电气工程

我对将微带线连接到u.FL连接器感到有些困惑。为了维持50Ohm的线路，走线宽度必须为〜0.1英寸宽，我有一个pi匹配网络用于“以防万一”，并与u.FL连接器一致。让我感到困惑的是，您如何将微带连接至0402封装电阻器？这是因为共面波导与组件封装更好地匹配会在其中表现更好吗？我将不得不成像很多反射，从而击中比走线宽度小得多的元件？ 我也很想知道这一点，却从未找到一个好的答案。对于非常短的波长范围（例如波长的1％），是否需要迹线阻抗控制？我给这虽然证据如下： Zin(ℓ)=Z0ZL+jZ0tan(βℓ)Z0+jZLtan(βℓ)Zin(ℓ)=Z0ZL+jZ0tan⁡(βℓ)Z0+jZLtan⁡(βℓ) Z_\mathrm{in} (\ell)=Z_0 \frac{Z_L + jZ_0\tan(\beta \ell)}{Z_0 + jZ_L\tan(\beta \ell)} 对于短波长，例如1/ ，等式变为： Z i n（ℓ ）= Z 0 Z Lλλ\lambdaZin(ℓ)=Z0ZLZ0Zin(ℓ)=Z0ZLZ0 Z_\mathrm{in} (\ell)=Z_0 \frac{Z_L}{Z_0} 我要插入连接器的天线是50Ohm，所以我相信这会是负载吗？或实际上是走线阻抗吗？ZlZlZ_l 我问的原因是，我基本上是从GSM调制解调器运行到u.FL连接器，并且以〜100ohm的阻抗（使用共面波导）运行轨迹，而不是在0.1 in的宽幅阻抗中运行将非常容易。跟踪微带。 更新： 自从被询问以来，我感兴趣的频率是L1 GPS（1.575GHz）和GSM频谱（800-2100MHz）。

10 rf  microstrip 

我正在尝试学习如何从stm32使用“新” HAL库。 当我尝试进行简单的ADC转换时，它只能运行一次，但随后会停止转换。我想转换结束标志未设置。我正在使用STM32f429I发现板，板上有STM32f429ZI。 请注意，我知道sprintf是一种不好的做法，并且使带有中断的adc更好，我知道，请不要指出这一点，这与问题无关，我只是在这里测试HAL。 所以问题是为什么未设置EOC标志，或者我应该怎么做才能使其正常工作？谷歌搜索没有太大帮助，因为那里关于HAL的好材料很少。 这是代码： __IO uint16_t ADCValue=0; void HAL_ADC_ConvCpltCallback(ADC_HandleTypeDef* hadc); int main(void) { char str[15]; /* Various initializations */ HAL_ADC_Start(&hadc1); while (1) { if (HAL_ADC_PollForConversion(&hadc1, 1000000) == HAL_OK) { ADCValue = HAL_ADC_GetValue(&hadc1); sprintf(str, "%d", ADCValue); BSP_LCD_DisplayStringAt(130,30, (uint8_t*)str, LEFT_MODE); } } void HAL_ADC_ConvCpltCallback(ADC_HandleTypeDef* hadc) { ADCValue = HAL_ADC_GetValue(&hadc1); } …

10 microcontroller  adc  stm32  stm32f4  hal-library 

这个问题的前提似乎成立，可以从各种渠道看到，包括： 比较LM317和LM337的各种克隆的数据表（太多，以至于无法列出，但是通常后者的数据表建议在输入上进行更多的去耦，比前者要高一个数量级，例如TI的LM317数据表建议使用0.1uF输入/电源旁路，而LM337则建议使用1uF。） 与此相关的是，针对uA78xx的TI 数据手册有一个分离轨电源原理图，其中正稳压器的去耦小于负稳压器的去耦。下面转载。 模拟应用笔记MT-101的负极引脚的PSRR低于正极引脚： 所以问题是为什么通常会出现这种不对称。

10 power-supply  decoupling-capacitor 

我知道电流高于LED额定值的电流会烧毁LED，但是电压会发生什么等效变化？ 如果正确的电流流过LED，但电压过高，是什么原因导致其烧坏？ 我只是看不到电压对LED有什么影响。

10 led  voltage  current  basic 

问题 我想将Gerber文件导入到Altium Designer PCB文档中以重新使用PCB内螺旋电感器，但是导入器无法以正确的方式解释Gerber文件。这里有人知道如何将Gerber文件导入Altium Designer布局吗？ 背景技术/我尝试过 的工作包含此PCB螺旋的设计是Linear Technologies的参考设计，这里有可供下载的设计文件（单击链接将下载一个.zip文件）。设计文件包含Mentor Pads PCB文件，也包含Gerber文件。 我正在使用的ECAD系统是Altium Designer 15.1。由于Mentor PADS PCB文件是二进制类型，因此我无法将其导入到Altium Designer布局文档中。Altium Designer只能导入ASCII类型的Mentor PADS PCB文件，我无权使用将PADS二进制格式转换为PADS ASCII格式的转换工具。因此，我试图将Gerber文件导入到Altium布局文档中。结果根本不对，只有一堆顶层铜。 我已经将Mentor PADS PCB文件打开到免费的Mentor PADS查看器中，并且设计看起来像应该的那样。我还将Gerber文件导入了CAMtastic（Altium Designer中内置的Gerber查看器）中，设计看起来像应该的那样。我还尝试从CAMtastic导出新的Gerber文件，然后将它们导入到Altium Designer PCB文档中，但是我对此并不走运。 添加到原始帖子（1） 我一直尝试将Gerber文件导入到Altium Designer PCB文档中的方法是，打开一个新的PCB文档，然后一次通过选择File->导入一个Gerber文件。导入-> Gerber文件。我第一次导入后就停了下来，因为我一团糟。 已添加到原始帖子中（2） 仅使用内置Altium CAMtastic查看器打开Gerber文件并不是我的完整答案。我想将这些Gerber文件中的一些设计元素转移到设计中，以供重用。

10 altium  eda  gerber 

我从来不了解1/4和1/2瓦电阻之间的区别，在我的所有EE实验课程中，我始终只使用1/4瓦电阻。什么时候使用1/2瓦电阻，1/4和1/2瓦电阻有什么区别？ 并联使用2到20欧姆1/4瓦电阻，与使用1到10欧姆1/2瓦电阻是一样的吗？

10 resistors  basic 

我一直认为，如果将IC接地，则可以在一侧将去耦电容器连接至VDD，在另一侧直接与接地平面连接，如下所示： 但是，据我从互联网的深处理解，这个拼写错误的指南告诉我，我一直以来都是错的，正确的方法是对从IC接地引脚到电容器的走线，然后将其连接到接地层： 我相信我在使用d），这在某种程度上是错误的。任何较有经验的人都可以对这个话题有所了解，首选哪种方法？谢谢。

10 capacitor  ground  decoupling 

我一直在一个OMAP Linux SPI主设备与6个SPI从设备外围设备（5个A / D转换器和单个磁力计）交互的项目中进行工作。 我可以设置SPI时钟频率，并尝试了50 kHz，100 kHz和1MHz。 我附上了一个接线图/电路板图，显示了SPI主设备和所有外设的长度。在我的实验案例中，与主机之间的SPI总线长度（所有导线长度）约为970mm。 我发现的问题是，当我在总线上添加更多其他外围设备时，与1个外围设备的通信失败。即使通讯通过总线远端的磁力计，与另一侧的A / D转换器的通讯也会失败，直到卸下磁力计线束根，然后A / D部分恢复。 我在这里做了一些阅读： SPI总线端接注意事项， 以及： 短距离板对板通信 建议将RC LPF放置在靠近任何驱动节点的位置，因此SCLK和MOSI分别位于主机侧和我的6x MISO / SOMI信号中的每一个。我已经看到针对具有47pF / 27R RC网络的USB采取的类似方法。我的意图是在我的电路上尝试此操作，以减少快速的〜100nsec边缘跃变。 这是添加RC LPF时遵循的正确程序吗？这似乎真的很动摇，是否有更好的做法？我看到了TI的一份应用笔记，他们在讨论如何将SPI扩展到更长的总线距离，这是一个合适的解决方案，还是我的问题仅仅是高速边缘过渡产生的高频谐波之一？ http://www.ti.com/lit/an/slyt441/slyt441.pdf 谢谢，尼克

10 spi  bus  signal-integrity 

我在阅读有关用于电子焊接的锡合金时，发现它的铅含量约为40％。铅，众所周知，由于是重金属，呼吸非常危险。另外，我发现在焊接时结合使用抽气机和呼吸器的一些建议。我应该使用哪种呼吸器进行国际规范化处理？如果不是，您推荐哪种类型？除此之外，是否建议使用其他安全设备？ 出于经济原因和更好的抗焊接性，我已经放弃了无铅回流焊。

10 soldering  safety 

这是我的STM32F429项目中的计时器代码： //timer initialization void timerInit() { uwPrescalerValue2 = (uint32_t) ((SystemCoreClock / 2) / 100000) - 1; RS485Timer.Instance = TIM5; RS485Timer.Init.Period = 67400000; // high value to notice interrupt even without debugging RS485Timer.Init.Prescaler = 400000; RS485Timer.Init.ClockDivision = 0; RS485Timer.Init.CounterMode = TIM_COUNTERMODE_UP; HAL_TIM_Base_Init(&RS485Timer); } void timerReset() { HAL_TIM_Base_Stop_IT(&RS485Timer); HAL_TIM_Base_DeInit(&RS485Timer); HAL_TIM_Base_Init(&RS485Timer); HAL_TIM_Base_Start_IT(&RS485Timer); printf("%d …

10 microcontroller  c  stm32  interrupts  timer 

关闭。这个问题是题外话。它当前不接受答案。 想改善这个问题吗？ 更新问题，使其成为电气工程堆栈交换的主题。 4年前关闭。 平板电脑已经在几年前成为主流，而锂离子电池的使用寿命只有几年。这为我们沙发土豆的新需求铺平了道路：能够在（锂离子）电池不再可靠且必须取出（且无可用替代品）时使用平板电脑。 为了使我的问题更笼统，因为我相信许多人将从如何解决此问题的建议中受益，所以我必须过于罗word。 问题： a）平板电脑（我们假定没有原理图），其电池膨胀到弹出的程度，打开了机箱 b）中没有可用的更换用电池从制造商或销售商; 其他类似容量的电池太大，无法容纳 c）似乎仅靠充电器不能在没有电池的情况下运行平板电脑，并且将膨胀的电池留在里面有点冒险。 解决方案的想法： 要使用适合的电路来模拟电池的存在，以便平板电脑在连接到充电器时就可以运行（我们假设原始电池完全放电后，平板电脑可以正常运行）。该电路可能使用较小的电池和/或超级电容器或其他魔术物品来执行以下操作（注意：仅严格要求I点）： I）强制性 - 在不带电池的情况下将平板电脑连接至充电器时进行操作。在这种情况下，较小的电池或超级电容器（甚至是电容器）将仅用作保护主板的缓冲器（这应该很容易），而可能需要其他一些电路来欺骗平板电脑，以为平板电脑确实存在电池，并且正在收费（这可能很棘手）。可以说，这里的主要目的是避免出现轰鸣声。 如有必要，可以从头开始构建定制充电器（或更准确地说，是电源）（使用7805，LM317或DC-DC转换器）-为其找到原理图没有问题。 II）可选 -较小的电池或超级电容器应充当临时缓冲区，为平板电脑供电几秒钟，以便在意外断开充电器的情况下进行软关机。 III）可选 -附加电路可能使平板电脑误以为平板电脑相信有电池（如上所述），并且已经充电到可以更新操作系统的程度（例如，我读过Nexus除非检测到已充电的电池，否则直接与充电器一起使用不会更新）。 需要参考的指针： 要实现第一点，我们需要知道 使用什么存储元件：（小于9mm的扁平）超级电容器会做什么？ 我们能否简单地用二极管将其连接到一侧的充电器引线以及电池引线在主板上的位置？ 我们需要一个热敏电阻来伪造过热保护吗？ 要实施第二点和第三点，需要了解以下内容： （最常用的）锂离子电池与主板如何通信 是否可以创建一个自定义电路，以伪造“电池没问题，并且已100％充电”的通讯方式，该电路足够小以适合电池尺寸？ 是否可以通过外观，主板的PCB和电池保护来推断充电电路的工作原理？ 欢迎回答单点问题。可以将部分解决方案用作解决一个人的特定问题的起点。如果需要，我可以张贴平板电脑电路的图片，但这会违反一般性的目的。 （我认为这个问题已经搁置了，不解决。我看了下面提到的指南，我认为它们不适用于这种情况。这不是单个设备的“维修”问题。这是有关如何创建新电路以使所有那些电池耗尽的平板电脑再次工作的一般性问题。我并不是说这样做会恢复气候变化，但可以保护两只北极熊，这些北极熊可以节省下来）

10 power  batteries  protection 

我创建了一个Eagle零件，该零件具有多个孔，可以焊接0.1英寸倾斜的可拆式公头，例如下面的一个。 但是，垫子上的孔太窄了！应该使用什么尺寸的钻头？我使用默认0.03149606

10 pcb  pcb-design  eagle  header 

目前有一个Google竞赛正在进行，称为小盒子挑战。设计一个非常高效的交流逆变器。基本上，逆变器会被馈入几百伏的直流电压，胜出的设计将取决于其以最高效的电方式产生2kW（或2kVA）输出的能力。还有其他一些标准需要满足，但这是最基本的挑战，组织者表示必须达到95％以上的效率。 这是一个艰巨的任务，这让我把它当作一种练习来思考。我已经看到了很多逆变器H桥设计，但它们都将PWM驱动到所有四个MOSFET，这意味着有4个晶体管一直在造成开关损耗：- 上面的图是我通常阅读的逆变器设计，但是下面的图令我震惊，因为它实际上将开关损耗降低了2倍。 我以前从没看过它，所以我想如果有其他人的话我会在这里-也许有一个我不认识的“问题”。无论如何，如果有人想知道为什么要发布此帖子，我决定不参加比赛。 编辑-只是为了解释我认为应该如何工作-Q1和Q2（使用PWM）可以生成（滤波后）“平滑”电压，该电压可以在0V和+ V之间变化。为了产生交流电源波形的前半个周期，Q4导通（Q3关闭），而Q1 / Q2产生PWM开关波形以产生从0度到180度的正弦波。对于第二个半周期，Q3导通（Q4断开） Q1 / Q2使用适当的PWM时序产生反相的正弦波电压。 题： 在这种类型的设计中我是否没有意识到某个问题-也许是EMC辐射或“它只是愚蠢而已”！

10 mosfet  switch-mode-power-supply  h-bridge 

TL，DR： 这是很多文本，因为我已经包含了大量的背景信息。但是，最终会有一个很好且精确的问题：当连接不同阻抗（例如50Ω和75Ω）的电缆时，我应该使用阻抗匹配网络吗？可能的答案可能会以“这取决于...”开头，这就是为什么我首先提供大量背景信息的原因。 介绍 我想摆脱沿着房子楼梯扔下的以太网电缆。我最初为卫星电视安装的现有备用同轴电缆似乎很有希望作为一种替代方法，干净地隐藏在墙壁中。就在我正要购买合适的小盒子对的Ethernet-over-天线式同轴电缆（75Ω，能够像270 Mbit / s的），我记得10base2-老式的BNC / RG58同轴以太网系统，认为10 Mbit / s足以满足我的需求。具有BNC连接器甚至是精美的“以太网转换器”（同轴到双绞线）的集线器的二手市场仍然非常好。我唯一不确定的是阻抗问题。10base2使用带有RG58电缆的50Ω安装，几乎所有用于家庭天线系统的同轴电缆（例如我的卫星电视备用电缆）的阻抗均为75Ω。 我现在很高兴地报告10base2足够坚固，可以处理通过10 ... 20 m不适当的75Ω同轴电缆的滥用。在那里，我修好了！好极了！ 但是... 我仍然很好奇我所做的黑客攻击是否真的很糟糕（例如：仅仅勉强够好）甚至是完全可以接受的。我用示波器看了信号。设置是这样的： 同轴电缆的50Ω和75Ω段之间没有任何匹配，结果表明反射噪声非常明显。尽管存在此缺点，但“眼睛”仍然张开，解码器可以高兴地完成工作，从而导致数据包丢失恰好为零。 我们正在查看由示波器附近的以太网集线器发送和接收的信号的组合。从“干净”的部分来看，传输的信号大约有 1.9 V pkpk，接收到的信号为1.6 V pkpk。如果可以安全地假设两个驱动器的输出幅度相同，则我们甚至可以计算电缆引入的损耗：20×log（1.6 / 1.9）dB = 1.5 dB。足够好了，因为对于15 m的典型同轴电缆（6.6 dB / 100 m）的计算得出1 dB。 当在同轴电缆的75Ω部分的近端或远端插入匹配网络时，噪声会大大降低。看起来像这样（本来源的版权）... 随着匹配网络的近端 ……，仍然有可见的反射从不匹配的远端传回。 在远端有匹配网络的情况下，在集线器和标记为“附近”的不连续处之间相对较短的50Ω电缆上也必须存在反射，但是正如我从朋友那里了解到的那样，示波器无法“看到”它们，因为它们被驾驶员吸收了。而且，“远”驱动器的一部分信号会被反射并沿75Ω电缆传播回去，并终止于远端的匹配网络： 与无与伦比的设置相比，来自远端的信号幅度大约减半了（-6 dB），这与预测网络上5.6 dB的损耗及其“看起来”的阻抗的理论非常吻合。入。 以上所有工作，即在近端或远端都没有匹配网络或一个匹配网络。“工作”是指我可以ping -f在数小时内完成工作，而不会丢失一个数据包。 现在，为什么不在“近” 和 “远” 使用两个匹配的网络？好吧，10base2设计用于RG58的最大长度为185 m，损耗为6.6 …

10 ethernet  impedance-matching  coax  manchester-coding 

我刚刚阅读了“电子艺术-Paul Horowitz”的第一页。在第二章晶体管中，它说明了NPN晶体管的四个特性（对于PNP，它是相反的）。 第二个属性说： 基极-发射极和基极-集电极电路的行为类似于二极管。通常，基极-发射极二极管导通，基极-集电极二极管反向偏置。 然后它说： 尤其要注意属性2的影响。这意味着您不能在基极-发射极两端施加电压，因为如果基极比发射极的正电压高出约0.6至0.8伏，就会流过大电流。 我不明白为什么？电流从基极流到发射极，因为基极-发射极是导电二极管，所以为什么不能在这两个端子上施加电压。如果我不施加电压，怎么会有电流流过？ 也， 因为如果基极比发射极的正电压高出约0.6至0.8伏，就会流过大电流 这个解释是什么意思？为什么解释为什么不能将电压施加到基极-发射极端子？

10 transistors