Questions tagged «bjt»

我遇到了一个教程，在该教程中，由于得出的结论，我认为上述BJT NPN电路是错误的。 但是当我对该电路进行仿真时，我发现结论是正确的。 我完全感到困惑，似乎对晶体管的行为有一些基本的误解。 上面的电路未通电。没有Vcc。输入电压Vin从零增加到1V。 下面是输出电压Vout相对于Vin的曲线图： 下图是相对于Vin的通过负载的电流I（Rload）和集电极电流Ic。 题： 我的困惑是，当晶体管的集电极和发射极端子之间没有电位差时，任何电流如何形成并流过集电极和Rload。 根据该图，由于I（Rload）+ Ic = 0，因此似乎满足了KCL。 但是我不了解当前的方式是如何形成和流动的。 如果有人问我，我会说：“电流将从基极流到发射极，从而流到地面。没有电流流过负载，而Vout将为零。” 我完全不知道这个电路。我认为显然有问题。为什么电流会以这种方式循环？

11 transistors  bjt 

我正在阅读教科书中的示例。对于上述电路，作者声称，当R3小于100欧姆时，Q3将不会切换。我不知道为什么的“原因”。但是我用LTSpice验证了作者是正确的。他只是不解释原因。 如果说Q2接通时R3接近于零，为什么Q3也不能接通？

11 transistors  switches  bjt 

我设计了以下电路，以将12-20V信号连接到运行3.3伏特的微控制器。信号为20V或开路。 我希望电路尽可能具有弹性。它应该能够处理EMI和ESD。 R1用于限制电流并使晶体管偏置。 C1用于实现低通滤波器。 R2用于下拉晶体管基极并使电容器C1放电，20V输入为20V或开路。 D1用于保护晶体管不受基极负电压的影响。 R3上拉微控制器引脚。 欢迎对此电路进行任何评论和改进。 附带的问题：该晶体管可以承受的最大正电压是多少。数据表中规定峰值基极电流为100mA。如果基极保持在0.7伏，则输入可以高达1000伏（10k欧姆* 100mA）。但是，如果输入为1000伏，则分压器会将电压设为500伏。根据数据表，最大Vcb为60V。

11 microcontroller  pic  transistors  bjt 

有时我会遇到BJT符号，发射器或收集器从中产生多行。这样的BJT是否是不同类型的设备？在固态水平上是什么意思？

11 bjt  symbol  solid-state-devices 

这个学期，我们将设计一个音频放大器。到目前为止，在我们的演讲中，我们仍在BJT上，根据我所听到的内容，与BJT上的详细内容不同，将仅部分讨论FET。无论如何，我想尽早提出一个想法，以便我可以计划要使用哪种晶体管以获得最佳音频放大效果。我读过一些文章，其他晶体管（BJT / FET）的性能如何更好，但是其他论坛则指出，性能不取决于组件，而是取决于晶体管的正确偏置方式和电路的正确设计方式。 在设计音频放大器时，晶体管的四个子类型中哪一个最有效？（NPN / PNP / JFET / MOSFET） 顺便说一下，我教授的要求就是这样：打动我。目前，我的小组尚未决定具体的电路（功率，阻抗等）。

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我想知道选择双极结晶体管（BJT）与场效应晶体管（FET）（MOSFET或JFET）来切换微控制器负载的原因是什么。在我们的假设情况下，假设负载需要的电流超过微控制器可以提供的电流，并且问题是，在不考虑“易用性”的情况下，哪些考虑因素会偏向于或不利于BJT和FET开关设计。 这个问题是何时使用什么晶体管问题的更具体的版本 。

11 microcontroller  switches  mosfet  bjt 

我当时在寻找直流BJT设置来获取电流，并且遇到了这种情况 我以前从未见过将二极管连接到BJT的基座上，并且想知道它的用途是什么？我相信它可能会由于温度的影响而用于补偿，但是我没有看到太多有关此的信息，或者为什么您不使用电阻器将Q1的基极电压桥接。有人对您为何可能会做这样的事情有任何建议吗？

11 diodes  bjt  current-source 

但是我发现这是绝对不正确的。没有基极的BJT晶体管怎么能工作？没有基极的晶体管不应该只是半导体（PP，NN）吗？是否存在一些没有基础的特殊NASA军用级实验BJT晶体管？ 那么我还是老师谁是对的？

10 bjt  semiconductors  phototransistor  base 

我从参考设计中模拟了该电路，但我不完全确定它是如何工作的，或者您将如何设计这种东西。在仿真中，尽管输入电压范围高达25V，但看起来它旨在将流经D1的电流保持恒定在5mA左右。 我看到M1的栅极电压保持在1.6V左右，而BJT的基极电压随着输入电压的升高而升高。因此，随着电压的升高，通过BJT的电流会增加，因此它的作用就像可调阻抗，我想可以使栅极电压保持恒定。那正确吗？ 这是您只是在香料中所做的事情，还是某种电流镜电路在某处定义得很好，而我只是不认识它？

10 led  transistors  mosfet  circuit-analysis  bjt 

2N3904和2N4401在所有规格中似乎都是可比的零件。2N4401的额定电流更高，但否则它们的价格和其他一切都差不多。显然，要给出100％的通用答案是困难的，因为两个零件都是由多个制造商制造的。但是，只要有可能，是否有理由使用2N3904而不是2N4401？

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我在TI数据手册中浏览了LM78L05，并注意到此应用原理图： 注意Q2如何使其集电极和发射极短路。我不能说我以前见过，搜索也没有发现任何东西。 Q2在该配置中将扮演什么角色？ 我有点怀疑一个二极管，但无法弄清楚为什么一个普通的旧二极管不能更好地工作并且便宜很多。该2N4033数据表将其描述为一个通用的PNP硅平面RF晶体管。

10 voltage-regulator  diodes  bjt  linear-regulator 

我实现了一个恒定电流源，并且效果很好，但我只是希望尝试多一点！这是有问题的电路： 我尝试在网上进行一些搜索，发现很难在该电路上找到任何理论性的东西来解释一切的实际情况。我确实发现，仅通过使用就能找到流过晶体管的电流，这比我要多得多在我开始寻找之前就知道了。但是，现在我想知道实际情况，以及即使负载/电压变化，它如何仍保持恒定的电流输出。IE=VsetRsetIE=VsetRsetI_{E}=\frac{V_{\text{set}}}{R_{\text{set}}} 如果有人能够对此有所了解，我将不胜感激。

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据说双极晶体管同时具有电子流和空穴流。可以理解电子的运动，但是空穴是原子/晶体结构的固定部分。我们如何表征他们的运动？

10 transistors  bjt  electron 

例如，MMBT3904和MMBT3906 BJT被列为NPN / PNP开关晶体管，数据表中提到了开关时间，而BC846和BC856 BJT被列为NPN / PNP通用晶体管（并且必须推导开关速度）通过观察过渡频率f t？） 除了显而易见的（开关晶体管的f t更高）：这些器件的设计和制造方式是否有所不同？通常可以将一种类型用于其他应用程序，反之亦然吗？ 米勒电容，线性度和噪声之类的东西呢？ 硅上的几何形状或掺杂剂浓度是否有某些技巧？ 相关，对于FET：作为开关与放大器销售的场效应晶体管（FET）之间有什么区别？

10 transistors  switches  amplifier  bjt 

我知道我们如何使用BJT晶体管通过偏置它们来放大给定信号。但是我想知道使BJT晶体管像放大器一样起作用的关键特性是什么。它是反向饱和电流的恒定性质，还是基极和集电极电流之间的确定关系或其他任何关系？ 我是在专门谈论北京奥运会。

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