Questions tagged «fet»

场效应晶体管(Field Effect Transistor),一种晶体管,其中大部分电流沿沟道传输,该沟道的有效电阻可由横向电场控制。FET的常用类型包括金属氧化物半导体FET(MOSFET),而在最近的设计中较不常见的是结栅FET(JFET或JuGFET)。



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为什么(不)在FET栅极上放置电阻?
在思考保护MOSFET的方法时,一个想法是在门前放置一个极高的电阻:该想法是永远不要让电流流过门,因此,如果某些瞬态威胁门,则电阻会限制电流,可能会阻止FET烧坏。 实际上,在研究MOSFET保护时,我遇到了这种集成保护的产品,该产品的功能包括“内部串联栅极电阻”,如图所示: 如果这个想法是正确的,那么问题是:为什么不总是在任何FET的栅极之前放置一个兆欧电阻? 还是出于实际原因,栅极电阻通常不会保护FET?甚至会对性能产生不利影响?

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为什么这个简单的FET电路具有这种行为?
在上面的电路中,当按下并释放S1时,LED点亮并保持点亮状态。为什么会这样呢?我无法直接用DMM测量栅极电压,因为连接DMM会使LED保持不亮状态。 如果LED点亮(按下并释放S1),则按下并释放S2时,LED将按预期方式熄灭。 我浏览了有关FET的ECE入门书籍一章,似乎没有提及这一现象。
15 led  fet 

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良好的做法是使大量电流流过MOSFET吗?
我一直在寻找一种控制项目中大量电流的好方法。在某些情况下,在12-15 V时这可能是40-50安培。虽然继电器是一个不错的选择,但它们是机械的,因此需要一段时间才能激活和磨损。 我已经看到MOSFET(如IRL7833)被宣传为能够处理这些苛刻的任务。但是,考虑到FET的尺寸,让这么多的功率通过它使我感到不舒服。这是一个有效的问题吗?

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什么会导致FET的漏源短路?
背景: 我在开关电源中使用Si7456CDP N沟道MOSFET。电源和负载位于塑料外壳中。昨天,电源和负载运行正常。今天早上,当我打开电源时,没有任何反应。没有电。最终,我发现MOSFET的源极和漏极短路在一起。更换MOSFET解决了该问题。 题: 是什么原因导致N沟道MOSFET突然因源极-漏极短路而发生故障?

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音频放大器使用的最佳晶体管
这个学期,我们将设计一个音频放大器。到目前为止,在我们的演讲中,我们仍在BJT上,根据我所听到的内容,与BJT上的详细内容不同,将仅部分讨论FET。无论如何,我想尽早提出一个想法,以便我可以计划要使用哪种晶体管以获得最佳音频放大效果。我读过一些文章,其他晶体管(BJT / FET)的性能如何更好,但是其他论坛则指出,性能不取决于组件,而是取决于晶体管的正确偏置方式和电路的正确设计方式。 在设计音频放大器时,晶体管的四个子类型中哪一个最有效?(NPN / PNP / JFET / MOSFET) 顺便说一下,我教授的要求就是这样:打动我。目前,我的小组尚未决定具体的电路(功率,阻抗等)。

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使用晶体管作为开关,为什么集电极上总是有负载
我在参考电路中发现,当BJT用作饱和模式的开关时,负载始终在集电极上。对于NPN,发射极接地,对于PNP,发射极接地,如下所示: 为什么负载总是集中在收集器上而不是相反? 由于晶体管仅用作开关,是否还可以使用FET代替BJT? 如果使用BJT来复用多个7段显示器,则所有7段的电流都应流经晶体管。那么,当在饱和模式下每7段单元使用分立晶体管时,不同晶体管的不同电流增益值是否会导致7段显示器的亮度差异?

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识别GaAs FET结构
我发现祖父的照片中有一张我认为是RF GaAs FET的照片。这张照片过时(1975年)时,他正在GaAs FET实验室工作。它的背面标有“台面的300μm栅宽”。 我认为这与1977年提交的美国专利US4160984A有关。他被列为发明人之一。 这种结构对我来说是陌生的;栅极,源极和漏极在哪里?有关该结构的任何其他信息将不胜感激。

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选择并偏置由微控制器控制的MOSFET,电流重要吗?
我需要为这里介绍的电路选择MOSFET时需要一些帮助,我本来是使用BJT设计的,但在这种情况下FET更具意义。 FET将由PIC24控制,该PIC24向FET发送逻辑高或逻辑低。我知道FET是电压控制的设备,但我想知道是否还需要最小电流来接通FET? 如果是这样,是否需要对FET施加偏置以使PIC24能够提供足够的电流来开启FET? 我对偏置FET也不是很熟悉,所以我也对内部经过预偏置的FET感到好奇,但是在Google上很难找到它们。您还能推荐其他资源吗?
8 voltage  pic  mosfet  fet 
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