Questions tagged «diodes»

二极管是由P型和N型硅材料制成的半导体组件,仅允许电流沿一个方向流动。

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输入耦合至具有二极管偏置的AB类放大器。一个或两个电容器?
将输入信号交流耦合到二极管偏置的AB类(推挽/互补对)时,我看到两种不同的方法: 用单个去耦电容器连接在偏置二极管之间的信号: 信号通过单独的电容器直接连接到每个晶体管的基极: 这两种方法之间的实际区别是什么?这个比那个好吗? 这是一个可编辑的电路,显示了第二种方法的基本思想(注意:值并不现实): 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 这是第一个电路的另一个模拟(由Tony Stewart提供)。

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我可以(使用)晶体管作为ESD保护二极管吗?
该MIDI规格提出了一种快速开关二极管,以保护光耦的LED免受ESD可能超过其反向电压: 但这是唯一使用的二极管。如果可以用电路中其他地方已经使用的某些组件替换BOM,则可以简化BOM。那么,为什么不使用通用晶体管的PN结呢? 与1N4148相比,2N3904具有较小的反向击穿电压,但是在本应用中这无关紧要,因为LED钳位了这种电压。其他参数,例如电容或最大电流,也是可比的。这样看来,晶体管可以工作了,不是吗? 以及应该使用哪个结,基极/发射极,基极/集电极或同时使用两者?以及如何处理未使用的结?


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保护二极管如何保护晶体管免受击穿?
请说明故障的过程;这个保护二极管到底如何保护晶体管? 在Horowitz&Hill的著作“电子艺术”,第二版,“第二章-晶体管”(第68页)中,我读到以下内容: 始终记住,硅晶体管的基极-发射极反向击穿电压很小,通常仅为6伏。输入摆幅足够大,以使晶体管不导通,很容易导致击穿(除非添加保护二极管,否则hFE会降低(图2.10)。 如果电流仅在该二极管中的一个方向流过,则无法弄清楚该二极管如何保护晶体管免受击穿。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

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将反向偏置二极管下游的系统断电是否安全?
假设我有一条480 VAC线路,为整流器和过滤器盖供电。显然,这不是活着时要想的事情。 现在,假设有阻塞二极管从DC总线上脱落,如图所示。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 从理论上讲,在理想世界中,没有电流可以到达那些二极管的未通电侧。这是否意味着可以在不使整个系统断电的情况下安全地操作二极管的一侧?如果没有,为什么不呢?有没有违反的特定安全标准? 编辑:如果您对这个问题的更广泛的背景感兴趣,我在工程交流中问了一个有关道德的相关问题。

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二极管逻辑计算机
是否可以仅使用二极管逻辑而不使用晶体管来构建计算机(完成转换)?我知道DTL是一回事,但据我所知,他们使用晶体管来放大信号。
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使用齐纳二极管作为参考电压
我想使用一个齐纳二极管作为PIC18F2550的电压基准,作为模拟V +基准。我打算使用此齐纳二极管,但不确定如何计算其值。我计划使用一个简单的电路,例如Vcc-> Resistor-> Zener-> GND(使用反向齐纳二极管并获得其齐纳电压),以获得4.7V基准电压。 看着齐纳二极管的数据表,我看不到齐纳曲线,只是正向电压曲线...为什么?而且我只能看到一张仅包含5mA电流值的表格。我打算使用10K电阻器,但是通过某些仿真,我无法获得4.7V电压,这可能是因为我没有给它提供5mA电流,但是如何计算呢?我怎么知道一个10K的电阻会输出多少电压?

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使用配置为二极管的晶体管
我遇到了许多电路,这些电路的晶体管连接成二极管(栅极连接到漏极)。我知道出于安全原因,其中一些电路使用了这种晶体管,但我无法弄清其他电路的原因。 我的问题:除了我提到的晶体管以外,将晶体管连接为二极管之后还有什么原因吗?我的一些同事建议将其用于实现高电阻,但我认为以这种配置()连接晶体管将迫使晶体管工作在饱和区域而不是线性区域。我对吗?Vg=VdVg=VdV_{g} = V_{d}

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用合成的ROM内核模拟一个简单的测试台
我对FPGA领域是一个全新的领域,并认为我将从一个非常简单的项目开始:一个4位7段解码器。我纯粹用VHDL编写的第一个版本(基本上是单个组合select,不需要时钟),并且似乎可以使用,但我也想尝试使用Xilinx ISE中的“ IP内核”功能。 因此,现在我正在使用“ ISE Project Explorer” GUI,并使用ROM内核创建了一个新项目。生成的VHDL代码为: LIBRARY ieee; USE ieee.std_logic_1164.ALL; -- synthesis translate_off LIBRARY XilinxCoreLib; -- synthesis translate_on ENTITY SSROM IS PORT ( clka : IN STD_LOGIC; addra : IN STD_LOGIC_VECTOR(3 DOWNTO 0); douta : OUT STD_LOGIC_VECTOR(6 DOWNTO 0) ); END SSROM; ARCHITECTURE SSROM_a OF SSROM IS -- …

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通过射频(手机信号)为LED供电
如果我们设置了以下限制,我们如何设计类似于YouTube视频中所示的手机检测器: 纯粹是被动的(没有电池等外部来源) 电源应来自手机的RF信号 请注意,LED的亮度必须很高。我们需要什么组件/二极管,您可以指出任何原理图吗? PS:根据评论,它们使用RF二极管,但未指出任何部件号。另外,有人使用RF二极管/微波二极管进行了尝试,但是他们未能使LED像发布的视频一样明亮地点亮。
9 rf  diodes 

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两个并联的二极管用于过压保护
我有一个电源电路,需要对输入进行保护,以防止出现相当大的电压尖峰。为此,我需要一个功能强大的钳位二极管(D1),它可以处理与这些尖峰相关的电压和电流。我还并联了第二个二极管,该二极管具有较小的电流/电压处理能力,但具有较高的击穿电压(D2)。我的想法是次级二极管的反应速度可能更快,但是初级二极管会进行真正的电压钳位。下面的电路是简化版本(不包括其他偏置组件)。 我希望这两个二极管将提供如下所示的响应。这是一个坏主意吗?对于此类实施方式是否有任何警告或警告?

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实际二极管行为建模
在高频下,这可以在带有电阻和二极管的简单电路中绘制输入电压和电流。 我看到的行为是,二极管保持正向偏置的时间比理想二极管更长,但是一旦恢复正常,也许会在很短的时间内以指数形式返回,而没有任何相移。 我一直在尝试使用理想的二极管和其他组件(电容器,电阻,电感器)对宏二极管的特定行为进行建模(宏),但到目前为止,失败非常惨重 简短的问题是,我可以在理想二极管的黑盒中添加什么使其表现出这种功能? 如果您想出点什么,我将不胜感激,因为您知道如何思考,因为学习是此问题的唯一目的。 非常感谢
8 diodes 

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需要帮助来了解电源电路(电容和二极管)
我正在尝试修理一架旧的电子钢琴(Baldwin Piano Pro EP101),并且已经得到建议检查电源电路中的过滤器盖。我已经测量出电压,并且在意料之外的地方找到了电源。请看图片: 来自变压器的功率位于顶部。引脚“ I”和“ J”在底部接地。我已经对板进行了镜像,因此迹线与顶部的组件匹配。 为什么在黑色电容器的(-)侧找到电压? 为什么黑色电容器的(+)接地? 我认为这两个电容器都是串联的,但是为什么两个电容器的中间都接地? 这是否意味着我应该从不应该通过底部的“ M”引脚输入电源?还是D9和D10处的二极管之一(左数第2和第3个)坏了,让电源走错了路? 我在正确的轨道上吗?我应该开始拉零件并进行电路测试吗?如果您对整体问题感兴趣,请在此处观看youtube短视频:Baldwin Piano Pro-声音很大 编辑:感谢您的反馈。更大的图片和我的图表尝试。当我测量时惊讶地看到交流和直流电压。不知道那是什么。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图

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有人可以解释为什么在肖特基二极管的整流桥中使用普通二极管(1N4001或1N4007)
我有9v AC(1A,50Hz)作为输入到5v DC(500mA)作为输出整流器电路来给开发板加电。但是我有疑问,如果我使用肖特基二极管而不是普通二极管,电路会发生什么。通过观看许多视频,我了解到肖特基二极管可以在高频,较低的温度耗散下工作。但是它比普通二极管具有更大的泄漏电流,这会影响整流电路吗?

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MOSFET二极管设计
首先,我只是说我不是电气工程师。但是,我是一位在电路设计和设置方面有一定经验的嵌入式程序员(给我1和0,然后我可以让他们跳舞...但是Analog是黑魔法……)。 一些背景可能有助于了解此处的情况。我在业余时间工作,以当地技术人员的身份帮助当地剧院。很久以前,他们建造了一个钻机,该钻机已用于多个作品和特殊活动。钻机特别是在舞台上方的轨道上的铝制机箱,可以远程操作。该设备允许技术人员在演出进行时降低舞台上的道具。将道具简单地连接到系绳,并通过小型直流电动机将其降低到舞台上。电机仅在一个方向上运行-向下。然后,钻机会跳出舞台,并准备下一次使用。通过这种非常有趣的设计,可以将电动机取下并放回数次(已更换为不同的物品,钻机上没有足够的空间来存放所有物品)。 现在,我很久以前就设计了控制电路,从那时起,它们工作得很漂亮。但是,我终于有时间和金钱通过升级来帮助他们。在此过程中,我试图解决所有找不到正确答案的电子难题。 原始设计是连接到uC的DEAD简单... n沟道MOSFET(查看下图,但去掉A / B / C / D)。这一直在起作用。但是,每次在设备仍处于通电状态下插入电动机时,设备将完全重启。最初,我以为这可能是由于直流电动机线圈上的电流涌入所致,但是我不知道该怎么办,或者缺乏反激二极管。或更糟糕的是,uC正在发生某些事情。经过谷歌和这个网站的几次旅行后,我已经看到了一些建议,但是我无法确定哪个是准确的或最佳的解决方案。甚至更糟糕的是,我不知道如何正确调整任何这些组件的大小(对不起,帮助!)。 有关其他信息,所连接的电动机始终为3v-3.3v和1A才能运行。电机可以随时更改,因此在此我无法给出每个电机的属性的确切值(钻机必须对此视而不见),但始终满足这两个要求。电机也通过uC由PWM控制。 这是我看到的建议: 因此,让我们往下看。 建议使用“ A”来防止在电动机的磁场崩溃时uC闭锁。我...猜测是有道理的,不确定是否会帮助或伤害我。 “ B”是标准的反激二极管,用于在磁场崩溃时防止反电动势。这是放正确的地方吗?如果正确的话,如何调整二极管的尺寸? “ C”是一种双齐纳反激,也有人建议使用。这需要更多部分,所以我不确定这里是否有任何好处。 “ D”是压敏电阻,可防止涌入。插入电源后,是否可以防止uC重新启动?一种尺寸如何? 这些设计是否正确?我是否需要添加TVS以获得ESD?更重要的是,如果其中任何一个都是不错的选择,那么如何选择零件呢?我知道要在数据表中查找某些项目,但是大量其他信息只是帮我忙。重要的是什么而不是什么? 最后(我知道这是一个书集),我们已经在今年添加了最后一点。 这是导演的要求。他希望能够“丢下”某些物品,而不是使用系绳。为此,他目前的舞台手感很差,无法将相当大的磁铁连接到汽车电池。磁体规格为12V,0.66安培(apwelectromagnets.com的EM175L-12-222),保持力为110#(完全过大,但与安全有关)。我相信上面的电路将完成所需的工作。uC将沿线路发送1(MAG1 / MAG2,武装是安全的,也将是1),并且磁铁已通电。当我想“放下”时,我在MAG1 / MAG2上写了一个0,向相反的方向发送H桥,迫使磁铁将支柱推开(如果磁铁掉下,它会“粘住”)放置时间过长,会使支撑板磁化)。这种设计行得通吗?我是否需要从上方添加相同或不同的保护,因为当H桥切换时,该字段上的EM字段会更大吗? 我对此表示衷心的感谢。我希望我可以透露更多有关剧院,表演和其他信息的信息。但是,根据我的合同,该项目将禁止我在未经导演批准的情况下进行此类工作(正在努力!),我们将不胜感激,并且,如果获得导演的批准,我将尝试将您添加到展会手册中。 再次感谢您阅读MOSFET的故事,或者阅读更流行的标题《哈利·波特与二极管的囚徒》。 根据托尼的问题进行编辑: 电源来自一条A / C线,该线通过板载电源(Delta Electronics的100W,DPS-100AP-11 A)转换为12V,然后通过每个能够提供5A电流的线性稳压器分别转换为5V和3.3V( AZ1084CD-3.3TRG1通过Diodes Incorporated提供3.3v电源,LM1084ISX通过TI提供5v电源)。外部电缆没有屏蔽,主要由标准的2端子扬声器线组成(不幸的是便宜)。电缆长度从当时的钻机设置到几英寸到10'不等。

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