电气工程

在上图中，红色方波是RC电路的输入，蓝色波是RC电路的输出。当输入正弦波作为输入时，我无法理解为什么得到完美的正弦波。电容器必须花费一些时间进行充电和放电。所以我的直觉叫输出是周期为输入一半的某些周期波。有人可以帮我解决这个问题吗？谢谢！ 在时域中，它不应该这样做吗？ 在t = 0时，电容器的电压为0。由于输入电压很大，电容器会继续充电并在下降时遇到输入正弦波。 然后输入电压低于电容器电压，因此电容器开始放电，并在上升时再次遇到输入正弦波。

9 capacitor 

互联网上有很多关于开关电源的预期寿命的文章，但是大多数文章都讨论了PSU接近满负荷的情况。我正在设计一种需要待机状态的电子设备，正在使用具有24V-5A输出的COTS PSU，如下所示： 我的设备功耗几乎是这样的： 接近满负荷时的5％的时间。 55％的时间处于20％的满负载。 待机时间的40％（约占满负载的1％）。 我知道一切都取决于PSU的质量及其设计规格，但是中国供应商并未提供有关其产品的足够可靠的信息。尽管我们从负责任的供应商那里购买它们。 我通常可以期望PSU的使用寿命为10年吗？ 有人说，不管负载消耗多大，输入电容器（在高交流电压下）或光耦合器都会在几年后毁坏。是真的吗 如果是，那么其他许多电子系统，例如电视，多年来一直使用交流电源，如何解决了这个问题呢？

9 power-supply  switch-mode-power-supply  lifetime 

我的设备使用硅胶键盘来检测按键，而不是物理按钮。 设置后，即使不向键盘施加太大的压力，它也能平稳运行。 但是，过了一会儿（例如2个月），您将需要在键盘上施加很大的压力，然后才能检测到钥匙。这样会持续一会儿，然后无法再次检测到按键。 因此，我们用“甲基化的精神”打开并清洁PCB键盘迹线。它可以像新的一样工作。有时，我们会在键盘PCB迹线上看到黑色残留物，似乎是从硅胶键盘的导体上脱落的。我们将其清除，一切恢复正常。 我的问题是如何避免这个问题。

9 pcb-design  keypad 

我发现以下说明以及用于Agilent 34461A [1] [2]的一组测试线： 该测试线套件设计用于与Agilent 34xxxA万用表以及U274A，U3401A和U3402A万用表一起使用。请勿与Agilent 3458A一起使用。 我想它们根本没有经过校准，无法与其他电表一起使用，而对于3458A [3]则 “太差”了。但是，只要精度合适，有没有理由不将它们用于其他万用表？

9 multimeter 

我目前正在设计电容放电点焊机，并且遇到开关问题。 我计划使用几个串联的超级电容器在很短的时间内（最有可能少于100毫秒）放电约1000A。我计划将电容器充电至10V左右。 因此，我本质上需要一种能够提供非常高电流的短脉冲的设备。我不想一次性丢弃电容器的全部电荷，因此可控硅不是解决我问题的方法。我一直在研究MOSFET，这一点引起了我的注意：http : //www.mouser.com/ds/2/205/DS100728A( IXTN660N04T4)-1022876.pdf 但是，我不确定如何正确解释数据表。MOSFET能够在脉冲漏极电流状态下驱动1800A吗？还是将其限制为660A（甚至220A），迫使我并联其中一些？还是这些MOSFET之一可以吗？根据我的初步计算，没有任何其他电阻的情况下，直接连接至电容器的单独MOSFET将耗散900W左右的功率，这似乎在数据手册的范围内。 因此，从本质上讲，我是否正确解释了数据手册，还是需要订购其中一些MOSFET（如果是，那么您会猜到多少？）

9 mosfet  high-current  supercapacitor  high-power 

PCB的顶层，传输650 MHz / 1.3 Gbps （已校正：1.3 GHz）矩形脉冲的50 Ohm微带线。 为了保持良好的信号完整性，是否应该在走线的顶部去除阻焊油墨？

9 pcb  high-frequency  microwave 

这可能很明显，但是由于我仍然没有接受工程教育，所以遇到了这个问题： 这是什么的dV / dt是什么意思？它对可控硅有什么影响？

9 triac 

我想设计一个CC / CV（恒定电流/恒定电压）电路，在其中可以设置DAC的0至5V范围的电压限制或电流限制。我知道如何设计可变CC电路和CV： 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 这是我的问题，我需要设计一个相当准确的可编程恒压和恒流电路（输出需要为0.1％，且在DAC输入的100uV之内），恒流部分也需要类似的精度，并且能够提供0V至7V时为200mA。 我还具有温度要求和噪声要求，因此我将使用低tempco运算放大器和低噪声运算放大器来构建它。我现在不那么担心。现在，我正在尝试寻找一种好的电路拓扑，在所有有关此类电路的文献中都没有涉及。由于纹波，我不想使用DC到DC。 我可以用来构建精密CC / CV电路的电路拓扑是什么？ （如果需要，我还可以使用精密LDO）如果可以提供和吸收电流，则可以获得积分，我可以在电路周围构建电源轨。

9 power-supply  constant-current 

这是产品。我理解这个想法：这16个按钮使用4x4矩阵。行4线，列4线，我们有8根电缆。 但： 没有任何多路复用器怎么办？ 这样可以准确检测多个按钮的按下情况吗？即使按钮使用同一行或同一列？示例：同时按下位置（2,2）（2,3），（3,2）和（3,3）的按钮。 它是如何工作的？

9 digital-logic  switches  multiplexer  matrix 

我在书中阅读了以下内容： “当发射的信号通过电磁波通过空气时，它必须采取连续（模拟）波形的形式。” 为什么会这样呢？为什么信号不能采用数字波形形式？

9 rf  analog  antenna  radio 

我已经为一个项目开发了一块板，而打算将其组装在可插拔模块中的公司刚刚问了我一个奇怪的修改。 当前它是一个4层板：顶部信号，接地，电源，底部信号。很标准。 他们要我将接地层与底部信号层交换。这样，他们可以轻松地将机械外壳（具有较大散热片）与带有薄石墨层的接地层接触。它们旨在改善某些关键组件的散热，这些关键组件已经通过组件裸露焊盘与接地层接触。 我试图弄清楚这是否是个坏主意。这是我的注意事项： 板上路由的信号最多不是HF，最大10MHz，并且板上没有方波时钟。 某些信号的最快边沿建立时间只有几微米，并通过不同板子的连接器进入，因此它们可能已经被连接器寄生电容过滤掉了。 对于返回路径，使参考层远离信号层似乎是个坏主意。更好的堆栈可能是：（顶部信号，电源，信号，地线）。 另一方面，增加那些关键组件（一些非常低噪声的TIA）与参考平面的距离会减小寄生输入电容（当前约为0.5pF），从而降低TIA配置的输出噪声。 你的偏见是什么？ 您的评论的一些答案： 是否可以仅在底层添加多边形浇筑物？ 可能是，但是一个区域中有一堆无法重新路由的信号。由于石墨是导电的，因此我只能依靠阻焊层来避免短路，过孔的隔离可能是个问题（我不能使用帐篷式过孔）。 信号层是否被地面淹没？ 目前没有。主要是为了减少TIA对地的输入电容，但是我确实可以填充一些区域。 高温组件能否移到PCB的底部？ 不可以，由于其他组装和布线限制，它们必须位于顶层。 他们实际上在乎电源层在哪里，还是只希望底部接地？ 他们只是要求地面是底部。这就是为什么我考虑了备用堆栈（顶部信号，电源，信号，地线）的原因。 石墨是导电的。如果您的通孔没有完全拉紧/填充，您将面临整个问题。 我也很担心。此外，如果我没有从信号迹线中完全清除该区域，那我只是依靠阻焊层提供的隔离，这很容易被划伤。

9 pcb  ground  emc  pcb-layers 

我在PIC18F27K40单片机上的XC8有一个很奇怪的问题。在PIC16F1778上它可以工作。我定义了： void uart_putch(unsigned char byte) { while (!PIR3bits.TX1IF); TX1REG = byte; } 在我的main循环中，当我致电时uart_putch('a');，它工作正常。但是，当我定义const char c = 'a';并调用时uart_putch(c);，它不起作用。它打印出一些内容，尽管不是a-我认为它们是0x00字符，是我从中得到的hexdump -x /dev/ttyUSB0。这不是我计算机上串行端口的问题；我看了一下示波器，信号却不同（左起作用，右没有）： 代码很简单： void main(void) { init(); // Sets up ports and UART control registers while (1) { uart_putch('a'); // or c } } 我认为与之相关的任何字符串函数（puts，printf等）也不起作用，因此在这个问题中，我用字符做了一个最小的工作示例。 使用变量时生成的程序集c具有： _c: db low(061h) global __end_of_c _main: ; …

9 microcontroller  pic  c  microchip 

我有一些电容器烧断了，我不确定是什么原因造成的。绝对不是过电压，也不是错误的极化。让我介绍一下场景： 我使用这种方案设计了一个双级升压转换器： 可以从以下命令获得：其中D_ \ max是最大占空比。 Vout=Vin/(1−Dmax)2 Vout=Vin/(1−Dmax)2\ Vout=Vin/(1-D_\max)^2DmaxDmaxD_ \max 我想升压的输入电压 12V到100V的输出电压。我的负载为100Ω，因此会消耗100W的功率。如果我不考虑任何损耗（我知道我正在成为理想主义者，请冷静下来），则输入电压源将提供8.33A的电流 我们可以将电路分为两个阶段，第一阶段的输出是第二阶段的输入。这是我的问题： 当C1两端的电压达到大约30V时，它会烧断。C1的额定电压为350V，它是一个22uF的电解电容器（径向）10x12.5mm。我完全确定两极分化是正确的。 第二阶段的输入电流（理想情况下）应在3.33A左右（以使该阶段的100W保持30V）。我知道电流可能更高，但这是一个很好的替代方法。开关频率为100Khz。 由于某种原因，瓶盖炸毁了，我真的不知道为什么。当然，发生这种情况时，盖子（死角）很热。 这可能是ESR的影响吗？该电容在1kHz处的耗散系数为0.15。 因此，C1的（DF也会增加以产生更高的频率）。|Xc|=1/(2∗pi∗100Khz∗22uF)=0.07234Ω|Xc|=1/(2∗pi∗100Khz∗22uF)=0.07234Ω|X_c|= 1/(2*pi*100Khz*22uF) =0.07234Ω ESR=0.15∗0.07234=0.01ΩESR=0.15∗0.07234=0.01ΩESR=0.15*0.07234= 0.01Ω 由于L2很大，我希望C1会提供一个相当恒定的电流，该电流等于第二个点的输入电流（3.33A），所以ESR的功耗应该约为：3.33A2∗0.01Ω=0.11W3.33A2∗0.01Ω=0.11W3.33A^2 * 0.01Ω = 0.11W 这会使其变得过热并爆炸吗？我对此表示怀疑.... 附加信息： L1约为1mHy L2约为2mHy D1是一个肖特基45V二极管 我尝试了两个不同的电容器：炸毁的160V 22uF，然后尝试了也炸毁的350V 22uF。 由于PCB布局的原因，很难测量盖中的电流 第一和第二MOSFET都有一个小的缓冲RC网络。我认为这不会在C1中引起任何问题。 我在等你的想法！ 编辑n°1 = L1很大，纹波仅为额定输入电流的1％（假设100W / 12V = 8.33A），因此que可以假定它几乎像是阶段1输入处的恒定电流。对于阶段2电感电流纹波小于5％，我们也可以认为它是恒定电流）。当MOSFET 1导通时，大约有8.33A电流通过，但是当它截止时，该电流（我们说“实际上是恒定的”）将流经D1。可以说电容器中的电流为。然后我们最终发现C1中的峰值电流必须在。电流很大！它将耗散 ...但看起来在ESR中没有耗散太多功率。ID1−IL2ID1−IL2 I_{D1} - I_{L2} 8.33A−3.33A=5A8.33A−3.33A=5A …

9 capacitor  dc-dc-converter  boost  power-dissipation  esr 

我有两个电动机（看起来像这样）并联连接并连接到9 V电池上。最初，电动机A打开，电动机B关闭。当我打开电动机B时，电动机A的速度降低-当我关闭电动机B时，电动机A的速度恢复到先前的值。 如何防止这种行为，即无论另一台电动机是打开还是关闭，我应如何使电动机以相同的速度运行？

9 power  motor  dc  dc-motor 

我对电阻和电压的理解是可怕的。我听说根据基尔霍夫定律，（用我的话，请更正）电路使用的电压必须等于提供的电压。例如，如果我有9 V电池，则必须全部用9V。 假设我有一个典型的正向偏置电压为3.1 V的LED，这意味着它在发光时会损失3.1V。如果使用9 V，LED会烧毁吗？ 这很可能是对的，但是一个很好的例子确实会使我的理解更加直观。

9 voltage