电气工程

该符号类似于焊桥，但两端都有连接。 该符号的含义是什么，以及该符号的等效pcb是多少

11 pcb  pcb-design  schematics 

这是试图针对以前提出的主题（仅在特定情况下）提出良好的一般性问答。 在为具有指定“差分阻抗”的差分信号对布置PCB板之前，您能描述一下我需要知道的吗？ 差分对用于各种高速串行总线，包括USB，MIPI，RS-422，RS-485，PCI Express，DisplayPort，LVDS，HDMI等。 “差分阻抗”的定义是什么？在PCB板上，是否需要像对电缆中的差分对那样绞合或交替布线？每个长度匹配的迹线的阻抗是“差分阻抗”的一半，还是更复杂？给定最大信号频率，长度匹配必须有多接近？ 可能有帮助的参考文献： 差分对路由 差分阻抗…最终简化了

11 pcb-design  differential  impedance-matching 

我正在恢复旧的电子管收音机。在查看原理图时，我注意到它们在电源变压器和整流管之间并联了2个电阻，而不是1个电阻。安装2个并联电阻器而不是一个电阻器有什么好处？

11 resistors  vacuum-tube 

我知道的可能原因之一是电容器的取值范围很广，并且可以比电感器更精确。还有什么其他因素导致在电感器上使用电容器？

11 operational-amplifier  analog 

我在7年级，正在使用不同的太阳能电池板阵列进行科学竞赛项目。我有3种不同的配置，连接了6个迷你面板。对于每种配置，我将所有正极线连接在一起，并将所有负极线连接在一起。我正在用万用表测量电压和安培。如果我将安培乘以电压，是否可以准确指示三种配置的输出？预先感谢您的协助！

11 solar-cell 

我正在阅读教科书中的示例。对于上述电路，作者声称，当R3小于100欧姆时，Q3将不会切换。我不知道为什么的“原因”。但是我用LTSpice验证了作者是正确的。他只是不解释原因。 如果说Q2接通时R3接近于零，为什么Q3也不能接通？

11 transistors  switches  bjt 

我需要检查微控制器在皮安范围内的低功耗。我只有一个能测量毫安的万用表，它显示为0。 有没有一种简单而精确的方法来测量皮安？

11 current-measurement 

在Atmel SAM-D21系列微控制器上，许多外围设备使用的时钟与主CPU时钟异步，并且对这些外围设备的访问必须通过同步逻辑进行；在时钟相对于CPU时间较慢的外设上，这会增加一些非常大的延迟。例如，如果将RTC配置为使用1024Hz时钟（这似乎是设计意图），并且CPU以48Mhz运行，则读取“当前时间”寄存器将导致总线逻辑插入超过200,000个等待状态（最小1024Hz时钟的五个周期）。尽管有可能让CPU发出读取请求，执行一些其他不相关的代码，然后在以后返回200,000个以上的周期来获取时间，但似乎没有任何方法可以更快地实际读取时间。 根据我对同步的理解，一个单位同步电路会将信号延迟目标时钟的2-3个周期。同步多位数量会比较困难，但是有多种方法可以保证目标时钟的五个周期（比源时钟快）在五个时钟周期内具有可靠的行为，如果不是，则只能保证几个周期。Atmel SAM-D21的工作将需要在源时钟域中进行六个周期来进行同步，并且哪些因素会有利于其同步延迟足够长以至于需要“同步完成”中断的设计，而确保同步的中断则需要一个周期。同步延迟足够短，以致于不需要此类中断？

11 arm  atmel  synchronous 

为什么去耦/旁路电容器不像常规滤波器那样需要电阻器来执行其功能？ 是因为铜走线的杂散电阻足以与电容器一起滤除去耦电容帽所针对的频率吗？

11 filter  decoupling-capacitor  low-pass 

我在我的项目之一中使用了德州仪器的TM4C1230C3PMI控制器。它具有32KB的内部闪存，不足以满足我的应用程序的需要。市场上有更高闪存大小的微控制器可以使用，但我只想使用该微控制器。据我所知，可以使用外部EEPROM来增加总闪存大小（程序存储器）。 我的想法是正确的吗？ 如果不是，请建议如何增加控制器的总闪存容量？

11 microcontroller  programming  memory  flash  eeprom 

我需要设计一个嵌入式软件，以驱动LTE蜂窝设备（例如u-Blox TOBY L2系列）及其TCP / IP堆栈，以将数据发送到远程服务器。 我正在等待设备在工作中交付。现在，我使用GPRS设备（u-Blox LEON系列）。基本上，我执行以下命令： 使用AT + UPSD配置PSD配置文件 用AT + UPSDA = 0,3激活PSD配置文件 打开插座，AT + USOCR = 6 使用AT + USOCO = 0，“ xx.xxx.xx.xxx”，“ pp”连接到服务器IP，其中xx是IP地址，pp是端口号 用AT + USOWR写入数据 这是一个非常基本的流程图，我不需要非常具体的设置，只需要默认设置即可。我没有使用AT + CGDCONT或其他任何配置PDP上下文。在GPRS和LTE网络中，使用AT + UPSD进行PSD的配置也许就足够了。 问题如下：显然，在设置网络配置（GPRS / UMTS设备的PDP上下文和LTE的EPS）时，GPRS / UMTS设备和LTE设备之间存在一些差异。我已经阅读了有关这些数据会话设置的所有内容，但我无法完全理解这些差异。 因此，当我从GPRS设备（LEON）切换到LTE设备（TOBY）时，在设置和/或AT命令方面会有什么不同？

11 gsm  network  at-commands  tcp-ip  gprs 

为什么波反射的概念似乎仅适用于传输线？例如，对于具有两个电阻R1 = 和R2 = 75Ω的简单电路，来自第一电阻的电压波的反射量为：ΩΩ\OmegaΩΩ\Omega ？Γ = 75 - 5075 + 50= 0.2Γ=75-5075+50=0.2 \Gamma = \dfrac{75-50}{75+50} = 0.2 然后这将意味着一个功率反射和1 - 0.04 = 96 ％功率传输。但是，入射功率是多少？（0.2 ）2= 0.04 = 4 ％（0.2）2=0.04=4％(0.2)^2 = 0.04 = 4\%1 − 0.04 = 96 ％1个-0.04=96％1 - 0.04 = 96\% 我猜您可以将其抹掉，因为“传输线和电阻是不同的东西”，但是它们之间的根本区别是什么？您在电阻中有一类电子在“行进”，并且我猜想，如果它们碰到另一种具有不同能力的电阻，则电子可以“行进”，那么它们应该部分返回，从而被反射。

11 resistance  transmission-line 

我在书中读到，LED发出的光强度不会增加超过一定电流值。 发出的光量取决于空穴和电子的组合。如果是这样，则随着电路中电子流的增加，有效组合也必须增加，从而导致更高的强度。 但是，通常为什么在超出特定值的LED中不发生这种情况？

11 led  current  light  semiconductors  optoelectronics 

光线会朝着板子向下照射，而不是向上并远离板子。 例如，在将电路板用作带有LED指示器的电容式触摸板时，这将很有用。设计人员要么在板上钻一个孔，要么在阻焊层和下方的铜板上留一个缝隙，然后让光通过玻璃纤维扩散。 我已经尝试搜索，但是似乎找不到任何表明存在此问题的文档。是因为没有，还是因为我搜索不好？

11 led  surface-mount 

这些天，我正在研究运算放大器；从我所看到的，至少在将它们连接为“同相”时，在电路中实现它们非常简单。通过计算两个电阻R1和R2（确定R2是否应称为“反馈电阻”），可以确定增益/放大倍数。 （图片摘自http://mustcalculate.com/electronics/noninvertingopamp.php。） 让我做一个实际的例子来说明我的问题在哪里： 在我的示例中，我选择将运算放大器（例如TLV272，它也是“轨到轨”）实现为“同相放大器”。然后，我想将10伏的电压增加到15伏（可以肯定的是，我将为15伏的电源供电给运放）。好吧：根据等式，我必须为R1选择一个20kΩ的值，为R2选择一个10kΩ的值，这等于3.522 dB的放大倍数（电压增益1.5）。 是的，但是我也可以通过选择R1为200kΩ和R2为100kΩ来执行相同的操作，或者增加这些值直到R1为200MΩ和R2为100MΩ（或者完全相反：R1为2毫欧，R2为1毫欧）：在所有这些情况下，我的增益仍为1.5，但电阻值的范围完全不同。 我无法理解标准（就范围而言）应如何选择这些电阻器。也许这个标准与运算放大器在其输入上必须操纵的信号类型有关？或者还有什么？在实际示例中，如果我使用“ R1 = 2kΩR2 = 1kΩ”和“ R1 = 200MΩR2 = 100MΩ”来增加信号，那会有什么不同？ 编辑：我已经看到我的问题已被编辑，也可以更正我的语法：谢谢。对我的拼写错误感到抱歉，但英语不是我的主要语言。下次，我将尝试使自己的语法更准确。

11 operational-amplifier  resistors  amplifier  calculus  component-values