电气工程

我已经在Wikipedia中阅读过有关LED的文章，其中说LED既可以用于发光又可以用于传感。有可能实现这一目标吗？如何实现？

8 led  photosensor 

我偶然发现了以下电路。起初我以为它是一个电压跟随器，但我不明白为什么在正输入和负输入之间有一个电容器。谁能向我解释该电路中电容器的用途？

8 operational-amplifier 

我正在设计一个闹钟来唤醒我。该系统由3个子系统组成： （S1） RGB七段式管理。由5µC组成，一个用于数字，一个用于“：”。µC较高的原因是我不将IC用于RGB LED，而仅用于晶体管。 （S2）传感器和输入管理。1 µC管理距离传感器以设置警报和当前时间；和用于配置的开关。 （S3）通信和音频文件。一个与UART中的蓝牙模块进行通信以进行进一步工程的µC，获得了一个RTC晶体以具有准确的时钟并管理音频播放。（我尚未处理音频） 在正常执行期间，S2读取输入并将其发送到S3进行处理。然后S3向S1发送必须显示的内容。 我想使所有这些子系统一起通信，然后选择使用I2C总线。但是我的问题来了： 哪个µC必须是主机？ 一方面，S3是系统的中心，但另一方面，S2发送的消息可能比S3多。这就是为什么我不确定谁将成为主人/奴隶。 是否有规则确定谁将成为从机/主机？我应该问自己一个什么样的问题才能做出好的选择？（通常，不适用于此特定系统）

8 i2c 

无论我在哪里搜索基于级别的中断的实际实现方式，我都发现只有一个建议，即人们已经给出了该中断，即在中断进入ISR后立即将其禁用，这样就不会继续触发它。 我读过的另一件事是，它用于创建循环，即只要存在中断即可为ISR服务，但可以使用whileor do while循环来实现。 级别边缘中断将提供的优势可能是在服务ISR和延迟之间运行主程序的一条指令。我猜。 那么，在理解电平边缘中断时我缺少什么吗？ 一个很好的答案是向我展示基于级别的中断的某种实际用法。

8 microcontroller  interrupts 

看看此评估板的可变增益RF放大器（数据表）： J5-J10用于连接直流电源（J6除外，它是直流模拟控制电压）。所有这些线路均具有三个并联的电容器。以连接到J10的走线为例。从J10到芯片上的引脚的过程中，需要经过以下三个电容器： 采用大包装的2.2 µF电容器（数据表中称为“ CASE A”） 采用0603封装的1000 pF电容器 采用0402封装的100 pF电容器 为什么使用三个并联电容而不是一个3.3 µF电容？为什么它们都有不同的包装尺寸？顺序是否重要（即，最小电容靠近芯片是否重要？

8 amplifier  rf  bypass-capacitor 

甲回扫二极管通常用来消除突然电压尖峰时跨电感性负载电流降低。这些二极管可以在继电器，电机或MOSFET的附近找到。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 强制使用反激二极管来保护电路，尤其是对压降较弱的部件。这里的第一个问题： 反激二极管保护电路或电感负载吗？ 在某些电路中，我看到了一个齐纳二极管，而不是经典二极管。 为什么在此电路中需要它？ 反激二极管旨在减少电压尖峰的影响。标准之一可能是这些尖峰的范围。最后一个问题 ： 还有其他标准来选择正确的零件吗？

8 diodes  flyback  inductive 

我正在为LNA板（2.4GHz，基于Broadcom / avago MGA-635P8）订购零件。我正在关注其评估板数据表中制造商的组件列表。 他们使用一个1000pF的隔直电容。我想知道为什么在工作频率为2.3GHz至4 GHz的情况下，为什么要在50Ω系统中使用如此大的值。由于系统带宽减小，使用较小的值是否不会提高噪声功率？还有其他原因为什么我会选择这么高的电容值？

8 capacitor  amplifier  rf 

我不知道这个特定的电路/回路是否在另一个问题中涉及，但我偶然发现了一段视频，其中以下电路发生了特殊的后果： 对于根据法拉第感应定律的上述电路回路，可以这样写： 电动势=-dΦ/ dt 并且从电流的基本电路理论也可以写成： I = EMF /（R1 + R2） 但是，由于相同的电流流过电阻器（KCL），所以这里会发生一些奇怪的事情。 想象一下，磁通量Φ开始以恒定的斜率增加（这意味着EMF =-dΦ/ dt是恒定的）；在这段时间内，如果我们观察到R1两端的电压V1点A和B之间的范围内，则根据逻辑，点A和B两端的电压将是电流乘以电阻，即I×1k伏。 另一方面，如果我们在点A和点B之间的另一个范围内观察R2两端的电压V2 ，则根据逻辑，点A和B两端的电压将再次为电流乘以电阻，即I×100k伏，反之极性，因为电流方向相反。 产生：| V1 | ≠| V2 | 在同一时间在相同的点A和B之间进行测量。 如何解释这种矛盾？ 编辑： 一位麻省理工学院的物理学教授证明了法拉第定律在这种情况下不成立，最有趣的是，他通过视频中的实验表明，在相同节点上测得的电压是不同的。在这段从38:36到结束的录像中，他经历了所有这些。但是我也遇到其他一些消息来源，他的实验是错误的。我也想知道如果我们尝试一下，会观察到什么？如何将其建模为集总电路（也许使用电流源）？ 编辑2： 我猜下面的电路可以等同于教授所说的（？）： 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 只有在这种情况下，他才有意义。观察者1和观察者2将同时观察到相同节点A和B两端的电压非常不同。我找不到其他模型可以使其适合他的解释。就像电流源一样，它也是组件的简称（因为实际上没有电流源，在这种情况下，上面的两个节点A在物理上都是相同的点）。

8 electromagnetism  kirchhoffs-laws 

因此我知道硅是迄今为止最常见的半导体。但是我也知道还有很多其他选择。碳化硅，锗，SiGe合金，砷化镓，磷化铝镓，听起来很可怕的碲化汞镉... 那么，设备设计师会选择哪些属性呢？我了解对于匹配带隙以提供正确的光子能量的LED和激光二极管来说，这是一个原因，但是还有其他原因吗？ 锗曾经是首选的半导体，但是它很早就被硅引导出来了，现在几乎找不到锗成分。这是为什么？同样，没有人再使用硒整流器（尽管它们具有更明显的缺点，例如极低的反向击穿电压及其物理尺寸）。 这个问题有很多问号。我希望那不是太多。我自己对此感到很好奇，但同时我也想将其作为可供他人使用的资源，因此我尝试了尽可能多的内容，而又不会偏离本主题。

8 semiconductors  materials 

我纯粹出于好奇而感到奇怪。如果我们通过施加非常高的反向电压使LED在雪崩模式下偏振（但保持较低的电流，以使组件不会油炸），那么使用这种方法时是否也可能发光？ （我之所以不“尝试一下”是因为涉及到高电压）。

8 led  diodes  avalanche-breakdown 

我建立了以下N-MOS和P-MOS推挽双MOSFET电路。其目的是通过3.3V微处理器控制某些外部LED。 但是，似乎存在一个问题，当如下图所示连接12V电压时，双MOSFET芯片“ SI4554DY-T1-GE3双N / P通道”导致可怕的烟熏死亡。 即使没有连接负载且MOSFET未切换（空转），也会冒烟。 据我在数据表中所见，没有超过任何限制（V [GS] <20V，V [DS] <40V）。 您能帮助您确定问题吗？谢谢！ 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

8 voltage  transistors  current  mosfet  circuit-design 

我正在一个涉及STM32 MCU（确切地说是STM32303C-EVAL板上）的项目中，该项目必须响应外部中断。我希望对外部中断的反应尽可能快。我已经从ST网页上修改了一个标准外围设备库示例，并且当前程序仅在PE6的每个连续上升沿切换一个LED： #include "stm32f30x.h" #include "stm32303c_eval.h" EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure; GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; static void EXTI9_5_Config(void); int main(void) { /* Initialize LEDs mounted on STM32303C-EVAL board */ STM_EVAL_LEDInit(LED1); /* Configure PE6 in interrupt mode */ EXTI9_5_Config(); /* Infinite loop */ while (1) { } } // Configure PE6 and PD5 in …

8 stm32  interrupts  latency  stm32f3  gpio-external-interrupt 

我需要将PWM信号从5V放大到24V，以驱动mosfet，该MOSFET又驱动小型DC电动机。输入信号的频率为500Hz，来自Arduino uno（引脚9）。 为了放大信号，我想到了使用典型的同相放大器配置 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 如果使用TL071等运算放大器，则典型的压摆率为16伏/微秒。这意味着运算放大器将需要24/16 = 1.5微秒才能达到PWM的高输出。这对于我来说是可以接受的，因为在500 Hz PWM频率下，PWM周期应为2000微秒，因此2000上的1.5可以忽略不计。 我还有其他考虑吗？例如，我是否应该考虑mosfet需要给门充电的时间？有没有更好的方法来放大PWM信号？ 此外，假设我想增加PWM频率。例如高达2.5kHz。在这种情况下，PWM周期应为380微秒。考虑到1.5在380上，压摆率对于我来说还是可以接受的。

8 amplifier  pwm  slew-rate 

为什么加热器通常为6.3 V（或其倍数）？ 在具有120 VAC或240 VAC主电源的国家/地区使用时，是否可以简化变压器的绕组比？ 它们通常会吸收相当大的电流，并且由于通常有更高的电压供应，因此可以使用更高的电压和更细的电线。 为加热器提供低压电源有什么优势？

8 vacuum-tube  tube 

大家好。我需要帮助确定哪一对引线可用于110V。我用万用表尝试了连续性测试，并在以下对（1＆3）和（2＆4）上获得了连续性。 提前致谢。干杯

8 ac  transformer