Questions tagged «mosfet»

对于较低的击穿电压，鉴于功率MOSFET的更高效率，更高的换向速度和更低的价格，显然是该器件的理想之选。 最好在哪条线的哪个IGBT上接线？有哪些相关的决策标准？

14 mosfet  power-electronics  igbt 

我制作了一系列PCB，以为使用外部电源的某些电磁阀供电。我使用Arduino作为门信号使用BS170 MOSFET对其进行了切换。我基于Jason S的解决方案。 这说明了我的电路的样子： 在测试PCB时，我注意到它们中的大多数都可以正常工作，但其中一些却不能。没问题，可能是焊接问题。 但是，那些有问题的确实设法销毁了两个Arduino数字引脚！一方面，我获得5 V的恒定电压，而当我向其发送高电平信号时，另一个输出0.2 V，而当我发送低信号时输出0.5V。奇怪的东西。 因此，我猜测故障电路会以某种方式导致16 V（部分）流经Arduino，从而将其破坏。 在这种情况下，如何保护Arduino免受过大的电流？ 我知道齐纳二极管，但我不知道如何放置它们以保护输入。 技术信息： 1/4“ NPT电磁阀12伏DC，12VDC，N / C，RO，空气，水BBTF BS170（MOSFET）数据表

14 arduino  power-supply  mosfet  solenoid 

我知道MOSFET是四端器件，但是您可以购买的几乎每个分立MOSFET的体/基体/衬底内部都连接到源极。为什么是这样？这使得在某些类型的电路中使用变得不便，例如，当为基础的IC设计（用于指导目的）做电路板设计时，其中所有主体端子都连接到VCC或接地。分立的4端MOSFET没那么有用吗？还是有一些简单的方法可以用几个3端子MOSFET对其进行仿真？

14 mosfet  components 

几天前，我曾考虑在我的设计中使用小信号P沟道MOSFET，但找不到合适的器件。 我正在寻找的规格如下所示： （连续漏极电流）一世d= - 500 米甲ID=−500mAI_D = -500mA （栅源电压，逻辑电平为 5 V）V摹小号= - 5 VVGS=−5VV_{GS} = -5V5 伏5V5V （漏源电压）VD S= - 12 VVDS=−12VV_{DS} = -12V 我期望在TO-92封装中找到N通道2N7000或BS170的流行P通道对应物，它可能在每个人的垃圾箱中，就像BJT NPN / PNP对BC547 / 557和BC337 / 327一样，但找不到找到它。我只能在SMD包中找到特定于供应商的P通道。 2N7000或BS170是否有受欢迎的对应产品？如果没有，为什么不呢？

14 mosfet  pmos 

我正在开发一个使用Atmega328微控制器，功率为3.3V的纳米四轴飞行器以及非常小的有刷直流电动机。这些电机使用的平均电流约为3.7V时为800mA。 最初，为了驱动它们，我使用了L293D电机驱动器，但是该组件效率很低。电动机以最大功率运行时测得的电流约为500mA，因此推力远低于应有的水平。 现在，要解决此问题，我将用4个逻辑电平MOSFET替换该电机驱动器。经过长时间的搜索，我找到了这个（2SK4033）。 你知道它是否应该工作吗？我必须与二极管一起使用吗？如果答案为“是”，那么这个（MBR360RLG）怎么办？ 我之所以选择这些组件也是因为我可以从同一家在线商店购买它们。

13 microcontroller  transistors  mosfet  atmega  dc-motor 

我在教科书（Sedra and Smith的Microelectronic Circuits，第494页，（2010年）第六版）中读到，BJT由于其在恶劣天气条件下的可靠性而受到汽车行业的青睐。我知道温度会影响载流子浓度，但这如何使BJT更可靠？ 有问题的段落：

13 transistors  mosfet  bjt  semiconductors  reliability 

我一直在寻找能够为RC汽车电机（12V和2〜3A）设计简单但有效的H桥的方法。 该桥将由微控制器驱动，并且需要快速以支持PWM。因此，根据我的阅读，功率MOSFET是快速开关和低电阻的最佳选择。因此，我将购买额定值为24V +和6A +，逻辑电平，R DSon低且开关速度快的P和N通道功率MOSFET 。还有什么我应该考虑的吗？ 好的，继续进行H桥设计：由于我的MCU将以5V运行，因此由于V gs，关闭P沟道MOSFET会出现问题。需要保持在12V +才能完全关闭。我看到许多网站通过使用NPN晶体管驱动P沟道FET来解决此问题。我知道这应该可行，但是BJT的慢开关速度将主导我的快速开关FET！ 那么，为什么不像我在本设计中那样使用N沟道FET驱动P沟道FET呢？ 这是设计不良还是错误？我没有看到任何问题吗？ 而且，内置在这些FET中的反向二极管是否足以应付由停止（或反向）电动机感应负载引起的噪声？还是我仍然需要一个真正的反激二极管来保护电路？ 解释原理图： Q3和Q6是低端N沟道晶体管 Q1和Q4是高端P沟道晶体管，Q2和Q5是驱动那些P沟道（将电压下拉至GND）的N沟道晶体管。 R2和R4是上拉电阻，以保持P通道关闭。 R1和R3是用于保护MCU的限流器（不确定它们是否需要MOSFET，因为它们消耗的电流不多！） PWM 1和2来自5V MCU。 V cc为12V

13 microcontroller  mosfet  pwm  h-bridge 

我想知道功率MOSFET是否因过热而失效，它通常会因开路或短路而燃烧吗？ 另外，过热损坏是否通常会导致栅极氧化物以低电阻（<100欧姆）熔断？

13 mosfet  temperature  failure 

有人知道，该电路如何正常工作？它是介于5V和3.3V逻辑之间的电平转换器，并且是双向的。 我有一些理论，但是我不确定（我以前从未使用过MOSFET）。那个二极管是做什么用的？ 我从SparkFun的数据表（电平转换器）中获取此图像。

13 mosfet  level-shifting  ttl  3.3v 

我正在尝试使用以下MOSFET（N通道）来打开和关闭IC。 http://www.diodes.com/datasheets/ZXMS6004FF.pdf 在测试电路中，我将5VDC连接到MOSFET的漏极，然后将源极连接到IC的V +电源引脚。IC的Gnd引脚保持接地。由于某种原因，当我向MOSFET的栅极施加正电压时，它会导通，但我在IC的电源引脚上仅测得约2.5VDC，这对于IC来说还不够。有什么想法我在这里做错了吗？

13 mosfet  integrated-circuit 

我需要使用MOSFET驱动24V，6A的直流电动机。如何通过微控制器感应电动机消耗的电流？我必须知道电动机何时失速。

13 microcontroller  motor  mosfet 

有人告诉我，该电路具有“差的栅极驱动能力”： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 这到底是什么意思呢？我用一个LED作为M1的负载对其进行了测试，并且微控制器能够很好地打开和关闭它。在什么情况下驱动能力差是个问题？我该如何改善？

13 mosfet  driver  gate-driving 

我正在构建一个小型开关电路，该电路由8个MOSFET（双向阻断，每个方向上有4个）组成，应以大约1kHz的频率开关100-200A。 我得出的结论是，由于尚不容易获得具有厚铜层的PCB​​，因此更好的解决方案是将MOSFET直接安装在母线上，并在母线上也安装电源线。因此，我只需要在MOSFET之间焊接源极引脚（露天）。这解决了几个问题：良好的散热，从电缆到MOSFET的低压降以及只需很少的焊接即可轻松安装/更换所有组件。 我的问题是：应将TO-220封装紧固到母线上多紧？我是否正确地假设所有电子设备都在黑色塑料部件内，并且因此可以按照自己的意愿尽可能地拧紧它？是否存在任何潜在的问题，例如热变形导致连接不良等？ 这是我好奇的示意图： 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 编辑：添加了到MOSFET数据表的链接。制造商的数据表显示了包装的详细信息，但未显示D连接到选项卡。

12 mosfet  heatsink 

是否可以使用合适的IGBT栅极驱动器来驱动MOSFET，反之亦然？为了实现这种兼容性，哪些参数（阈值，平稳和额定电压，栅极电容等）必须相同？驱动这两种不同类型的门之间的本质区别是什么？

12 mosfet  mosfet-driver  gate-driving  igbt 

像二极管和BJT的压降约为0.6V一样，当MOSFET导通时，MOSFET的漏极和源极之间是否存在压降？在数据手册中，他们提到了二极管的正向压降，但我假设它仅用于体二极管。

12 mosfet