电气工程

据我所知，SPI从设备的SPI传输如下所示： 主机通过SS引脚选择一个从机 主从之间同时发送数据 主机同时启动时钟和数据传输（写操作之前没有时钟） 即使从站有更多数据要发送，主站也可以在其希望的任何时候停止传输（通过停止写操作和时钟生成）。 是否有任何SPI从设备配置，该配置允许从设备在未经主机许可的情况下传输数据？ 我只是想大声一点。假设只有一个从站，而主站等提供了一个连续的时钟。 即使假定的陈述为真，由于没有SPI的起止位，主机和从机也不会丢失字节同步（即接收位流）吗？ 我问这样的问题是因为我已经阅读了本文档的以下部分。 2.2 SPI示例 所附的SPI示例说明了USART在同步模式下的使用。USART1被配置为从设备，而USART2被配置为主设备。发生以下交易： 从主机到从机的数据传输。 从机到主机的数据传输。 从主机到从机以及从机到主机同时进行数据传输。 本文给出了SPI示例，但使用USART器件实现了示例。而且我知道USART从站可以在未经主站许可的情况下开始传输。 我找不到文档引用的源代码。

8 microcontroller  spi  uart  serial 

逆变器（逻辑门）的符号通常是左下方所示的符号。但是我有时看到右下方显示的符号。（例如，请参见此答案中的最后一张图片。）这些符号差异代表什么？

8 logic-gates  symbol 

浏览维基百科（就像一个人一样），我偶然发现了这张电路板图片¹： 现在，当您查看它时，有几件事与当今常用的PCB制造技术很有趣并且有所不同。 我无权访问图中的面板，但是这里²还有更多图片。但是，我确实记得看到过使用这些技术的其他电路板。特别是在80年代末/ 90年代初的低成本设备和遥控器上。 因此，这是我想找到的更多信息： 多个阻焊层？ 似乎至少有两个级别的阻焊层。其中一个仅在通孔周围可见，而另一个不透明的则覆盖并进一步掩盖了东西。 第二个非常不透明的层的目的是什么？ 阻碍PCB布局的逆向工程。但是，这对我来说并没有太大意义，因为图中的PCB来自MSX计算机，而AFAIK MSX体系结构几乎是一个开放标准。另外，该底面不存在该附加的不透明层。 还是这不仅是不透明的阻焊层，还是在另一个（您认为是传统的）阻焊层之上的另一个（粗糙）导电层；在这里也可能有意义，也许对于EMI屏蔽。是这个吗？另一件事是通孔周围的间隙较大。 还是完全其他？ 蓝色通孔 通孔看起来不有趣吗？这些是如何制成的？看来他们没有使用（现在已普遍使用）该板的电镀通孔。 但是他们改用的是什么？它们是如何制成的？这是某种导电环氧树脂吗？ （相对）较大的通孔尺寸可以由此证明是合理的。似乎通孔上的材料相当凹，在孔周围裸露的铜上可能有设计重叠。那些被一一填满了吗？ 现在，为什么他们使用这种方法而不是“现代” PTH？我怀疑对于足够少的孔，它一定便宜得多。该方法称为什么？ 搜索环氧树脂填充的通孔确实会产生结果，但与此相反。 一直以来，这是我的第一个问题。但是，我知道有时会有多个子问题出现，但是我希望这仍然足够合理。谢谢您的回答。 我也希望其他人觉得这很有趣，因为环氧树脂通孔技术也许可以在我的自制PCB中找到新的生命。 ¹）Yaca2671从Wikipedia拍摄的图片。维基媒体链接 ²）关于Panasonic FS-A1WX的MSXinfo.net文章

8 pcb-fabrication 

我有一些简单的驻极体麦克风模块，而且我一直在尝试音频放大器。我用谷歌搜索了一些示例电路，发现其中大多数类似于上面的电路。我建立了这个，它工作正常。如果我没记错的话，该电路将通过集电极反馈偏置来偏置。 在搜索电路时，我注意到大多数驻极体麦克风放大器电路使用了集电极反馈配置。我想知道为什么它比其他通常更常见的配置（例如分压器偏置）如此受欢迎？我知道在此配置中使用反馈会使放大器更稳定，但是分压器偏置会不会具有相同的优势？

8 audio  microphone  bias 

我正在使用运算放大器来放大来自微控制器的输入信号，该微控制器通常工作正常。 对于过压保护，我添加了直接从TL431数据表第27页图32中获取的撬棍电路，这为我不太了解的电路增加了一些不良行为。 使用TL431在2.5 V电压下触发和分压器 R3R3R_3/R4R4R_4撬棍应在4.8 V的运算放大器输出电压下触发并烧断保险丝。但是我看到的是，一旦输出电压达到3 V，输出就会下降到0.75 V，并保持在该水平，直到输入电压下降足够远为止，在正常操作下，输出应低于0.75V。之后，它将再次按预期工作，直到达到3 V或更高的输出为止。 在对撬棒电路的讨论中，我发现数据手册中所述的电容器的放置和尺寸可能并不理想。会以某种方式引起我的问​​题吗？如果不是，那么还有什么可能导致此行为？ 编辑：为了适当的上下文为增加的撬杠，我用运算放大器输出调节激光器的功率。我必须确保不会因5V的输出短路而永久打开激光器，该5V用作运放和PCB上其他部件的+ Vcc。由于我不需要超过4.2V的输出，并且在正常操作期间不应获得更多的输出，因此，我想出了最好用撬棍烧保险丝来防止这种情况的发生。 数据表： 保险丝：https : //www.mouser.de/datasheet/2/358/typ_MGA-A-1388649.pdf 运算放大器：https：//www.mouser.de/datasheet/2/609/AD8605_8606_8608-877839.pdf 双向可控硅：http : //www.ween-semi.com/sites/default/files/2018-11/BT137S-600D.pdf 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 更新：完全去除C1并不能消除上述现象，但是会将其发生时的电压提高到3.3V

8 operational-amplifier  circuit-analysis  triac  tl431 

我目前正在设计几种嵌入式微控制器产品，这些产品将通过壁装电源插座供电。我计划使用壁式电源来提供大约5-9V DC的输入，但是我希望我的设备的输入在最高30V的电压下工作，只是出于兼容性和易用性的考虑。该电源电路的输出应为3.3V，最大约为500 mA。我还需要反向电压保护，以防用户插入带有中心负极端子的桶形插孔。下面是我的设计。我使用PTC保险丝来防止短路/过电流问题，并使用P沟道MOSFET来防止反极性到达开关稳压器。齐纳二极管允许高输入电压而不会炒熟MOSFET。 我的主要问题是：该开关稳压器可以与保护Vin引脚的P沟道MOSFET一起使用吗？我的零件选择中是否有明显不好的选择？是否有任何明显的错误会阻止此操作？ 注意：在LCSC上可以找到这些零件中的某些零件，仅仅是因为它们的价格低廉并且与我使用的PCB服务集成在一起，以防万一找不到制造商。零件编号在任何地方。 编辑：我已经修改了设计，以防止浪涌电流超过大约15-25A。

8 power-supply  switching-regulator  reverse-polarity  over-voltage-protection 

我听说过酸性捕集器，它们是从前的时代。但是它们是什么以及它们是如何创建的？

8 pcb-fabrication  acid-trap 

我发现祖父的照片中有一张我认为是RF GaAs FET的照片。这张照片过时（1975年）时，他正在GaAs FET实验室工作。它的背面标有“台面的300μm栅宽”。 我认为这与1977年提交的美国专利US4160984A有关。他被列为发明人之一。 这种结构对我来说是陌生的；栅极，源极和漏极在哪里？有关该结构的任何其他信息将不胜感激。

8 semiconductors  fet 

连续性向我们显示了短路，但是我猜很多次，即使导线的电阻高达50欧姆，连续性也会发出哔声以指示短路。 它总是50欧姆，还是我们应该在手册中寻找什么参数？

8 multimeter 

我正在阅读《电子艺术》，对术语“电流感应电阻”的使用感到困惑，因为它与微分电路有关。在上图中，作者解释说，尽管通过电容器的电流不能用作输出，但仅由一个电容器就可以构成一个完美的微分器。因此，他说必须添加一个“电流感应电阻器”。我的问题是： 1）在这种情况下，“电流感应”一词是什么意思？ 2）为什么甚至需要电阻器？我无法直观地理解为什么会这样。

8 circuits 

我一直在尝试使STM32F103C8（蓝色药丸板）上的SPI1 正常工作一段时间。在我刚刚开始学习ARM时，我只是在尝试将数据移至74HC595移位寄存器并对其进行锁存以点亮一个字节的LED。我没有回读任何数据，所以我只有MOSI，SCK和SS线路。 起初我什么都没有得到，但是阅读一些在线示例后，我可以解决这些第一个问题，以使通信正常进行（我需要正确设置GPIOA引脚并设置软件SS）。 现在的主要问题是，如果我在所有线路（MOSI，SCK和SS）上均未包括上拉电阻，则微控制器在任何线路上均不会输出任何内容（已通过示波器检查）。最重要的是，在添加上拉电阻之后，脉冲的上升时间非常慢，因此我不能使用太高的频率（对于10kΩ上拉电阻，我限于约250 kHz SCK，并且切换至330Ω（约4 MHz）。我正在试验板上，但是即使使用AVR和更杂乱的布线，我也可以得到一个4 MHz SPI，而无需添加任何电阻就可以正常工作，并且波形更清晰。 这是两张图片（抱歉，我的示波器屏幕处于极低状态），它们以250 kHz的时钟传输字节0b01110010。顶部轨迹为SCK，底部轨迹为MOSI。第一张图带有10kΩ上拉电阻，第二张图带有330Ω上拉电阻，这些波形使波形更好看（但不需要）。 我将不胜感激，以帮助您找出正在发生的事情。 我的代码的相关部分是： #define SS_LOW GPIOA->BSRR |= 1 << 4 + 16; #define SS_HIGH GPIOA->BSRR |= 1 << 4; // SPI GPIO configuration RCC->APB2ENR |= RCC_APB2ENR_IOPAEN; GPIOA->CRL |= 0b0011 << 4 * 4; // Set pin A4 as PP out …

8 stm32  spi  embedded  arm  stm32f10x 

有时，PCB和外壳上有这两个半箭头符号。有关示例，请参见图像。 这些符号通常放在螺钉附近，在拆卸时要拧松这些螺钉。 这些符号是否标准化？如果是，它们来自哪个标准？

8 symbol  enclosure  silkscreen 

我总是在电子设备后面看到这个符号。 该符号的特写图像： 这是什么意思？

8 power-supply  symbol 

我想认为自己在电子设计领域相当有经验，但是受签约审查此原理图时，我有些困惑。这基本上是升压电源的输出阶段： 我画了红线来象征实际的力量在哪里流动。左上方的MOSFET Q2是有道理的（尽管Q3没有基极电阻，这是我指出的第一个错误。从微型直接到0.7V基极-发射极的3.3V，you！）。这只是一个P-FET电源开关。 奇怪的是，在此之后-Q4 / Q5对。Q4是另一个用作开关的P掺杂晶体管，但是网络驱动Q5的基极-是什么驱动Q5？Q4的输出！如果你问我，这是一个悖论。我主要担心两个问题： 首先，这有什么实际意义？我唯一能想到的是，假设如果输出+ Vout短接至GND，则Q4（因此Q5）以“默认”开启，这将关闭Q5，这会关闭Q4，从而断开输出电压与直接短路的连接到GND。足够公平，如果这是它的目的-如果不是，请纠正我吗？ 第二个是，取消我的假设，这会首先打开吗？如果Q4是耗尽型P-MOSFET，我会说是的，因为默认情况下它将处于“导通”状态，让12V处于“初始”状态，然后导通Q5，直到输出+ Vout短路至GND。在这种情况下，但这只是一个普通的PNP BJT，除非我发疯，否则默认情况下处于“关闭”状态。因此，它将永远不会打开。 谢谢。任何人的见识都将是很棒的，因为它似乎是防止短路过电流的便捷小工具（尽管如今，这种保护已内置在许多芯片中）。但在我看来，它尚未完全正确执行，因此它必须是耗尽型MOSFET，因此它至少具有定义的初始状态。

8 transistors  analog 

我发现了很多文档和书籍，它们使用以下公式来模拟瞬态RC电路中电容器两端的电压行为： VC=V中号一个X（1 -Ë− 吨/ R C）VC=VMAX(1−e−t/RC)V_C=V_{MAX}(1-e^{-t/RC}) 不幸的是，我发现没有资源讨论如何对RC电路进行数学建模，没有资源提供线性增加的电压源作为输入。 尝试将上述方程中的VMAX替换为线性方程，将导致方程收敛到线性方程，这意味着电流将在一段时间后停止（I =（VS-VC）/ R）。这显然是不正确的，因为我们应该看到电流随时间接近一个恒定值，如下所示： 一世C= CdVdŤIC=CdVdtI_C=C\frac{dV}{dt} 我完全知道电容器上的电压在线性增加的电压源下会如何表现，有很多模拟器可以显示该结果，甚至可以想到结果的物理解释。我想知道的是，如何以线性增加的电压源对电容器两端的电压进行数学建模，类似于对瞬态过程中电容器两端的电压进行建模的方程式。

8 capacitor  circuit-analysis  equation