Questions tagged «current»

电荷流-通常是电荷载体(例如电子)的运动。以安培(A)为单位。

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这些运算放大器的限制因素是什么?
我设计了一个多反馈带通滤波器 input voltage = 100kHz sine wave, 80mV amplitude gain = 2 AV, center frequency = 100kHz pass-band = 10kHz output voltage => centered around +2.5V supply voltage => +5V 设计上的限制是我必须使用单电源运算放大器。 计算是针对每个人的运算放大器进行的,我通过两个运算放大器获得了理想的结果:OP27和OP355NA 注意事项: 尝试了以下所列的多个JFET运算放大器 使用理想的运算放大器来检查计算是否正确 下面的电路是在Proteus和LTSpice软件上构建和测试的。两者都产生了预期的相同结果。 电路设计: 模拟分析(增益为2,以2.5V为中心) 频率响应(中心频率为100kHz) 问题在于这些零件要么是表面安装(OP355NA),要么是非常昂贵的(OP27)。我付不起超过20美元的运放费用。 这些是我可以使用的单轨运算放大器,它们都不如预期! Tl 081 TL 082 TL 071 Tl 074 LM …

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有针对单脉冲应用选择线规的规则吗?
我正在尝试确定UL 508a面板的电线尺寸。我有UL的线规要求,但这些要求可以连续使用。我正在设计的设备只能运行两秒钟,两次运行之间只有几分钟或几小时。由于感兴趣的电流分别为25、50、100和200安培,因此不使用额定连续使用的电线可以节省很多! 是否有合适的方法来为此类脉冲应用确定导线的尺寸?如果(例如)75C铜绞线4 AWG的连续载流量为85安培,两秒钟我能运行多少电流?有一些经验法则吗?一些方程式?一张桌子?微积分的适当应用?
8 current  wire  gauge 

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在什么条件下使用电压表比测量电流表更精确?
假设您有一个简单的电路,其电压源V1连接到电阻器R1,如下所示: 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 您可以串联一个电流表,然后电流表的内部电阻会影响实际电流读数,从而带来一些误差。但是,您也可以在R1两端并联一个电压表(具有较高的内部电阻),并通过将测得的电压除以R1来计算电流。由于电压表的内部电阻,仍然会有一些误差,但是哪一个更准确?或者更具体地说,在什么条件下(即大/小电流,R1,V1等),使用第二种方法而不是用电压表代替电流表更准确?


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点焊机:高电流优于高压
我在YouTube上看了几个“ DIY点焊机”视频,例如: https://www.youtube.com/watch?v=hTaGa93lOGU。 我们在初级线圈上的匝数比在次级线圈上的匝数大得多。然后,我们将初级线圈连接到交流电压(例如240V),并将次级线圈上的电阻负载小(或将其短接)。 我已经找到了几种解释说明,它们都说随着次级电路上电压的降低,电流也相应地升高。现在,次级线圈上的电压只有几伏,但是电流可能高达几千安。高电流产生高热量,使金属熔化(次级负载)。 但是力量不应该一样吗?功率是电流和电压的乘积。由于节省了能量,因此当电流增加时,由于产品保持不变,电压也降低了。 在相反的情况下,当我们提高电压时,我可以通过查看变压器模型来了解发生了什么: 如果次级线圈数量变大,则流向R_s分支的电流变大。因此,即使电流降低,当我们从电源中“拉”出更多电流时,所使用的功率也会变得更高。 但是,当电流增加时会发生什么呢?如果初级线圈匝数更多,则看起来N_p / N_s之比较高,而流向R_s分支的电流较低。 有人可以向我解释我误会了什么吗?为什么最好提高安培数,而不是仅使用输入交流电压或提高电压而不是电流? 编辑:很多答案都陈述了电流,电阻和功率之间的关系: P=i2RP=i2RP = i^2R 但是我们也知道,根据欧姆定律,负载两端的电压也是电流的函数: V=iRV=iRV = iR 因此,如果我们有大电流,那么我们也应该有一个高电压。现在,欧姆定律和变压器似乎不同意!

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为什么大多数实验室电源设备都不显示最大电流?
我不明白为什么大多数现代实验室PSU在恒压模式下都没有明确显示最大授权电流。 您必须设置电流,输出ON从0 A开始,流过几个mA,在该状态下设备状态会因为缺少能量而闪烁/不稳定,直至达到最大驱动电流,并且在操作需要时盲目升高一点在某个点上电流稍微多一点-而我想在输出OFF的情况下设置电压和电流,然后为电路供电。 我真的不明白为什么大多数实验室PSU不显示您设置的最大电流。对我来说,这似乎是最低的要求,就像设定的电压一样。我已经使用了十几个模型,只有一个模型具有“查看”按钮,可让您知道电压和最大电流。 我在滥用实验室电源吗?还是为什么没有在所有实验室PSU上都最大电流指示器?

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带烟气的双N / P沟道MOSFET裸片
我建立了以下N-MOS和P-MOS推挽双MOSFET电路。其目的是通过3.3V微处理器控制某些外部LED。 但是,似乎存在一个问题,当如下图所示连接12V电压时,双MOSFET芯片“ SI4554DY-T1-GE3双N / P通道”导致可怕的烟熏死亡。 即使没有连接负载且MOSFET未切换(空转),也会冒烟。 据我在数据表中所见,没有超过任何限制(V [GS] <20V,V [DS] <40V)。 您能帮助您确定问题吗?谢谢! 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

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电流中的自由电子
电流是自由电子的流动。这些自由电子是完全脱离金属原子的轨道,还是从一个原子的轨道跳到另一个原子的轨道而运动? 如果它们完全自由,什么会迫使他们继续呆在金属中(或保留在金属上) 谢谢

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电压信号和电流信号的含义有何不同?
这听起来像是一个疯狂的坏问题。但是我想知道,即使电流和电压不可避免性并存,为什么我们将这个术语用于一个概念(电流或电压)?如果某处有信号,则电流和电压同时出现。但是,我们仅命名其属性之一。 那是不是很了解其中之一?我的意思是说我们有一个放大器,如果我们仅将放大器设置为“已知电压增益”,我们就称它为电压放大器,如果我们将它设置为“已知电流增益”,就称为电流放大器?还是因为输入信号的性质? 您能否举一个输入信号示例并解释为什么将其称为电压或电流信号? 编辑:我的困惑没有解决。可以说我们有一个单级放大器。并且它具有输入和输出。因此,当您查看这种电路及其输入和输出时,是什么使您断定它是放大电流输入信号还是电压输入信号?命名输入信号类型的方法是什么?想象一下,两者都在增加。我仍然不知道如何区分。 编辑2:想象一个典型的公共发射极稳定偏置单NPN BJT晶体管放大器。例如:http : //www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amplifier9.gif?81223b。在这种情况下,基准电压是“偏置电压+小信号电压-发射极电压”。并且输入电流非常低。现在看输出。输出电压升高。好的。但是等等..输出电流也增加了,变成了“ beta * Ibase”。所以现在输入电流增加了,输入电压也增加了..这是电流放大器还是电压放大器?如果是X放大器,则表示输入信号是X信号。(X是电流或电压)

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所有组成部分都遵守基尔霍夫现行法律吗?
基尔霍夫的《电流定律》指出,流经节点的净电流始终为0。AFAIK源自电荷守恒原理。我的问题是,KCL是否适用于任何电气组件?例如,它适用于晶体管,集成电路等。 我认为它应该适用,因为否则,该组件将随时间累积电荷,我认为这不是一个稳定或理想的条件(通常)。另一种可能性是该组件将是“漏电”。例如,该组件将是“向空中投掷电荷”等。在这种情况下,该组件不是在累积电荷,而是将电荷从电路中移出。我想这通常不会发生。 所以我的问题是,基尔霍夫电流定律是否适用于任何电路元件?例如,如果我考虑电流方向,在给定时间通过集成电路引脚的电流相加,我会得到0安培吗?对于其他任何电路元件也是如此。净电流是否不为0安培?

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为什么要使用NPN达林顿晶体管吸收电流?
我注意到,NPN达林顿晶体管通常用于吸收电流。为此目的使用PNP会更有意义吗?这样可以避免同时使通过两个结的负载电流分流。当然,我们可能希望在两个晶体管之间共享电流。但在这种情况下,请注意,第二个晶体管仍在承受全部负载(一半通过CE路径,一半通过BE路径)。 因此,为什么晶体管最常用于吸收电流?而不是开车呢?我从来不明白这一点。 在上面的示例中,将(1)将负载置于晶体管下方似乎更明智;(2)使用PNP达灵顿;甚至更好(3)使用互补的PNP对,如下所示: 编辑: 为了澄清,我要问的问题之一是:为什么我们不能将这个NPN晶体管原样放置在负载上方?或者,就此而言,将PNP达灵顿放在负载下方?而且,当一对互补的配对看起来更干净时,为什么达林顿夫妇甚至存在?


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2.15GA电流?
我正在使用一个名为iCircuit的Android应用程序(我在这里问,因为iCurcuit论坛已经被抛弃了),当我使用3V电池和LED的电路时,它的电流为2.15GA。我是电子产品的新手,所以我想知道为什么它会给我这个,因为以前我已经将LED连接到3V电池,而且还不错。
8 current 

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威尔逊电流镜
我建立了一个超级威尔逊电流镜。Iin在24Vdc时为4-20mA。Iin到Iout的准确度非常差5%。我在源上将100欧姆电阻器接地,这有所帮助。如何提高输入和输出之间的精度?下面是我的电路 这是电路的仿真器链接:sim链接 编辑:500欧姆是使用镜子的电路的负载电阻。470欧姆是读取Iin电流的PLC的最大可能电阻。 屏幕截图:


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