电气工程

电子和电气工程专业人士，学生和爱好者的问答

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盒带在播放时是否改变其速度？
该问题是从Physics Stack Exchange 迁移而来的，因为可以在Electrical Engineering Stack Exchange上回答。 迁移 2年前。 看着旧的盒式磁带， 从磁头的POV来看，它以速度读取（磁性介质以速度滚动）。vvvvvv 但是，请看右轮，这是汇集磁性介质的轮-其半径随着时间的推移而增大（！）。 现在，，其中是角速度，即一个常数v=rωv=rωv=r\omegaωω\omega 题 我认为那不是真的。这到底是怎么回事？当然，半径会随着时间增长。我还假定是恒定的。所以没有增加？ωω\omegavvv
26 motor  music 
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热交换计算机零件如何工作？
计算机支持热交换，因此用户可以在系统运行时更换硬盘驱动器。那主要是软件只是关闭了硬盘驱动器的电源，还是涉及某些特殊的硬件？如果没有特殊的硬件，那么我想您可以热交换任何驱动器，但是似乎该驱动器必须在硬件中支持它。
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使用汽车电池在同一房间睡觉安全吗？
我在同一个房间里睡着两节汽车电池。我不是电池专家，所以我不知道他们是哪种类型。我尝试寻找电压，但没有发现电压印在电池上。它们是标准的酸性电池，我用它们为LED灯供电并为手机/笔记本电脑充电。 有人告诉我它们散发出危险的化学物质，在同一个房间里睡觉并不安全，这是真的吗？ 我只发现了另一个与此类似的线程，但这是关于深循环电池的，我认为这些与汽车电池不一样。
26 safety 
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为什么电阻的公差是相对的而不是绝对的？
每个电阻都有公差，这为用户提供了产品精度的想法。该公差用百分比表示。这意味着：大阻值的电阻将比具有相同容差的小阻值的精度低。 1kΩ10%∈[900Ω,1100Ω]→100Ω1kΩ10%∈[900Ω,1100Ω]→100Ω1kΩ 10\% ∈ [900Ω , 1100Ω] → 100Ω 100Ω10%∈[90Ω,110Ω]→10Ω100Ω10%∈[90Ω,110Ω]→10Ω100Ω 10\% ∈ [90Ω , 110Ω] → 10Ω 100Ω10％电阻将比1kΩ接近100Ω，而10％电阻将接近1kΩ。 这是为什么？因为高阻值的电阻比小阻值的电阻难生产？如果不是，为什么公差是百分比而不是固定的欧姆数？为什么公差是相对的而不是绝对的？ 这些问题对电容器也有效，但是我很确定答案是相同的。
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直流电刷电动机是否有理想的PWM频率？
我将使用微控制器创建用于电机控制的PWM信号。我了解PWM和占空比的工作原理，但是我不确定理想的频率。我还没有电机，所以我不能仅仅进行测试并找出答案。 我不会改变电压，只是在它收到给定电压的时候。那么我可以假设线性响应吗？在10％的占空比和24 V的电源下，它将以15 RPM的速度运行吗？ 如果有什么不同，我将包括设置。我直接将24 V电源连接到控制电动机的H桥。显然，我有两个PWM引脚从MCU到两个使能MOSFET的栅极。 编辑：对不起，该链接似乎不起作用。我猜防火墙在工作中不喜欢imgur。图片描绘了RPM与电压的关系图。从50 RPM @ 8 V到150 RPM @ 24 V是线性的。
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在PCB上发生异常化学反应（SMPS电路）
我的PCB上有smps电路，电压为220V至5V（使用Viper22a）。这是原理图： 这是电路板布局： 在黄色圆圈区域中，我在一些PCB（底部层）中看到某种白色沉积。请看下面的图片： 一旦刮掉，它就会带走防焊层。沉积从两个辅助绕组引脚开始，并延伸至二极管（底层）。其余区域似乎不受影响。其背后的原因可能是什么？如何避免这种情况？ 我认为某种化学反应之所以发生，可能是由于制造过程中使用的廉价材料，或者可能是由于焊接后焊剂清洗不当造成的。但同样，一次绕组应具有较高的电压，因此对于此类化学反应应有更好的位置。 我看不到那个地区的温度上升。摸起来很冷。 更新：我感觉这是某种化学反应。我立即检查了放置PCB的位置，发现了以下内容： 我将裸露的有源PCB放在大理石上，认为它是绝缘的。助焊剂首先在大理石中引发离子崩解，然后看起来像酸痕迹，然后直流电流进一步推动了反应。看起来白色沉淀物是沉积的钙。从大理石图像可以看出，它似乎已被腐蚀。触摸时，感觉好像有人在滴一滴酸。
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用电阻减慢数字线路的速度为什么很好？
我听说，有时建议通过在其上放一个电阻来“减慢”数字线路的速度，比方说在一个芯片的输出和另一芯片的输入之间使用100欧姆的电阻（假设使用标准CMOS逻辑；信令速率相当慢，例如1-10 MHz）。所描述的好处包括减少EMI，减少线路之间的串扰以及减少接地反弹或电源电压骤降。 令人费解的是，如果有电阻，则用于切换输入的总功率似乎要高得多。被驱动的芯片的输入等效于3-5 pF的电容器（或多或少），通过电阻充电可以吸收存储在输入电容中的所有能量（5 pF *（3 V）2）。和切换期间，在电阻器中耗散的能量（比方说10纳秒*（3 V）2 /100欧姆）。包络线计算表明，电阻器中耗散的能量比输入电容中存储的能量大一个数量级。如何必须更加努力地驱动信号才能降低噪声？
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这种不寻常的LCD控制器技术是什么？
前言：即使您没有明确的答案，我也非常希望收到任何曾经看过使用该技术的LCD的人的反馈。 我最近拆解了1990年代后期的佳能数码相机，并获得了不寻常的LCD显示屏。与现代LCD上使用的标准玻璃上芯片控制器技术不同，这一技术似乎将芯片嵌入玻璃中。 这是有问题的相机，佳能PowerShot S100 2MP Digital ELPH： 链接到亚马逊：http : //www.amazon.com/Canon-PowerShot-Digital-Camera-Optical/dp/B00004TS16 它似乎最早于1999年9月4日在亚马逊上出售。我找不到有关何时发布的其他信息。 当我拿出显示器时，我注意到显示器周围的金属边框只有大约4mm，扁平的柔性电缆直接连接到玻璃上，没有容纳标准控制器芯片的空间。从边框左上方和背面可以看到，该显示器似乎是由Sony制造的。 我决定删除金属边框，背光和滤镜，但仍然找不到控制器芯片。但是，显示器周围有一个黑色区域，似乎涂在LCD的顶层上，这使我对它所覆盖的东西感到好奇。我决定使用对其他显示器有用的以下过程删除顶层： 从显示屏上卸下顶部和底部偏振器。 使用与连接器平行的锋利工具在显示屏顶部的中心划痕。 将显示屏放在塑料袋中以帮助清洁。 将平头螺丝刀平行于连接器，放在显示屏中央。 用逐渐增大的强度敲击螺丝刀的手柄，直到顶层破碎。 从袋子中取出显示器，然后取出破碎的顶层。 清洁显示屏，以除去两层之间的小玻璃碎片和凝胶状物质。 它奏效了，我能够隔离底层。控制器集成电路似乎嵌​​入在玻璃中，并分布在显示器外部。这是一些非常特写的图片： 我在互联网上找不到有关此技术的任何信息，甚至只是说它存在。这里有谁知道它叫什么，为什么使用它而不是玻璃芯片，何时使用，以及上面是否有任何信息？外面有人看过吗？ 相关的问题，如果有人知道为什么：为什么相机中使用的LCD像素交错排列（请近看我的照片或亲自看一下相机的LCD）？
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晶体管符号中的箭头指向（和指向）什么？
晶体管符号通常根据类型而用指向一个方向或另一个方向的箭头来绘制，例如以下符号： 但是，箭头实际指向的是什么？他们从哪里指向？每个符号背后都有相同的原理吗？如果是，为什么它们有时会指向晶体管，有时指向晶体管呢？ 为什么箭头指向不同类型的不同起源（有时是基极，发射极，栅极，源极等）？ 箭头的方向后面是否有任何一般性原则？
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PCB铜层上的“桥”
我遇到了一个设计，其中每个焊盘都使用4个“桥”连接到GND铜制躺椅。这些“桥梁”背后是什么？为什么不使用仅定义掩膜的阻焊层制作完整的铜层呢？
26 pcb  pcb-design 
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如何选择ARM Cortex M3微控制器？
基于对36至72 MHz范围内的粗略要求，具有16kb + SRAM，128kb +闪存，可以用C编程，我决定对于我的应用程序，我想使用ARM Cortex M3 MCU。 问题是，人们使用什么标准来选择要使用的M3版本？有许多可能的供应商，例如TI，ST，NXP，飞思卡尔等。 在我看来，主要的区别在于易于编程。理想情况下，我在突破/开发板上进行测试，然后在自己的PCB中进行实施。
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