Questions tagged «microcontroller»

更新：后续问题显示了我对最终PCB布局的看法。 我正在用uC布置我的第一块电路板（我在使用和编程嵌入式系统方面有相当丰富的经验，但这是我第一次进行PCB布局），这是STM32F103，这将是混合信号板同时使用STM的内部DAC和一些通过SPI的外部DAC，我对接地有些困惑。 这些问题的答案： 去耦帽，PCB布局 竞争PCB晶体布局建议 PSoC的混合信号PCB布局 明确指出，我应该有一个用于uC的局部接地平面，该接地平面恰好在一个点处连接到全局接地，并且在该点附近具有一个局部电源网，该局部电源网连接到全局电源。这就是我正在做的。然后，我的4层堆栈是： 本地GND平面+信号，uC，它是100nF的去耦电容和晶体 全局GND，通孔除外。根据亨利·奥特（Henry Ott）这样的消息来源，地平面是未分割的，数字部分和模拟部分实际上是分开的。 电源，IC下的3.3V平面，用于3.3V外部DAC的粗线，用于在模拟部分分配伏的。± 15±15\pm15 信号+ 1uF去耦电容 在板上更远处，模拟组件和信号位于顶层和底层。 所以问题： 我应该在uC之下突破全球范围，还是将完整的地面平面置于本地之下？ 电源平面：我打算仅在uC下使用电源平面，并使用过孔将电源带到去耦电容，并因此将uC带到顶层，因为在其他地方我不能真正使用太多电源。外部DAC应该是星形分布的，因此我为它们设置了单独的走线，电路板上的其余部分为伏。听起来还好吗？± 15±15\pm15 我同时使用uC的ADC和DAC，并在电路板的模拟部分中生成参考电压，然后将其带到uC的Vref +引脚上，并在电源板上进行跟踪。我应该在哪里连接Vref-引脚：局部接地，全局接地，或在电源平面上建立一条单独的走线，以将其连接至模拟部分中的全局接地，接地应保持安静？也许靠近参考电压产生的地方？请注意，在STM32上，Vref-与模拟接地VSSA引脚不同（我认为它会到达本地GND平面？）。 当然，这里对设计的任何其他评论也欢迎！

11 microcontroller  pcb  audio  pcb-design  mixed-signal 

我在我的项目之一中使用了德州仪器的TM4C1230C3PMI控制器。它具有32KB的内部闪存，不足以满足我的应用程序的需要。市场上有更高闪存大小的微控制器可以使用，但我只想使用该微控制器。据我所知，可以使用外部EEPROM来增加总闪存大小（程序存储器）。 我的想法是正确的吗？ 如果不是，请建议如何增加控制器的总闪存容量？

11 microcontroller  programming  memory  flash  eeprom 

我尚未使用RTC，因此我不太确定读取实时时钟的“正常”方式。我曾想过几种不同的方法，但希望对此有所建议。 到目前为止，以下是我想到的阅读和使用时间的方法： 获取开机时的日期和时间并保存到RAM，然后通过使用计时器中断每秒增加RAM值等。然后，只要需要知道日期/时间，代码就会使用RAM中的值。 通过使用计时器中断，每秒查询RTC并将接收到的日期和时间复制到RAM。同样，该代码将在需要知道日期/时间时使用RAM中的值。 每当我需要找出时间时，查询RTC并直接使用它的响应。 哪种方法最好？

11 microcontroller  rtc 

这个问题今天让我大吃一惊。 MSP430的历史是什么？它从什么时候开始的，它是由什么演变而来的，为什么产生了它（即，它试图达到什么目标/试图解决当前uC的技术限制），为什么将其称为“ MSP430”？ 互联网搜索仅显示了此要点，并没有多说。

11 microcontroller  msp430  history 

我设计了以下电路，以将12-20V信号连接到运行3.3伏特的微控制器。信号为20V或开路。 我希望电路尽可能具有弹性。它应该能够处理EMI和ESD。 R1用于限制电流并使晶体管偏置。 C1用于实现低通滤波器。 R2用于下拉晶体管基极并使电容器C1放电，20V输入为20V或开路。 D1用于保护晶体管不受基极负电压的影响。 R3上拉微控制器引脚。 欢迎对此电路进行任何评论和改进。 附带的问题：该晶体管可以承受的最大正电压是多少。数据表中规定峰值基极电流为100mA。如果基极保持在0.7伏，则输入可以高达1000伏（10k欧姆* 100mA）。但是，如果输入为1000伏，则分压器会将电压设为500伏。根据数据表，最大Vcb为60V。

11 microcontroller  pic  transistors  bjt 

这个问题与AVR的解码本身有关。 项目信息： 我们有一个使用ATMEGA644P的电池供电产品。该应用程序永久以睡眠模式运行，并且仅每秒唤醒一次（RTC）或触发两个外部中断线之一。 该器件具有一个非常简单的引导加载程序，该引导加载程序通过UART（使用RS232接口IC）进行通信。它只是一种方便的方法来更新固件，因此不需要硬件ISP编程器。（引导加载程序需要校验和安全的电报） 该设备设计为具有内部掉电禁用功能，因为它使功耗加倍，并且必须延长电池寿命（我猜应该使用外部掉电检测-重新设计正在进行中）。 问题： 每隔一个月设备就会停止工作，这些设备上不会执行固件更新。但是，在进一步检查之后，这些设备的闪存内容似乎已损坏。此外，其中一些设备的电池仍然不错，但我不想排除某些欠压情况。 这是原始闪存内容（左）与损坏的内容（右）的比较： 一些观察： 损坏的块始终至少包含一个闪存页面（256字节），并且是页面对齐的。换句话说：仅影响整个页面，不影响单个字节。 损坏的内容大部分时间读为0xFF，但也可能包含其他值或完全是“随机”的。 图像左侧的小条显示了所有受影响的区域。对于此设备，它大约占闪存总内容的十分之一。 我们有一台只影响单个页面的设备。 完全有理由认为，在写入闪存时出现欠压情况会损坏闪存内容。但是，这意味着必须执行一些闪存敏感指令。 可能是由于欠压导致控制器随机重启，并且引导加载程序代码在此期间的行为完全不可预测。引用另一个论坛中有关欠电压的消息： “不仅会执行闪存中的随机指令，而且还会执行随机的指令周期（不能保证闪存中的代码会正确读取和解释）。与此同时，单片机的其他部分可能无法按设计运行，包括保护机制。” 问题： 您是否认为“电压不足并执行某些指令以更改闪存页面中的数据期间的随机行为” -解释是否合理？如果真是这样，为什么我们一直没有看到这种错误，只是一些软件问题（堆栈溢出，无效的指针）的原因。 您还有其他想法会导致这种腐败吗？这可能是由EMI / ESD引起的吗？

11 microcontroller  avr  atmega  flash  failure 

我想知道选择双极结晶体管（BJT）与场效应晶体管（FET）（MOSFET或JFET）来切换微控制器负载的原因是什么。在我们的假设情况下，假设负载需要的电流超过微控制器可以提供的电流，并且问题是，在不考虑“易用性”的情况下，哪些考虑因素会偏向于或不利于BJT和FET开关设计。 这个问题是何时使用什么晶体管问题的更具体的版本 。

11 microcontroller  switches  mosfet  bjt 

在微控制器上使用弱内部上拉电阻（100k）时，我会遇到哪些不利条件？我想知道在这些弱上拉的情况下，敏感线（仅具有寄生走线/组件电容）如何受到EMI瞬变的影响。 具有3-4ms窗口的数字滤波可以降低产生瞬变的几率，但是在专业PCB上还有其他需要注意的地方吗？

11 microcontroller  emc  pullup 

给定一个运行以下代码的微控制器： volatile bool has_flag = false; void interrupt(void) //called when an interrupt is received { clear_interrupt_flag(); //clear interrupt flag has_flag = true; //signal that we have an interrupt to process } int main() { while(1) { if(has_flag) //if we had an interrupt { has_flag = false; //clear the interrupt flag …

11 microcontroller  c  low-power  c++  sleep 

我正在使用NXP LPC1100系列CPU，这是他们功耗最低的Cortex M0产品。但是，在数据表中指出，在最佳条件下（休眠模式+禁用所有外围设备），它仍然使用6 mA电流，我的测量结果证实了这一点。 我的智能手机（具有1Ghz CPU和许多活动外围设备）在待机状态下如何才能使用3 mA电流，而这款48Mhz Cortex甚至在不活动时也会使用更多电流？

11 microcontroller  arm  low-power 

PIC上的IOC和EXT中断之间的功能区别是什么？我当前使用的是PIC12F1822，除了需要做额外的检查外，还涉及IOC（即引起中断的引脚），两者是相同的。 有什么实际区别？您何时会使用其中一个？

11 microcontroller  pic  microchip  interrupts 

在我正在研究的设计中，我需要一些帮助来选择32.768 kHz XTAL的负载电容器。 这有点长，但是主要的问题是：正确确定负载上限值是否至关重要，以及走线和引线的寄生电容在确定这一点上有多重要。 我的设备使用TI CC1111 SoC，并且基于TI提供的USB加密狗的参考设计。CC1111需要48 MHz高速（HS）振荡器和32 kHz低速（LS）振荡器。参考设计将晶体用于HS振荡器，并将内部RC电路用于LS振荡器。但是，CC11111可以连接到32.768 kHz的晶体振荡器，以获得更高的精度，这是我所需要的。 CC1111 数据手册提供了一个公式（第36页），用于选择负载电容器的值。为了进行完整性检查，我使用该公式来计算参考设计中与48 MHz xtal一起使用的电容值。我认为我应该得到与设计中实际使用的大致相同的数字。但是我得出的电容值与TI使用的电容值不匹配，因此我有点担心。 我的侦查细节如下，但总而言之，48 MHz晶振的数据表说它需要18pF的负载电容。参考设计中使用的两个负载电容器均为22 pF。CC1111数据表中的公式将xtal引线上的负载电容与负载电容器（和C b）的值相关联CaCaC_aCbCbC_b Cload=11Ca+1Cb+CparasiticCload=11Ca+1Cb+CparasiticC_{load} = \frac{1}{\frac{1}{C_a} + \frac{1}{C_b}} + C_{parasitic} CloadCloadC_{load}CaCaC_aCbCbC_bCparasiticCparasiticC_{parasitic}CaCaC_aCbCbC_b 或者，根据TI应用笔记AN100， Cload=C′1×C′2C′1+C′2,Cload=C1′×C2′C1′+C2′,C_{load} = \frac{C_1' \times C_2'}{C_1' + C_2'}, C′xCx′C_x'CxCxC_x C1C1C_1C2C2C_2C′1C1′C_1' 我之所以这么问，是因为担心如果我选择了错误的负载电容器值，它将无法正常工作，或者频率将是错误的。这些类型的晶体对加载上限值有多敏感？ 我的侦查细节： 从参考设计zip文件中包含的Partlist.rep（BOM）中，晶体（X2）和与其连接的两个负载电容器（C203，C214）为： X2 Crystal, ceramic SMD 4x2.5mX_48.000/20/35/20/18 C203 Capacitor 0402 C_22P_0402_NP0_J_50 C214 Capacitor …

11 microcontroller  capacitor  crystal 

我想为电阻负载建立一个数字调光器。我为此找到了这个电路： 输入电压为220VAC 50Hz。 图片中的红色框为Zero Crossing Detection。 当交流电压过零时，微控制器将被中断，因此将检测到过零。因此您可以通过Triac在特定时间后触发来达到所需的电压Delay。您是否推荐此电路？如果是这样，请让我知道是否有任何IC要替换为Red Box（如图所示）以检测交流电压的零点（因为我的电路应尽可能小）？ PS：由于我需要该电路来减少负载的能耗，因此电路本身必须消耗最多5瓦的功率。

11 microcontroller  triac  opto-isolator  zero-crossing  dimming 

我是研究团队的一名本科生，从事一个涉及RF传输ASIC及其无线接收器的项目，该无线接收器最终应将数据发送到PC。 接收器输出快速，连续，异步的非标准串行信号（即非SPI，I2C，UART等），因此我的工作是编写微控制器软件以将接收器连接到计算机。当前，我的方法是使用边沿触发的中断将数据放置在循环缓冲区中，并在主循环中执行整个逐位解码过程。微控制器必须同时使用USB（虚拟com端口）将此数据输出到计算机。 这是我遇到的一个问题，也是我预期的一个问题： 即使使用强大的72 MHz ARM Cortex M3处理器，我也无法足够快地处理缓冲的数据。比特率是400 Kbps（2.5 us / bit）。作为参考，每位仅保留180个周期（包括解码和ISR，它具有约30个周期的开销！）。MCU还必须处理在主循环中轮询的许多其他任务。 USB虚拟com端口驱动程序也是基于中断的。这使我几乎可以肯定，驱动程序最终将中断处理器的时间如此之久，以致于错过了可能会传输位的2.5微秒（180周期）窗口。我不确定通常如何解决此类中断冲突/竞赛。 所以问题很简单，一个人可以做什么来解决这些问题，或者这根本不是正确的方法吗？我也愿意考虑减少以软件为中心的方法。例如，使用带有某种硬件状态机的专用USB芯片进行解码，但这并不熟悉。

11 microcontroller  usb  serial  embedded  design 

我正在尝试为PIC x16微控制器创建一个半抢占式（协作式）RTOS。在我之前的问题中，我了解到在这些内核中无法访问硬件堆栈指针。我在PIClist中查看了此页面，这就是我正在尝试使用C实现的页面。 我的编译器是Microchip XC8，当前正在使用在配置位中选择了4MHz内部RC振荡器的PIC16F616。 我了解到，可以通过查看编译器的头文件来使用C访问PCLATH和PCL寄存器。因此，我尝试实现一个简单的任务切换器。 如果我在重新启动，重置并在光标不在第一行（TRISA=0;）而不是另一行（例如ANSEL=0;）上时将调试器设置为光标后暂停调试器，则它可以在调试器中正常工作。在调试器的第一次启动中，我在以下位置获得这些消息Debugger Console： Launching Programming target User program running No source code lines were found at current PC 0x204 编辑：我不知道是什么使它起作用，但是调试器现在可以完美地工作了。因此，省略上面的输出和段落。 编辑：更改这样的主要定义使下面的代码工作。这将在程序地址处启动主要功能0x0099。我不知道是什么原因造成的。这不是一个真正的解决方案。我现在猜测存在编译器特定的错误。 void main(void) @ 0x0099 { 这是我的C代码： /* * File: main.c * Author: abdullah * * Created on 10 Haziran 2012 Pazar, 14:43 */ #include <xc.h> …

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