电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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当FPGA上电且未配置时会发生什么?
我试图对如果长时间不编程对FPGA会发生的情况有一个大致的了解。 假设您有一个FPGA,并且长时间未编程(在加电后数分钟至数小时),即FPGA上没有比特流,这对器件不利吗?是否建议始终在加电的FPGA上保留一些比特流?对此有什么普遍看法? 在不同的设备或制造商(Xilinx与Altera与其他产品)上,结果是否有所不同? 附加信息: 我有一个使用Xilinx Virtex-6 FPGA的定制SoC板。我也有一个Xilinx ML605,仅供参考。 自定义板:我打开板电源。我注意到使用XMD(Xilinx微处理器调试器)对其进行编程的时间很短。如果我失去20-30秒的窗口,则必须先关闭电源然后再打开板子再尝试。ML605不会发生这种情况。 当我尝试通过XMD对定制板进行编程时,我得到类似以下内容的信息: Error: Device Reset by JPROGRAM command, failed. INIT_COMPLETE did not go high. 让我知道你的想法。

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从饱和加速度计中恢复数据
我有一个ADXL345加速度计,并将其安装在混合动力火箭上进行发射。不幸的是,我忘记将范围设置为从默认值+/- 2g到+/- 8g(我们预计升空时为6g)。 对于+/- 2g范围,数据表列出了10位的输出分辨率,而对于+/- 8g,则列出了12位的分辨率。 我在上面链接的数据表中的DATA_FORMAT寄存器(0x31)下注意到了这一点: 该DATA_FORMAT寄存器控制演示数据寄存器0x32通过寄存器0x37。除+/- 16g范围外,所有数据都必须剪裁以避免翻转。(重点是我的) 基于此陈述和功能框图(将三轴传感器连接到“传感电子设备”,然后再连接到ADC),我希望有一种方法可以解析正确的数据。比例因子在数据表的第3页上列出。 有没有办法我可以解析这些数据,至少要解析为1或2个有效数字?(例如,我检测到1.9414g-应该在6左右)。我不认为传感器饱和,仅仅是数据寄存器中的数字-并考虑到比例因子和一些创造性的位移(尚不清楚,当改变分辨率时,它们如何从10位变为12位),希望我能从我的数据中恢复有用的东西。

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如何在Linux PC上使用gdb调试Arduino Uno?
如何在Linux PC上使用gdb调试(单步执行源代码)Arduino Uno?请注意,我不喜欢在wine或VirtualBox中使用AVR Studio。 问题1:物理连接 如何和什么连接到Uno板?我的猜测是,由于Uno板上装有ATmega328,因此应该可以使用一步式源代码?我还猜想我可以在ICSP头上使用AVR JTAGICE mkII或AVR Dragon? 问题2: GDB服务器 然后我注意到有一些项目,例如AVaRICE,似乎为gdb函数提供了jtag,但可能还有其他项目吗? 问题3:小精灵在哪里? 如果我启动并运行它,那么Arduino IDE在哪里将生成的输出像带有调试符号的elf文件一样隐藏(应该有一个)?还是我需要生成仅使用Ardino库的经典Makefile? 我试图找到有关使用什么/如何使用的信息,但是我只发现了那些告诉我可以做什么的线索。有人可以将我推向正确的方向吗?
10 arduino  avr  linux  debugging 

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该继电器电路中的反激二极管问题以及吸合和保持电流问题
尽管这可能是一个基本问题,但我仍在努力。在该示意图中,两个齐纳二极管D1和D2跨接在继电器线圈L1上。Q1的BVds = -30V。我可以对D1和D2使用15V(Vz = 15V)齐纳管,而不是5.1 V齐纳管吗?继电器关闭期间继电器线圈或触点会损坏吗?如果需要,我正在使用此继电器(5V DC标准线圈)。 另外,为了减少继电器线圈的稳态电流消耗,我想使用示意图中所示的RC ckt。Q1接通后,未充电的电容器会立即以完全短路的形式出现,从而使最大电流流过继电器线圈,并闭合继电器触点而不会产生颤动。但是,随着电容器充电,继电器线圈两端的电压和通过继电器线圈的电流都会下降。当电容器充电到所有流过继电器线圈的电流都流过R1时,电路达到稳态。触点将保持闭合状态,直到移除驱动电压。 这是放置此RC ckt的最佳位置-原理图中标有“ A”或“ B”的部分。会有所不同吗?在我看来,B部分似乎是最佳选择,因为当Q1关断时,电容器C1可以通过R1接地。相反,当我将RC ckt放在A部分时,C1将如何放电?我在这里想念什么吗?将此RC ckt放置是否有副作用?有更好的解决方案吗? 如果我错了或遗漏了什么,请纠正我? 2012年7月9日的UPDATE1: 在上面的示意图中说,我有6V DC标准线圈(请参见上面的数据表),48.5欧姆继电器。并假设C1 = 10uF。假设在上图中,R1C1 ckt放置在A部分。电源为+ 5V。 对于继电器线圈两端的3V(保持电压)下降,电流必须约为62mA。通过线圈。因此,稳态时R1两端的压降为2V。对于稳定状态下通过继电器线圈的62mA电流,R1必须为32.33欧姆。 在稳定状态下,C1上的电荷为2V x 10uF = 20uC。 现在,在本数据表中,运行时间最坏情况下为15ms。根据以上数据,我们得到RC = 48.5ohm x 10uF = 0.485 ms。因此,一旦Q1打开,C1将在2.425 ms内充满电。 现在我如何知道2.425 ms的持续时间足以使继电器使其触点闭合? 同样,一旦Q1关断,由于产生的反电动势并由齐纳二极管D2(Vz = 3.3V)钳位至3.3V,加上二极管D1的压降为0.7V,C1两端的电压将为-2V +(-3.3 V-0.7V)= -2V。但是C1上的电荷仍为20uC。由于电容是恒定的,因此在关闭Q1之后,当C1两端的电压立即从+ 2V降至-2V时,电荷必须减少。 违反Q = CV吗? …

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当存在其他从SPI设备时,通过SPI访问microSD卡是否存在问题?
我正在设计一个只有一个SPI端口的CPU。我有多个(3)从站连接到此端口,其中之一是microSD卡。 这是一位工程师的报告,他说SD卡被设计为可作为SPI主设备的唯一从设备。 其他人是否能够在同一总线上与其他SPI从机一起使用microSD?也许此报告仅基于特定的有问题的miniSD卡? 为了安全起见,有人会建议使用去往miniSD卡的从选择线选通SPI CLK线吗?
10 spi  sd  microsd 

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这是正常的降压稳压器行为吗?
我最近开始尝试降压型稳压器,但是我的结果并没有达到我的预期。对于我来说,纹波电压似乎有点高,在没有负载的情况下约为800mV,在恒定的1A负载下会上升至4.5V 。公平地说,只有短暂的尖峰会产生这种波纹。这是没有负载的调节器的截图: 在1A时,输出电压下降约100mV,电压尖峰变得相当大: 我在数据表中给出的设置中使用XRP7664,但将输出电压更改为6V(第1页的示意图,R1更改为56k)。该电路建立在分线板上,并通过电线进行连接。我的问题是:降压稳压器是否正常工作? R1更改为56K

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如何选择低功耗微控制器?
的Cortex-M0 +从恩智浦和飞思卡尔声称,他们有世界领先的能源效率。 TI Wolverine还声称它们将功耗降低了一半,并且在内存,外围设备,待机和活动状态下的功耗最低。 在某些数据记录应用程序中,哪个平台消耗较少?我有3通道传感器,采样率约为3200hz。

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用这种技术为锂离子电池充电是否有意义?
这是该问题在Android SE上的复制。我认为这实际上是一个电气工程问题,因为它详细介绍了电池的行为。 基本上有人声称,以下过程将极大地(两次宣称改进)改善电池运行时间(设备一次充电即可运行的时间): 打开手机; 连接充电器,等待电池充满电(绿色指示灯亮); 断开充电器; 等待绿色指示灯熄灭,然后重新连接充电器; 当绿色指示灯点亮时,请关闭手机。 现在,继续关闭手机。 断开充电器; 等待绿色指示灯熄灭; 连接充电器,等待绿色指示灯,然后再次断开充电器; 重复“ 3”步骤10次。每次迭代可能需要30秒到30分钟,通常大约是1分钟。 程序描述取自本文,已读成俄文,英文翻译正确。 这就是我了解发生了什么的方式。当绿色指示灯点亮时,表示电池正在积极地向其中注入能量。在某个时刻,充电电路确定电压足够高,可以宣布充电完成(为方便客户,需要进行试探)。 然后,一旦断开充电器的连接,电池上的电压就会降低,因此,当再次连接充电器时,充电电路会感应到低于“停止充电”阈值的电压,并点亮绿色指示灯以表明它决定对电池进行一点充电更多。 由于所有这些都是在电池接近“停止充电”阈值时发生的,因此充电电流很小,并且当绿色指示灯熄灭时,这并不意味着电池没有被充电-充电速度要慢得多。因此,简单地将设备连接到充电器再充电一个小时同样有效。 在描述的过程中可能会发生什么?会改善电池的运行时间吗?我的假设正确吗?

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MLCC(片状电容器)的可靠性和故障模式
最近,我一直在准备生产一种全线专用MLCC电容器的产品。它集成了使用它们的板载降压转换器,并且MLCC也用于本地去耦。 我的原型包括使用热板的“躲避式”回流技术。通常,在执行此操作后的10%的时间里,我发现板上的MLCC短路了,通常是因为通电后,帽会冒烟。 但是,就在此时,我正在用烙铁替换其中一个盖子,并且在替换后仍然短路了。我确认板上没有其他短路(因为移除3.3V时会显示几欧姆的电阻。)看来,焊接盖帽的简单操作已导致其失效。 我最近还修理了液晶显示器,该液晶显示器的T-con板上的MLCC短路,在一个受欢迎的论坛上的其他一些用户则报告此问题出奇的普遍。现在,在这种情况下,显示器会变热或变热,但又没有烙铁那么热-那么为什么这些显示器会出现故障? 我计划为这些主板提供5年或更长时间的保修,但只有在我确信该主板能够在正常条件下生存时,我才能这样做。 上限为0603(100n,10u 6.3V),0805(22u 6.3V)和1206(10u 35V)。都是X5R或X7R。晶振有一些18pF的电容,但我从未见过失败-我怀疑它们是与MLCC不同的技术。

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这些电容器的价值是多少?
我有一些电容器,我无法弄清楚该值(以法拉{pf,nf,uf ect ...}为单位),他们说的是:(此处显示的每个空间都是电容器下一行) 电容器#1 103M Z5U 2-3KV ARC GAP KAP中国 电容器#2 NPO 7.5D IKV 电容器#3 厘米1000M 125L 电容器#4 271 2KV 电容器#5 Z5U 4700M IKV 我仍然是电子产品的初学者,只有13岁,所以任何信息都很棒! 编辑-我还有一些上限 我有几个电容器,有人能告诉我法拉值吗?(pf,uf,nf) 1个 Y5F 221k 2kv 2 CM Z5U .1M 100v 3 带下划线的20(我猜这是20nf) 4 正面-680 K 背面74-16 即使您只知道其中的几个,任何答案都将是很好的
10 capacitor 

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您如何确定您的产品是否需要CE标记?
我还没有找到有关该程序的确切信息,以了解电子产品(PCB)是否需要CE标记。 由于很难提出假设性问题,所以让我通过使用具体示例进行提问。让我们以该RS485 IO卡为例。该产品是否需要CE标志才能在欧洲销售?(也许有类似的问题:该产品是否需要获得FCC批准/标记才能在美国销售?) 让我们看第二个例子。这是一个A / D板。该产品需要任何监管许可/标志吗? 如果具有CE / FCC经验的人可以给出答案,并解释这些答案背后的原因,那将是非常有帮助的。
10 pcb  fcc  ce 

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自酿差分'范围探头
我也许可以使用旧的600MHz LeCroy示波器。但是,它没有任何探针。 使用诸如THS3201DBVT的高速运算放大器为其制造有源差分探头是否可行?它具有1pF的输入电容,1.8GHz带宽,适用于任意波形测量应用。我想检查一个100Mbps的LVDS信号。 基本思路是将放大器通过几个平行的金探针引脚安装在小小的PCB上,用本地+ -6v电池供电,并使用一小段同轴电缆将其连接到示波器。

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如何在35分钟内为锂离子电池充满电?
我碰巧拥有一个电钻/驱动器,该电钻/驱动器使用锂离子电池供电,并带有一个充电器,该充电器在35分钟内充满电,并声称在15分钟内可以将其充电至70%。 根据对这个问题的回答,锂离子电池的最高充电电流约为1C,考虑到损耗,这意味着充电时间至少应超过一小时。这与我使用手机等其他设备的经验是一致的-它们需要大约1.5个小时才能充满电。 那么如何在约35分钟内为锂离子电池充电?

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如何为PIC24 RTCC校准32.768kHz晶体
我正在尝试找出PIC24 RTCC晶体校准的最佳方法。他们的应用笔记陈述了两种方法:使用查找表和使用参考系统时钟。 根据他们的说法,参考系统时钟方法是最好的,但他们建议使用系统振荡器,该系统振荡器应是RTCC晶体振荡器的倍数,例如16.777MHz。 有人真的为PIC24尝试过RTCC晶体校准工艺吗?我将不胜感激一些实用的准则。我正在使用PIC24FJ128GA006。
10 pic  crystal  rtc  calibration 

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我们为什么要使用地面
我一直想知道这一点,所以我做了一些挖掘,并且像往常一样,维基百科是最有启发性的。好像电报是第一次引入地面来完成电路。如果不是因为地面将具有更大的电阻,那么节省电线似乎是一个好主意,因此,总的来说,您将需要更多的电力来使电流流动。 这对于电报是很好的,但是对于其他任何事情,似乎都比它的价值还麻烦。 我已经阅读了测量绝对电压时“参考点”的论点。那是一个人为问题的解决方案。电压仅作为电位差有意义。因此,您要测量电势差,而不要选择无意义的参考系。 至于安全性的论点,如果没有接地系统,我们似乎会更加安全。如果不使用地面来完成电路,一般来说,电力必须要经过一个人才能进入地面。通过要求有人触摸两条电线以使其受到电击,而不仅仅是灼热的电线,这将减少触电的风险。接地线似乎是为了避免不必要的问题而采取的安全措施。 对于低压系统,接地会产生不必要的噪声源。据我所知,地面将充当巨大的不稳定电池+天线。地面上任何酸碱度的差异都将意味着直流偏移-取决于两个地面点的水和矿物质成分的酸度差异。 使用地面完成无线电信号电路意味着电路中不必要的电阻。在土壤中,您的质量取决于您的选择,而不是电路的设计。 我可能错过了一些问题,但是我真的很想知道我是否错过了一些真正有意义的优势。 有谁知道使用接地来完成电路的历史/哲学吗?

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