电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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交流线中的火花导致Arduino重置/挂起
这是我最近一直在从事的项目的PCB设计(我的第一个PCB设计)。 这个想法是在没有继电器的情况下控制交流设备(风扇,灯泡等)。我使用的三端双向可控硅开关元件在这些应用中比继电器更好。我正在使用光电隔离器来与交流线路完全隔离。我尝试使用连接到笔记本电脑(未插入充电器)的USB电缆以及壁式适配器(12V)运行arduino。 起初,电路似乎工作正常。我能够使用UART将代码转储到控制器和控制灯泡中(打开/关闭以及使其变暗)。我通过UART发送命令。但是,似乎只要交流线路上有火花(当我插入/拔出风扇)时,微控制器都不会感到高兴。有时它会重置(这是图片的更好部分),而其他时候它会挂起,而我无法通过UART发送命令。我不确定烧录的代码是否也会受到影响,但是有时我不得不重新上传代码。如果我打开/关闭其他房间的风扇,则没有任何效果。 可能的问题: 1)PCB上没有接地层。 2)由于火花引起的某种EMI。 我还尝试以与风扇相同的方式插入热水器(800瓦电阻负载),但没有任何反应。因此,我认为正是电感性负载带来了问题。 对于该问题的任何建设性解决方案将非常可取。 谢谢。

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为什么要设置AT命令?
坦白说,为什么所有的通信IC(或至少许多,或者最著名或最受欢迎的),如蓝牙或WIFI或GSM等,都支持AT命令集?他们为什么没有用于D / C(数据或命令)的简单引脚进行通信?使用AT命令集有什么好处? AT命令集很大,会占用时间和内存空间,并且使通讯变得困难,而您可以使用简单的D / C引脚并发送整数来设置寄存器或发送数据。


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查看Bode图有哪些见解?
在学校学习了该工具之后,鉴于对Bode绘图的重视程度,传闻该工具在工作场所使用的频率,以及使用的频率很少,对我来说,整个Bode绘图的概念仍然让我有些失望它实际上似乎提供了。在分析性地绘制博德图上存在很多争议,但对其解释却很少。这件事与现实生活有什么关系? 大多数Bode图看起来像这样: 老实说,我对这个情节没有任何印象。博德图告诉我的是,随着频率的升高,在1 Hz的频率上,系统响应出现一个峰值,然后又下降(惊喜)。相位有点难以捉摸,似乎告诉我,信号随着频率的上升而经历更大的延迟。 经验丰富的工程师从这些Bode图中可以得出一些结论。是否有不明显的事情使我无法看到这些波特图的效用? 由于我没有对Bode图进行大量的现实生活工程工作,因此有人可以给我展示一个实际系统的Bode图的示例,该示例实际上提供了一些更有趣的见解吗?
15 bode-plot 

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需要帮助以了解DigiKey / Mouser“开关功能”术语
我首先阅读了Spark-Fun教程中的Switch Basics,以帮助我更好地了解如何使用DigiKey / Mouser Advanced搜索术语查找要查找的内容。 我知道我正在寻找一个可维护的闩锁开关,在该开关上按一次可打开,再按一次可关闭。 当我在“开关功能”部分下查看DigiKey / Mouser高级搜索时,我发现: DigiKey: 非妈妈 妈妈外 妈妈 妈妈开 关开:这是否意味着开关最初处于关闭状态?然后在按下时打开? 开-关:这最初是指开吗? 开-关,开-关:这是一种切换类型吗? 开-关-关 Mouser: (开关) 关-(开) 开关) 开关 每个功能之间有什么区别?
15 switches 

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超过24 GHz的通信怎么可能?
我读过一篇文章,谷歌希望美国的无线频谱用于基于气球的互联网。它说使用超过24 GHz的频谱进行通信。 是否有可能通过使用压电晶体来产生这种高频?还是使用PLL倍频器? 即使有可能生成该高频信号,并且希望在每个信号周期发送1位,也必须有一个工作速度比24 GHz快得多的处理器。在气球上怎么可能?


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受管制的焦耳小偷:为什么有效?
请向我解释为什么该电路可以给我5V稳压电源?我了解焦耳小偷(Joule Thief)部分,但为什么调节器部分起作用? 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 尤其是,为什么齐纳二极管D2对于防止1117和MCU油炸至关重要,为什么电容C1不能始终充满电? - 编辑 - 由于你们建议闭环设计,这样看起来更好吗?(提醒您,MCU的脉冲电源轨不会太好,因此我只将LDO留在此处,使其具有尽可能小的净空以实现适当的调节。) 模拟该电路 修改上述方案以包括建议的电阻器Olin。 - 编辑2 - 这样可以减少损失吗? 模拟该电路 在此原理图中调整R2,以便当C1两端的电压超过6V(此处有1117的裕量)时,JFET会截止。
15 protection  boost 

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具有运算放大器的反相缓冲器
我知道用运算放大器(作为电压跟随器)制作单位增益缓冲器很容易: 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我也知道,使用运算放大器(反相放大器)来制作反相缓冲器很容易:[R1= R2[R1=[R2R_1 = R_2 模拟该电路 但是,该反相放大器的精度取决于和R 2的精度-如果它们不紧密匹配,则输出将与− V i n有点不同[R1[R1R_1[R2[R2R_2− V我ñ-V一世ñ-V_{in}。 有没有办法用一个不依赖于这些电阻器(例如电压跟随器)精度的运算放大器来制作反相缓冲器?获得高精度电阻器是一个更好的主意吗?


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如何在ARM Cortex A9上实现关键部分
我正在将一些旧代码从ARM926内核移植到CortexA9。此代码是裸机代码,不包含操作系统或标准库(全部自定义)。我遇到了与竞态条件有关的故障,应该通过对代码进行严格的分段来避免这种情况。 我想对我的方法提供一些反馈,以了解我的关键部分是否可能未正确为此CPU实施。我正在使用GCC。我怀疑有一些细微的错误。 另外,是否有一个开源库具有针对ARM的这些类型的原语(甚至是一个很好的轻量级的spinlock / semephore库)? #define ARM_INT_KEY_TYPE unsigned int #define ARM_INT_LOCK(key_) \ asm volatile(\ "mrs %[key], cpsr\n\t"\ "orr r1, %[key], #0xC0\n\t"\ "msr cpsr_c, r1\n\t" : [key]"=r"(key_) :: "r1", "cc" ); #define ARM_INT_UNLOCK(key_) asm volatile ("MSR cpsr_c,%0" : : "r" (key_)) 该代码的用法如下: /* lock interrupts */ ARM_INT_KEY_TYPE key; ARM_INT_LOCK(key); <access registers, …
15 c  embedded  interrupts 

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测试和验证之间有什么区别?
我看过的每本教科书都充分说明了测试和验证是两个不同的概念。然而,它们都没有一个清晰的(最后对我来说不够清晰)的区别。 为了提供一些背景信息,我对使用硬件设计语言(HDL)验证数字硬件设计感兴趣。 我已经看到了一些解释,这些解释诉诸于“物理”或“有形”差异:如果是关于制造的设备,那么它就是测试。这是整个故事吗?如果是这样,为什么在验证中经常出现“测试”一词(尤其是在功能验证中,我们谈论的是测试用例,测试平台,DUT(被测设备),定向测试,随机测试等。)

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为什么声波是许多位置探测器的最佳选择?
所以我目前正在做我的高中期末项目,基本上是Radar :) ... 我正在使用SRF05检测器来检测设备表面附近的物体。我目前的任务是学习和总结将在最后组装的所有不同组件。(UART,MAX232 74HC244等,如果您想知道:) 我的老师告诉我,我对这些组成部分了解得越多,我的工作和考试就越好。所以这是我的问题:为什么声波是SRF05的最佳选择?此外,为什么选择超声波呢?使用声波而不是看不见的光波,热量或任何其他可以完成工作的方法有什么好处?例如,光传播得更快,因此产生更好的结果,并且可能比声音更有效。
15 ultrasound  radar 

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改变极板之间的间隙会改变电容器电压吗?
考虑其具有的长度理想电容器其板之间。电容器端子断开;它们没有连接到任何有限值阻抗。容量为C 1,初始电压为V 1ℓ1ℓ1\ell_1C1C1C_1V1V1V_1。 如果我们使板之间的间隙发生了电容器电压什么ℓ2=2ℓ1ℓ2=2ℓ1\ell_2=2\ell_1而不改变在板上的电荷量? 我对此的想法: 增大间隙将减小电容。 C2=C12C2=C12 C_2 = \dfrac{C_1}{2} 由于电荷量不变,因此新的电容器电压为 V2=QC2=QC12=2QC1=2V1.V2=QC2=QC12=2QC1=2V1. V_2 = \dfrac{Q}{C_2} = \dfrac{Q}{\dfrac{C_1}{2}} = 2\dfrac{Q}{C_1} = 2V_1. 这是真的?我们可以仅通过移动电容器极板来改变电容器电压吗?例如,假设我穿着塑料鞋,并且身上有一些电荷。由于我的身体和地面都充当电容器极板,因此自然会产生静电电压。现在,如果我爬上完美的绝缘体建筑(例如枯树),我身上的静电电压会增加吗?

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NPN晶体管的集电极-发射极电阻是多少?
这个问题看起来很荒谬,因为我不确定集电极-发射极电阻是否存在。这是一个简单的公共发射极电路 据我了解,当Vb增加时,会使Ib增加,因此Ic也必须增加。当Ic随负载电阻而增加但Vcc恒定且Ic =(Vcc-Vc)/ RL(负载电阻)时,Vc必须减小,反之亦然。那普通的发射器如何工作 现在,我关心的是Vcc与地之间的电压降是恒定的,而且是负载电阻值。假设在发射极和地之间没有使Ve = 0且Vb = 0.6-0.7的东西,而Vc更大(取决于负载电阻)。因此,必须存在一些浪费能量的事情,以使Ve = 0导致集电极和发射极之间的电压降。在集电极和发射极之间是否有类似改变电阻的作用。 换句话说,要使集电极和发射极之间的电压下降,它们之间必须有类似电阻的作用,对吗?如果不是,那么电压差会如何变化? 在其他配置中,集电极-发射极也具有电阻吗?

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