生电容有可能引起振荡，从而引起电压尖峰。我添加了R2，以略微增加下降时间，从而减少电荷。在此处观看视频（跳至4:00） 不仅寄生电容会引起振荡，而且另一个因素是我实际上在这里有一个RLC电路。我的负载是一个螺线管，我的电源是我的超级电容器。因此，我添加了D2，以便它不会开始来回循环。我还用新的MOSFET替换了。 版本＃2 然而，发生了同样的事情，在我连接电容器之前GPIO8处于0v，但MOSFET仍然完成了电路并坏了，这一次它被卡在了相机上。 这就是我现在所在的位置。我的电容器充电到27V，并且由于添加了一些组件以消除振荡，因此我再也想不到。根据数据表，IRF3205的击穿电压为55v，我远低于该电压。 有什么好主意吗？

11 power  mosfet  solenoid  flyback  supercapacitor 

我刚刚读了一份应用笔记，但对这句话感到困惑：“工程师们经常将MOSFET视为单个功率晶体管，但它是成千上万个并联的微小功率FET单元的集合。” 这怎么可能 ？在每一堂课中，我都是以单个本体而不是“数千个功率FET单元的集合”来了解MOSFET的横截面的。 所以问题是：该应用笔记是指一种特殊类型的MOS还是我一生都在撒谎？

11 transistors  mosfet  cmos 

这是我正在使用的驱动器IC（LM5112）的数据表。 以下是该模块的应用图。 基本上，这是用于MOSFET的GATE驱动器电路，以PDM信号作为输入。我正在寻找如何计算MOSFET输入电阻（R3）的值？ MOSFET输入电压（VDS）= 10V，所需的输出功率为200W。 问题： 1）如何计算MOSFET的输入电阻？ 2）有哪些因素影响MOSFET输入电阻的计算？ 3）如果电阻值改变（增加或减小），最大和最小电阻值将对电路产生什么影响？ 请让我知道是否需要任何进一步的信息。

11 mosfet  mosfet-driver  powermosfet 

我正在尝试使用MOSFET IRFP054N驱动直流电动机（12V，100W）。PWM频率为25 kHz。这是原理图： 我知道DSEI120-12A并不是最好的二极管，但我现在没有更好的二极管。我也尝试过的3A肖特基二极管会很快发热。 以下是示波器波形（A = MOSFET漏极（蓝色），B =栅极驱动（红色））： 较小的占空比： MOSFET关断时出现电压尖峰，持续约150 ns，幅度最大。60V。无论我增加占空比，电压还是增加电机负载，振幅均保持不变。尖峰的宽度取决于电动机的负载（可能取决于电流）。 我试过了： 将栅极电阻增加到57Ω，以降低MOSFET的关断速度。 在电机和MOSFET之间添加Schkottky二极管（SR3100，3A）。 在直流母线和电动机之间放置各种电容器。在低占空比和低电压下运行时，这有时会有所帮助，但是当功率增加时，会再次出现尖峰。 所有这些都无法完全消除峰值。有趣的是：尖峰不会破坏MOSFET（因为它的额定电压为55 V），但我想正确地制作此驱动器。 我正在寻找其他尝试的建议，以及为什么此峰值限制为60V。 更新： 我认为1 mF的电解电容不能吸收电动机的能量尖峰。现在，我在12V线上添加了一个2.2 uF薄膜电容器，在电机上添加了200 nF陶瓷电容，并在MOSFET上添加了100 nF陶瓷电容。 尽管现在我在关闭时振铃，这有助于降低了尖峰-可能需要改善MOSFET的缓冲性能。但是电压幅度要低得多（负载时为30-40 V）。

11 mosfet  motor  pwm  driver 

我想知道选择双极结晶体管（BJT）与场效应晶体管（FET）（MOSFET或JFET）来切换微控制器负载的原因是什么。在我们的假设情况下，假设负载需要的电流超过微控制器可以提供的电流，并且问题是，在不考虑“易用性”的情况下，哪些考虑因素会偏向于或不利于BJT和FET开关设计。 这个问题是何时使用什么晶体管问题的更具体的版本 。

11 microcontroller  switches  mosfet  bjt 

在给定的Qg（栅极电荷），Vgs（GS结电压）和栅极电阻的情况下，如何确定MOSFET的开关速度？如何确定门极电阻的所需值？

11 mosfet  speed 

我一直在尝试在家中制作粗糙的晶体管器件。到目前为止，我还没有成功。自从我读了一篇有关喷墨印刷晶体管的狂野文章以来，我在最近三个月中学到的东西对我的电气理解几乎是不存在的。 我正在尝试使用一种不需要有毒材料或高温的方法。 这个实验似乎很有希望，因此我尝试按照此处所述基于氧化锌半导体层和线胶触点模拟该设备。 https://www.andaquartergetsyoucoffee.com/wp/wp-content/uploads/2009/05/zinc-oxide-experiments-i.pdf 根据该论文，该器件通过施加96伏电压而将电源的负极引线连接到栅极，将正极连接到源极或漏极来实现晶体管/场效应。 所需高电压的原因似乎是栅极电介质的厚度，后者是显微镜盖玻片的厚度约0.12mm-0.16mm。我希望我的栅极电介质厚约0.01mm，可以使器件在栅极上以约9伏的电压导通。 我的尝试有一些变化： 所用材料： 半导体“油墨/涂料”：有机非纳米氧化锌粉末+异丙醇 源极，漏极和栅极：导电笔（碳粉和无毒粘合剂） 源极，漏极和栅极：导线胶（银浆） 门电介质：厨房级保鲜膜（根据网络搜索〜0.01mm） 基材：玻璃显微镜盖玻片 24号无涂层铜线 电线胶（碳粉和无毒粘合剂） 台式直流电源0-5安培0-30伏 尝试＃1： 用导电碳笔画出一条线状玻璃滑片作为浇口，并用导线胶将铜线连接到一端。然后在约100华氏度的烤箱中干燥约15分钟 包裹着一层保鲜膜的玻璃载玻片，要紧紧包住，并在华氏100度左右的烤箱中放置约15分钟，以使保鲜膜上的皱纹变平。（仅次要成功） 将氧化锌和91％异丙醇的滴定溶液浸在盖玻片顶部，并在约100华氏度的烤箱中干燥约15分钟。产生了约1mm厚的脆性层 在新的玻璃载玻片上将源极和漏极分开〜2mm，并用导线胶将铜线连接起来。在约100华氏度的烤箱中干燥约15分钟 将第二个载玻片放在第一个载玻片的顶部，源极和漏极向下接触，使氧化锌层接触，栅极位于源极和漏极之间 将透明胶带紧紧包裹在两个玻璃载玻片上，以帮助所有层之间紧密接触。 将直流电源的负极引线连接到栅极，正极引线连接到一侧（称为漏极）。将万用表连接到源极和漏极。 以最低设置打开电源，然后慢慢将安培数和电压调到最大。5安和30伏 源极和漏极之间无法测量电压或连续性 使用银线胶作为源极漏极和栅极重复相同的步骤，结果也是负面的。 尝试＃2 类似于第一次尝试只有一个载玻片。我以为源极漏极和氧化锌层之间的连接可能不够紧密/清洁。 用导电碳笔在载玻片上画出约5mm宽的线作为浇口，并用导线胶将铜线连接到一端。然后在约100华氏度的烤箱中干燥约15分钟 包裹着一层保鲜膜的玻璃载玻片，要紧紧包住，并在华氏100度左右的烤箱中放置约15分钟，以使保鲜膜上的皱纹变平。（仅次要成功） 在盖玻片上滴加氧化锌和91％异丙醇的溶液，并在约100华氏度的烤箱中干燥约15分钟。产生了约1mm厚的脆性层 用注射器用导线胶直接在氧化锌层上画出源极和漏极线，然后连接铜线。在约100华氏度的烤箱中干燥约15分钟 顶部涂有强力胶，以避免在处理过程中源极和漏极拉出氧化锌层。过夜干燥 将直流电源的负极引线连接到栅极，正极引线连接到一侧（称为漏极）。将万用表连接到源极和漏极。 以最低设置打开电源，然后慢慢将安培数和电压调到最大。5安和30伏 源极和漏极之间无法测量电压或连续性 这是步骤的一些图片： https : //imgur.com/a/jXAoOS0 目前，我无法验证我使用的材料是否可以按照我尝试模拟的实验中所述完全相同的设置工作。现在我缺少硝酸锌，2-丙醇和能够输出96伏特的直流电源。 实验中的主要缺陷是什么？ 我现在有以下难以验证的假设： 我的氧化锌层可能太不一致/太脆，不能形成均匀的表面。 我的栅极电介质/基板不够平坦或使用错误的材料制成 我的间隙太大/栅极电介质太厚，源极和漏极距离太远 我的材料不够纯净，因此没有显示预期的属性 我发现银被用作n型掺杂剂，并且由于我希望氧化锌层为n型掺杂剂，因此需要p型掺杂剂 尽管我要模拟的实验使用的是线胶，但是除了说明任何导电胶都可以使用的说法外，几乎没有什么材料说明。就像我使用的导电笔一样，我的电线胶是基于碳粉的。我没有找到任何信息，如果碳是n型或p型。也许也不能使用碳。https://www.andaquartergetsyoucoffee.com/wp/wp-content/uploads/2009/05/zinc-oxide-experiments-i.pdf …

11 mosfet  semiconductors