电气工程

这个问题是我先前提出的问题的又一个问题：由于EMI而替代了SPI。我正在设计自己的通讯总线。如果有人可以对我的初步设计表示关注，并告诉我我疯了哪里，我将不胜感激。 我目前正在使用2MHz SPI，将10cm长的导线连接到单独PCB上的七个ADC（共享CS，但每个ADC都有自己的MISO线。它有点位撞），但我想用一个差分器件代替它以减少EMI。问题是带有差分总线的ADC很少，所以我想知道是否有可能设计自己的总线。至少是物理层，可能还有协议。 新巴士的设计目标： 使用物理上小的组件 低EMI 最多4条数据线（两对） 每个ADC的带宽> 300kbps。（总计> 2.1mbps） 在考虑让我发疯之前，请考虑一下在PSoC5上做起来并不难。在该芯片上，我当然可以在Verilog中设计自己的协议，并在硬件中实现它。在某种程度上，我也许也可以包括物理层组件。而且，我也许可以同时拥有7个这些东西，它们在主服务器中并行运行，每个从设备并行运行，以便获得良好的整体带宽。 这是我的初步想法： 它将基于I2C，并稍加修改以帮助其连接到物理层组件。现在，SDA和SCL线是差分对。SDA对具有OR-ing属性。使用一个只能驱动高电平的引脚和一个只能驱动低电平的引脚可以实现此目的。SCL对仅由主机驱动。数据速率将提高到至少1mbps。 主机将是具有7个主机模块的PSoC5。从设备也将是具有一个从模块的PSoC5，并使用集成ADC。 想法： 不太确定实现上拉电阻器和压摆率限制组件的最佳方法是什么。 我认为我不需要任何终止。如果将压摆率限制为80ns，则对于10cm长的电缆来说应该是不错的选择。 那显然不是合适的差分收发器。我是在浪费时间试图使自己脱颖而出吗？ 那些非门引起一些偏斜。这可能是个问题吗？

8 spi  i2c  transceiver  psoc  differential 

关闭。这个问题是题外话。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗？ 更新问题，使其成为话题成为电气工程堆栈交换。 去年关闭。 我正在寻找一种可用于不同PCB制造任务的CNC机床，例如： 钻孔PCB（使用旋转头） 拾取和放置（组装PCB） 焊接 这个CNC不必很重，我只是在寻找一些合适的精度来处理SMD零件。 不久前，我发现了模块化和多功能的Lumenlab Micro CNC，但它们似乎已经停止生产。 该的RepRap似乎是一个3D打印机而已，我不认为你可以做任何事情与它。 该Makerbot是另一种3D打印机。 该ShopBot桌面是一个多功能数控车床和，但只用于钻孔/绘图/雕刻。 该redFrog即插即用机是一种低成本的选择爱好者N将机器用于SMD零件作品。关于您可以找到的成本最低的机器。 该OpenPnP项目文件不完整选N将设计。但是您必须自己构建它，在这里没有东西可以买。

8 pcb  soldering  tools  cnc 

通常，当我们测量电流时，我们必须断开电路并将电流表串联放置。 但是，如果我们想轻松地测量永久性电路中各个点的电流（无论出于何种原因），是否可以在电路中的这些点处添加非常低的电阻，然后测量它们之间的电压，并使用欧姆定律找到当前的？ 如果这些电阻的影响可以忽略不计，并且它们对电路的功能没有影响，可以这样做吗？ 编辑：我想不出适合此问题的标题，对此的帮助也将不胜感激：）

8 resistors  current-measurement 

我需要提出一种用于汽车的电压调节器的解决方案，将汽车电池的〜12V电压调节至Atmel AVR微控制器使用的5V。 我已经在网上找到了这个原理图： 虽然我大部分了解了该电路的工作原理，但我对此有一些疑问： 输入侧R30电阻的目的是什么？ 为什么线性稳压器LM7805的每一侧都有两个电容器？另一个问题的答案可能是我正在寻找的答案，但我不确定。如果这个答案与我的问题有关，并且使用两个电容器是为了减小电阻和电感，那么为什么要使用如此不同的电容器额定值（0.1 µF和470 µF）？ 以一对电容器为例，为什么其中一个极化了，而另一个却没有极化呢？ 如果使用更大容量的电容器代替原理图上显示的电容器，是否有任何缺点？ 如果使用击穿电压更大的电容器代替原理图上显示的电容器，是否有任何缺点？ 提前致谢。

8 capacitor  voltage-regulator 

我正在使用GCC和Crossworks为ARM构建二进制文件。我有一个辅助二进制映像，在启动过程中需要将其加载到另一个IC。 我喜欢将此二进制文件集成到我的工具链中，换言之，我将该二进制文件作为映像的一部分，并且每次构建此二进制文件时，都会将该二进制文件集成到最终的二进制文件中，该文件将被加载到CPU中。最佳做法是什么？ 谢谢

8 arm  linker 

将示波器连接到一个调光器，希望看到它如何改变波形，并且没有看到从一路下降到一路上升的任何区别。 我买了一个LED灯泡，并被告知需要“特殊” CL调光器。各种类型的调光器如何工作？如何查看它们对我的示波器有什么作用？

8 dimmer 

我现在正在为我的工作场所制作一个机器人。我从20servo套件开始。它配备了一个非常可怕的10.6伏，800mAh镍氢电池组。 我想为此制作一个锂电池组，因为3个锂电池将是完美的。我将LiPo用于我的个人模型飞机，我知道它们是“平衡的”，并且它们使用特殊的充电器为每个电池单元独立充电。 因为这是我的工作场所，所以我不想使用LiPo，因为它们非常不稳定。我当时想用3倍RCR123来制作电池组。我想制作一个包装，以便可以用平衡充电器充电。 有人可以告诉我该怎么做吗？另外，我可以将LiPo充电器用于锂离子电池吗，还是需要自己制作充电器？ 谢谢。

8 batteries  battery-charging 

我搜索了一些有关LED的信息，发现它们只能沿一种方式前进，因为LED内的两种金属具有2 +/-电子，这使得沿一种方式容易实现，而沿另一种方向很难实现。这让我想到了阀门。阀门打开时，您也可以向另一侧挤压！所以我想知道是否有可能激发LED（通过激光束或类似的东西）以允许电流流向相反的“允许”方向。 设定： **+** = **+** **|<|**= LED **-** = **-** --- = wire LOAD=LOAD 我好聪明 我知道。 激光束在LED上发射光子 **+** --- **|<|** --- LOAD --- **-** 我尝试搜索此类信息，但似乎没人真正考虑过。或者我是一个不好的谷歌人。

8 led  current 

有哪些好的工具可以简化模拟信号的设计和建模过程？我目前正在使用Mathematica对信号行为进行建模，但这要求我为每个新功能（例如低通滤波器）定义一个新模型。有什么工具可以帮助我吗？

8 design  signal 

英特尔生产看似相似的微处理器系列。例如， 该核心i5-3320M（2.6GHz的，3 MB高速缓存）， 该核心i5-3360M（2.8GHz的，3 MB高速缓存），和 该核心i7-3520M（2.9 GHz，拥有4 MB高速缓存）。 英特尔是否会（或可能会）生产这三种处理器 在单独的生产线上； 在同一条生产线上，但在不同的日期分别运行； 在同一行上，无差别地运行，直到后来-在测试阶段-对处理器进行分级，按等级对它们进行排序，并相应地为其分配型号；要么 以其他方式我不明白？ 除了选项1，所有这些对我来说似乎都是合理的，但对我来说似乎合理的事情可能与像英特尔这样的公司实际制造零件的方式无关。 请随意对这个问题进行广泛的解释。我最好奇要学习在现代实践中如何组织这种制造的基础知识。 更新 @Shantam提供了一个更好的词与搜索引擎一起使用： 分档而不是分级。 用@Shantam的词搜索，三年前在Superuser.com上发现了@nik的有趣评论： 实际上，制造商是明智之举。他们将自己的产品“分类”为不同级别的故障。处理器实例中部分失败的缓存可能会变成“更少的缓存，更便宜的版本”，而不是进入垃圾箱。在制造过程中发现的故障数量以及此类内存模块的表面积方面都可以很好地工作（整个内核“被连接下来以作为低端处理器（Phenom X3？）出售该实例”）。这没什么不对的，超频者很高兴知道这些事情。 超频器角度就是这样，如果处理器无法运行（加热）超过某些频率，则会将其装箱到较低的频率目标。您会得到E6300 C2D（超频器可以将其推升至更高的频率，并具有更好的散热效果，并可能对制造商严格的“分箱”政策带来好运，而这种政策可能会偏向低频频段。

8 microprocessor  manufacturing 

我正在尝试使用BC108A（数据表）晶体管作为Arduino Uno板上5V数字输出引脚的12V电源开关。 我已将集电极的12V电源，基极连接到arduino的5V引脚，并将发射极通过万用表接地。 这是设置的图片： 红色是接地的万用表，蓝色是5V，白色是12V。 我认为这将导致在基极为高电平时从发射极流出12V的电压，而在基极变为低电平时则无发射极流出的12V电压。 但是我的万用表从发射极报告了6.1V。 我想我已经弄清楚了针脚，所以我不明白这些结果。 谁能解释这些结果？我是该领域的新手，所以我可能有一些基本完全错误的信息...

8 arduino  transistors  npn 

在此问题中，铁氧体磁珠用于过滤高频噪声。电容器还可用于减少噪声并滤除高频噪声。 它们对滤除高频噪声或降低EMI具有相同的作用吗？ 何时使用铁氧体磁珠，何时使用电容器？

8 capacitor  filter  noise  emc  ferrite 

我试图自学如何制作集成电路，但是在将AND门集成到电路中时遇到了麻烦。 我拍了照。跨电源轨运行的电压为4.7 V（芯片为TTL逻辑，我认为这样就足够了）。该门是与门2输入1输出（7408）。 我的问题是，为什么在两个DIP开关都关闭的情况下，LED仍在闪烁？电流似乎不是通过“与”电路，而是通过VCC，并通过所谓的“输入A和B的输出”流出。如果连接错误，将门集成到IC的正确方法是什么？ 原版的 黄色-路径电流应该跟随 红色-路径电流显然需要-.-

8 breadboard  integrated-circuit  digital-logic 

我对电子学完全陌生，正在尝试通过制造电子鼓组来学习。我在网上在线找到了许多示例，这些示例用于调节压电输出，以供控制器（在我的情况下为Netduino）读取。我正在使用的电路看起来像这样。 压电（从鼓连接到我的面包板上，带有一些cat5电缆） 并联470k电阻 串联一个肖特基二极管（在+线上） 串联一个稳压二极管（+线上为3.3v） 一个1M并联电阻 并联一个0.1uF电容器 Netduino模拟引脚（以及连接到Netduino接地引脚的地线） 我目前有6个电路连接到Netduino的6个模拟引脚。该电路的工作非常出色，既不会丢失鼓上的任何撞击，又能提供非常好的动态范围的速度/体积读数。问题是，当我用力敲击任何一个鼓时，我会遇到一些讨厌的串扰（即，我打了一个鼓，但发出了多个鼓的信号）。我已经在此问题上停留了几周，并尝试以我能想到的所有方式来调整电路，但似乎无法解决该问题。我能得出的最接近的结果是在电路末端放置一个分压器。这确实消除了串扰，但是却以动态范围显着降低为代价（即，无论我用多大的力气敲打鼓，都无法获得最大ADC读出值的一半左右的值）。一世' 请检查并再次检查所有内容均连接到同一地。肖特基应该保持对Netduino的负面信号，而齐纳二极管应确保我没有得到Netduino想要的3.3v以上的电压。 我认为示波器可能会帮助您找出问题的根源，但是由于这是我的第一个电子项目/实验，因此很难向妻子购买几百美元；） 谁能指出我正确的方向以找出问题所在？ 编辑： 这是我尝试绘制原理图的尝试。我刚刚下载了Eagle，但并不完全确定如何使用它，但希望它足够接近以给出想法。左侧的压电符号在我看来并不正确，但这就是Eagle给我的。 编辑＃2： 根据下面的几个请求，这是我的电路的一些图片（根据一些人的建议稍作更新）。另外，我还提供了一些鼓的图片。鼓使用特殊的“屏幕”鼓头，发出的声音很小。有一小块泡沫将鼓头的振动传递给压电体。

8 netduino  piezoelectricity  crosstalk 

我对BJT或FET的工作原理有非常基本的了解，但我想我明白了。它们在各个方面都很出色，除了以下方面：没有热炉和可怕的化学药品，您就无法在家中制作一个。旧的三极管制造起来比较容易，除了它们需要良好的真空度（比我在家里能做的更好）。 还有其他组件可以代替晶体管或三极管来控制强而弱的电流吗？ 我想到了这些方法-它们是对某个着迷但几乎没有进入电子“新手”阶段的人的幼稚想法： 编织绝缘铜线（如紧密的网格），并使其他线穿过编织孔，因此编织线（控制器）中的电压可能会吓跑通过其编织线（受控）的电子电场，例如栅极在三极管中的工作方式或栅极在FET中的工作方式 在电容器（受控）的极板之间放置一个极板（控制器），因此当您通过控制器极板放置电流时，电容器的容量会有所改变，因此其电抗会发生变化（我对此想法未作过多考虑，也不知道如何使用它，这肯定听起来很愚蠢） 在导线（受控）周围放置一个圆柱状电容器（控制器），这样负极内圆柱体将围绕导线闭合；希望给电容器充电...哦，等等...电容器外部的净电场应该是0 ... 我已经认为这些想法在很多方面都是错误的。您能指出一些错误吗？我希望我能通过这种方式学到很多东西。 晶体管和三极管是完成此任务的最佳，最方便，最快和最有效的方法。我知道得很清楚，我丝毫不否认。本着“我不能创造，我不理解”的精神问这个问题。和“知道如何解决已解决的每个问题。”，正如费曼如此出色地指出的那样。 我主要对控制感兴趣，例如对增益进行放大。开/关还远远不够-我想我想在振荡器或RF电路中使用此功能。

8 transistors  amplifier