Questions tagged «amplifier»

放大器可用于使信号范围适应要求,使其传输更加健壮,或满足接口要求(例如输入/输出阻抗)

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隔直电容器-选择什么值
我正在为LNA板(2.4GHz,基于Broadcom / avago MGA-635P8)订购零件。我正在关注其评估板数据表中制造商的组件列表。 他们使用一个1000pF的隔直电容。我想知道为什么在工作频率为2.3GHz至4 GHz的情况下,为什么要在50Ω系统中使用如此大的值。由于系统带宽减小,使用较小的值是否不会提高噪声功率?还有其他原因为什么我会选择这么高的电容值?

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用运算放大器放大PWM信号。压摆率有问题吗?
我需要将PWM信号从5V放大到24V,以驱动mosfet,该MOSFET又驱动小型DC电动机。输入信号的频率为500Hz,来自Arduino uno(引脚9)。 为了放大信号,我想到了使用典型的同相放大器配置 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 如果使用TL071等运算放大器,则典型的压摆率为16伏/微秒。这意味着运算放大器将需要24/16 = 1.5微秒才能达到PWM的高输出。这对于我来说是可以接受的,因为在500 Hz PWM频率下,PWM周期应为2000微秒,因此2000上的1.5可以忽略不计。 我还有其他考虑吗?例如,我是否应该考虑mosfet需要给门充电的时间?有没有更好的方法来放大PWM信号? 此外,假设我想增加PWM频率。例如高达2.5kHz。在这种情况下,PWM周期应为380微秒。考虑到1.5在380上,压摆率对于我来说还是可以接受的。

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使用晶体管的逻辑电平转换器
我正在尝试使用晶体管BC547制作一个逻辑电平转换器。这是将Rpi Gpio的电压电平从3.3转换为5V。我已根据此图为电路接线: 我这样做是为了将3.3V转换为5V以用于PWM应用。我已将电路连接到GPIO No 17并将其设置为高电平 问题: 1)为什么电路中没有接地? 2)我试图测量另一端接地的电压,什么也没显示。是什么问题? 谢谢。

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为什么我的放大器电路放大得比我预期的要大?
我的问题 为什么我的放大器电路放大得比我预期的要大,我该如何解决? 我想完成的 我想将最大为1.5 [V]的输入放大为最大为2 [V]。 我尝试过的 我有以下电路设置。当我测量的电压OUT对GND,我得到的比值高7倍值IN。 我使用以下公式: Vo=Vi∗(1+R2R1)Vo=Vi∗(1+R2R1)V_o = V_i * (1 + \frac{R_2}{R_1}) 插入 222 对于 VoVoV_o 和 1.51.51.5 对于 ViViV_i 计算结果为: R1=3R2R1=3R2R_1 = 3R_2 我尝试使用300 [Ω]和100 [Ω] R1R1R_1 和 R2R2R_2分别产生了不同但又不理想的收益。我记得它有点低。 我得到了什么 在测量电压IN和OUT针对GND使用万用表给我约0.5 [V]为IN3.5 [V]为OUT。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

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GaN脉冲操作
是否有人对微波GaN HEMT施加偏压和脉冲?我刚刚订购了10瓦S波段晶体管。我完全了解偏向测序。该应用是脉冲式的。我已经读过有关通过高侧开关对漏极施加脉冲以及通过捏紧栅极(Microsemi,Triquint等白皮书和博士学位论文辩护)来产生脉冲的知识。 有没有人尝试过任何一种方法。按重要性顺序:(1)上升/下降时间,(2)效率。我担心的不仅是串联电阻和漏极脉冲之间的无证影响。 我想要现实世界的经验。

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该BJT晶体管电路如何工作?
我只是想了解更多有关此电路的知识,以了解它是如何进行更深入的分析的。我知道有一种差分放大器和一个用于稳压的稳压二极管连接到分压器。(如我错了请纠正我)。 在Proteus 8模拟中我无法从Vo中获得任何电压是怎么回事?(模拟文件)

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二极管和电容器如何减少交叉失真?
我发现以下有关AB类放大器和降低交叉失真的图表: http://www.electronics-tutorials.ws/amplifier/amp_7.html 这个用于变压器或无变压器放大器电路的预偏置电压具有将放大器的Q点移至原始截止点以上的效果,因此允许每个晶体管在其有源区域内工作超过其一半或180°。每个半周期。换句话说180°+偏差。通过串联添加额外的二极管,可以以倍数增加存在于晶体管基极上的二极管偏置电压。然后,这产生了通常称为AB类放大器的放大器电路,其偏置布置如下。 我不理解二极管和电容器如何减少交叉失真的解释。每个晶体管(npn和pnp)应覆盖180度正弦波,为什么180 +偏压不能完全消除失真,电容器和二极管对此有何作用?我读到有关二极管补偿两倍于2×0.6V的晶体管压降的信息,这如何工作?电容器如何使信号平滑?


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神秘的运算放大器噪音
我有一个非常好的运算放大器(AD8551),可用来动态放大非常小的信号(2x,10x,100x,1000x增益)。 问题在于,在100倍和1000倍增益下存在明显的噪声水平,并且它具有怪异的常数形状。 如果使用不稳定的电源为电路供电,并在GND处连接放大器的输入,则如图所示,在1000x处会出现较大的噪声电平。 如果我使用更好的稳定电源为电路供电,则在相同波形,但幅度较低的情况下,噪声仍会以1000x出现。无论使用哪种电源,怪异的噪音都不会消失。 由于我的AD8551的PSSR为130 dB,因此我认为用于偏置输入的TL431可能有故障。因此,我将不稳定的电源留给了运算放大器,将更好的电源留给了TL431,但输出却是相同的。稳定TL431阴极电阻上的电压不会发生任何变化。 下图是微控制器及其内部ADC采样的输出。如您所见,输出为1000倍,几乎摆动整个范围。此测试中缺少100x的原因是因为我用100KΩ电阻代替了1MΩR21,而用100Ω电阻代替了1KΩR66,导致放大了1.1倍,2倍,10倍和1000倍。之所以这样做,是因为我担心即使AD8551的输入偏置电流最大为2nA,反馈电阻R21可能太大而无法偏置运算放大器的负输入。这种变化确实略微减小了噪声的幅度。 即使运算放大器的PSRR为130 dB,Vcc是否也必须保持安静?输入偏置是否会导致此问题? 我无法弄清楚,尤其是因为我无法使用示波器。我所拥有的只是保存在SD卡上的微控制器的读数。

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放大和-3dB
我有以下两个电路: 使用“正常” OPAMP(不带电容器),我确实知道如何计算电路的放大系数()。但是,如何使用这两个电容器呢?但是,如何计算两个电路的-3 dB点在哪里呢?A=UuitUinA=UuitUiñA=\dfrac{U_{uit}}{U_{in}}

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在这个射频运算放大器电路中,电阻的重要性是什么?
摘自TI应用笔记:带运算放大器的RF和IF放大器: 消息人士说:“ 39 pF电容器可提供峰值以补偿某些高频衰减,但通过移除它并承受衰减,可以获得更好的IP3性能。” 让我们考虑一下它已经结束了。 两个运放级之间的电阻有什么作用?选择会让我想到传输线,但是该放大器的可用带宽高达300 MHz,因此波长约为1米,大大超过了级之间的距离(它是双运放套件),因此此处的任何反射都将足够快以至可以忽略不计。50 Ω50Ω50\Omega 此外,输入和输出均以电阻端接。假设所连接的电缆足够长,可以视为传输线,并且这些电阻器为该线提供了端接,这是合理的。但是,为什么要两端都终止?假设其他电路也在做同样的事情(终止输入和输出),这是否有助于将电压降低一半?这似乎对放大器起反作用。有什么好处?50 Ω50Ω50\Omega


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在桥捆绑负载(BTL)配置中以100 KHZ驱动LM3886?
有人会用BTL 驱动高达100 KHz正弦波的LM3886功放放大器吗? 我的参数: 感兴趣的频段:20KHz至100 KHz,正弦波 负载为纯电容性,10-20 Ohm,5000 pF 负载供电:最高50瓦RMS 放大器配置:桥接负载 总谐波失真/噪声,甚至高达5%,无需担心 功率:未稳压+/- 35伏5 + 5安培,每根导轨上10000 uF储能电容器 使用LM3886在BTL上找到了有用的白皮书。但是,本文的工作频带为20Hz-20KHz。 从这里的原理图开始: 当然,显示的输入/输出/反馈声部的值需要针对我感兴趣的频段进行更改,但是我的模拟功夫大约在 1988年时有些生锈,因此需要进行一些整理。 我的问题: 这会工作吗?(我不明白为什么不这样做,但是找不到有用的信息) 关于使用其他单芯片功率放大器有什么建议吗? 我应该设计什么增益? 更直接的兴趣:需要什么输入Vpp范围? 在反馈/补偿和稳定性管理方面我需要注意什么 到目前为止发现的信息是针对音频范围的,很少提及高频 发现了有关电解帽引起的高频(50KHz +)振荡的讨论。 找不到有关驱动电容性负载的信息,通常是音频=电感性负载。 如何获得20-100 KHz的基本平坦响应? 对于电源: 单桥和双桥之间的建议 5 + 5安培的计算是否合理,并具有适当的净空? 是否有可以节省成本/减少热量的开关电源替代品? 甚至在实验阶段都需要解决的其他任何关键问题(一次性DIY都不会投入生产) 任何其他输入/帮助/建议,我们将不胜感激!

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用晶体管的另一种自制替代品控制电流?
我对BJT或FET的工作原理有非常基本的了解,但我想我明白了。它们在各个方面都很出色,除了以下方面:没有热炉和可怕的化学药品,您就无法在家中制作一个。旧的三极管制造起来比较容易,除了它们需要良好的真空度(比我在家里能做的更好)。 还有其他组件可以代替晶体管或三极管来控制强而弱的电流吗? 我想到了这些方法-它们是对某个着迷但几乎没有进入电子“新手”阶段的人的幼稚想法: 编织绝缘铜线(如紧密的网格),并使其他线穿过编织孔,因此编织线(控制器)中的电压可能会吓跑通过其编织线(受控)的电子电场,例如栅极在三极管中的工作方式或栅极在FET中的工作方式 在电容器(受控)的极板之间放置一个极板(控制器),因此当您通过控制器极板放置电流时,电容器的容量会有所改变,因此其电抗会发生变化(我对此想法未作过多考虑,也不知道如何使用它,这肯定听起来很愚蠢) 在导线(受控)周围放置一个圆柱状电容器(控制器),这样负极内圆柱体将围绕导线闭合;希望给电容器充电...哦,等等...电容器外部的净电场应该是0 ... 我已经认为这些想法在很多方面都是错误的。您能指出一些错误吗?我希望我能通过这种方式学到很多东西。 晶体管和三极管是完成此任务的最佳,最方便,最快和最有效的方法。我知道得很清楚,我丝毫不否认。本着“我不能创造,我不理解”的精神问这个问题。和“知道如何解决已解决的每个问题。”,正如费曼如此出色地指出的那样。 我主要对控制感兴趣,例如对增益进行放大。开/关还远远不够-我想我想在振荡器或RF电路中使用此功能。

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数据表中推荐的超大电容,用于音频放大器
我在我的电路中使用了TPA3111音频放大器,并且正在努力添加适当的电容器。但是,在数据表的第18/19页,TI建议在电源线上使用220mF电容器,并在每个PVcc引脚上使用220uF电容器。这完全必要吗?如果您看看TI为该芯片提供的评估板,他们将不会做任何事情。数据表中的应用案例也是如此。 根据示例应用程序和评估板,我已经在使用许多电容器。迄今为止最大的是100uF的电解槽,然后还有一堆较小的陶瓷盖。如果我不包括额外的220mF或220uF电容,可能会有什么危险? 谢谢。

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