电气工程

电子和电气工程专业人士,学生和爱好者的问答

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p型MOSFET基本问题
使用N型MOSFET,当在栅极上施加足够高的电压时,可使电流从漏极流过源极。使用P型MOSFET时,电流应流向哪个方向?是从源头经过漏极还是从其他方向转向周围?谢谢
11 mosfet 

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将去耦电容器接地垫用作示波器探头的接地是否可以接受?
如果要用示波器用短的接地弹簧夹附件探测示波器,并用去耦电容器的接地垫作为接地,那么通过电容器流到地面的电流会完全抵消测量值吗?还是需要在顶层地面上倒一个测试点垫才能达到峰值精度?假设我正在探测IC上的引脚,并使用本地去耦电容接地垫作为接地,如图所示,该测量是否没有电容噪声?如果不是,那么最佳做法是什么?谢谢。

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VDD + 0.3V输入限制在哪里来自IC芯片?
有各种各样的集成电路规定其输入电压可以跨越相当宽的(绝对最大)范围,例如-0.3V至6.0V(ref,pdf第4页),然后具有“任何引脚上的输入电压”约束该依赖于输入电压,例如-0.3V到VDD + 0.3V。 实际上,这使芯片对输入电压超出输入电压超过0.3V的电压不具有I / O耐性,但在输入电压所允许的绝对最大规格之内,并迫使我施加某种外部电平将电路移至这些输入。 那么,在集成电路I / O引脚规范中出现这种限制的实际原因是什么?

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是否有更有效的下拉电阻器替代方案?
我正在构建一个LED微调电路,并且正在对其进行优化。整个电路本身仅吸收约10-20mA的最大值。我今天正在看电路的这一部分: 现在您可以看到,当我的开关位于位置5时,它会关闭电路。但是,现在当我的电路关闭时,仍然有电流流过下拉电阻,从而耗尽了电池的电量。我知道这是一个很小的电流,但是我想知道是否有一种方法可以使该开关在关闭时不会吸收任何电流。 编辑:我应该把整个电路都放进去。

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了解铜线上的数据传输速率
我一直在研究将传感器连接到Arduino的不同方法,而i2c似乎是一种流行的方法。我读到它仅在短距离(最多几米),数据速率为400或100kbps时才可靠。我很难理解为什么与通过千兆位以太网等铜缆进行的其他数据传输相比,该协议的限制如此之低。我已经看到了电容,电压降和电阻等原因,但是基于cat5 / 6的以太网是否也遇到所有相同的问题?基本上,我想知道为什么在比较这些不同的方法时为何在某些铜线上施加一些电压脉冲并不能产生更一致的结果(带宽,距离)。

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这个电路有边际电压电平问题吗?
至于我所描述的问题研究在这里,我发现这条赛道由马克西姆: 这是时钟倍频器,并且在我的情况下必须非常合适,因为输入频率非常明确。 但是,通过浏览数据手册,我发现MAX9010输出TTL电平,而74VHC86接受CMOS电平(0.7 * Vcc)。通常,我找不到在5V下运行CMOS输出的高速比较器。 我应该特别注意这个问题-电路可能无法产生适当的时钟时,在什么情况下发生? 您能否总体上反馈电路?我的评估表明,在R1 = 1k和C1 = 15pF的情况下,它应该可以正常工作,将21.47727 MHz倍增至42.95454 MHz(但是,在现实生活中肯定需要进行原型设计和调整)。 PS最后几天,我回顾了许多用于管理时钟的设计,我的感觉是它们在很大程度上是一种“营销文章”,不适合直接应用-文章谈论了很多电路的优点,但几乎没有陈述缺点(由传播延迟,频率范围等引起),因此,不对目标条件进行建模和适当模拟而直接实施所说的内容确实是个坏主意。 更新:正如我怀疑的那样,该电路是设计用于理想条件下的理想设计。在现实生活中构建时,如果不投资以下领域,它将无法正常运行: 电源必须最大清洁。由于电源轨中的噪声,分压器的电平会波动,从而导致比较器输出端出现尖峰和误报; 比较器可能会(会)在切换时从分压器的正输入吸收一些电流(参考电压)。它也可能会稍微改变参考点。 具有如此小的电容的RC极易受到周围的其他电容和EMI的影响,(最好)改变调谐占空比或使x2乘法级出现故障。 另外,我使用MAX999构建了该电路,但其LTSpice模型有故障。Maxim的支持已得到证实,希望他们会修复它。 我将放弃此设计,而是考虑使用ICS501。
11 voltage  clock  cmos  ttl 


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德州仪器(TI)的TO-92封装的引脚号是否正确?
以下是对TO-92封装上的引脚进行编号的官方JEDEC标准: 但是在德州仪器(TI)的许多数据表中,此顺序似乎相反。例如,这是LM185数据表中的屏幕截图: 链接到完整的数据表:http : //www.ti.com/lit/ds/symlink/lm185-1.2-n.pdf(第1页) 德州仪器(TI)的官方TO-92文档没有帮助,因为模棱两可,好像图纸是从顶部还是底部:http : //www.ti.com/lit/ml/msot002d/msot002d.pdf 在所有引脚排列颠倒的数据表中,他们都使用了从顶部或底部的视图。在某些数据手册中,引脚排列是正确的,但他们使用了等轴测图,从而消除了所有歧义。这可能是造成混乱的原因,但是我只是看不到如何误解TO-92封装的“底视图”或“顶视图”。 德州仪器(Texas Instruments)是错误的,还是我不了解底视图是什么? 为了证明这不是单个数据表中的孤立错误,这里有一些指向发生这种情况的德州仪器数据表的链接: http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tl431.pdf(第4页) http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm285-2.5.pdf(第3页) http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm4040-n.pdf(第4页)
11 datasheet  pinout 

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连接电容器组后MOSFET破裂
我有一个具有的线圈电阻的螺线管0.3 欧0.3Ω0.3\Omega和这里加速的钢弹。我已经在下面发布了原理图。 普通版本作为控件 当光学传感器检测到弹丸时,GPIO8升至5V以接通MOSFET并关闭MOSFET。而且效果很好。 接下来,我尝试了10个串联的超级电容器。我将其充电至27伏。 版本1 当我给电路加电时,将电容器的地线连接到MOSFET的地线时会产生火花。门和源电路应该已经断开,因为当我第一次连接它时,GPIO8为0v。 经过一些故障排除后,我发现我杀死了MOSFET。 我相信有2种可能性在起作用。首先,MOSFET上的寄生电容有可能引起振荡,从而引起电压尖峰。我添加了R2,以略微增加下降时间,从而减少电荷。在此处观看视频(跳至4:00) 不仅寄生电容会引起振荡,而且另一个因素是我实际上在这里有一个RLC电路。我的负载是一个螺线管,我的电源是我的超级电容器。因此,我添加了D2,以便它不会开始来回循环。我还用新的MOSFET替换了。 版本#2 然而,发生了同样的事情,在我连接电容器之前GPIO8处于0v,但MOSFET仍然完成了电路并坏了,这一次它被卡在了相机上。 这就是我现在所在的位置。我的电容器充电到27V,并且由于添加了一些组件以消除振荡,因此我再也想不到。根据数据表,IRF3205的击穿电压为55v,我远低于该电压。 有什么好主意吗?

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了解有关去耦电容器的STM32数据表
我试图了解ST对于STM32F030CC的去耦电容的建议。 数据表中的图显示了Vdd / Vss对上的“ 2x100 nF”电容。这是否意味着每对Vdd / Vss对并联2个100nF电容?还是他们指的是所需的100nF电容的总数,即,如果有2个Vdd / Vss对,那么每个Vdd / Vss对为1 100nF电容,总共2 100nF电容? STM32F030数据表

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输电铁塔上圆柱形附件的用途
下图是输电杆的图像。我感兴趣的是连接到输电塔的圆柱形物体。 其他一些观察和相关信息: 这些物体并非存在于每座塔中,而是每隔几座塔中就有一个。 这些塔来自住宅和商业混合街区 有问题的塔在日本。在我的祖国,我还没有在类似大小的输电塔上观察到这些圆柱形物体 不太相关的观察结果是,即使这些是高架输电线路,它们也是绝缘的,这也许是由于房屋和建筑物与塔楼的距离很近 编辑:有一个类似的问题在这里挂,然而,这幅画提供单相和较大的3相变压器,而这个问题前面只有一个单一的阶段之一。此外,该问题使用不同的术语来描述变压器(气缸vs罐)

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铜浇注对单层PCB有帮助吗?
我有一块PCB,其中包含一个20x4 LCD,18个12x12 mm按钮和三个LED。该开发板通过30厘米长的带状电缆连接到Arduino Mega。现在在测试过程中,我发现有时液晶屏会变黑。在以前的PCB中,我没有使用地面浇注,但是如果使用地面浇注,我的系统对EMI噪声的抵抗力会更好吗? 我也在其他方面进行研究,但是我只想对此提出专家意见,是在单层 PCB 上使用或不使用地线。 为了清楚起见,我同时附上了两张PCB图片:一张带有铜,另一张没有铜。 阅读完所有建议后,我的脑海中有了以下理解。1.将VCC和接地线移至LCD接口线附近,即右侧 断开每个按钮下部的两个销子的跳线连接,因为它们正在浇铸铜,因此效果不佳。 3.增加R1,R2和R3之间的距离 4.增加LCD控制线和右下角的按钮线之间的空间。 添加更多地线(我不确定,但是专家建议了这一点) 将连接器放在顶部而不是底部,因为这会减少LCD控制和数据线的走线距离,进而使它更不受噪声影响? 请评论我的方向是否正确。不能选择两层,因为在我的区域中,它们只能大量制造双面印刷电路板,否则价格太高。中国制造业也是如此
11 pcb  copper-pour 


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方波存在吗?
如果我们通过天线发送方波,是否会得到电场和磁场看起来像方波的方波电磁波?另外,由于振幅突然/几乎跳跃,我们是否会像傅立叶变换所预测的那样得到非常高频率的正弦波?

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电解电容器的存储-多长时间?
我有一个与前臂一样大的高压(750V)高价值电解电容。它已经在我的储物箱中存放了大约20年。通常,在正常的存储条件下,例如室温下,在这段时间内电解质会降解吗?不太确定它是什么类型,但可能是标准铝箔,不是固态。如果它们确实退化,那么哪些特性会退化?

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