电气工程

在A3503霍尔效应传感器的数据表中，我看到了标有“功能框图”的电路图，它显示了我以前从未见过的符号。此处显示在3-输出和2-接地之间。 这应该代表什么？ 完整的数据表在这里

20 current-source  ttl  diagram  symbol 

我在这里和那里都已经看到了将电解电容器放在交流电上的原理图。这对我来说听起来很奇怪。 电解电容器有极性，对吗？如果我们反转直流的极性，则会发生坏事。据我了解，交流电有时会极性反转（通常为50Hz）。为什么我们可以在不损坏电容器的情况下将它们放在交流电上？ 例： 来自此处的演示：http: //youtu.be/qdXbnhb1bVo?t=5m57s

20 capacitor  ac 

很简单，我根据从其他地方读取的一些数据来控制伺服器（9g Micro Servos）。一切正常，除了伺服器会不断“抖动”。也就是说，它们以非常细微的运动向后振动（间歇运动为1/2-> 1cm左右）。 我尝试通过执行以下操作来纠正软件中的此问题： do{ delay(DTIME); positionServo(); lcd.clear(); lcd.setCursor(0,0); lcd.print("X position: "); lcd.print(xRead); lcd.setCursor(0,1); lcd.print("Y position: "); lcd.print(yRead); }while( readChange() ); //while there has been change 在需要执行do-while的地方，初始化存储映射的伺服值的变量（使用arduino伺服库）。 readChange（）函数定义为： int readChange(){ int x_Temp, y_Temp; x_Temp = map(analogRead(x_axisReadPin), 0, 1023, 0, 179); y_Temp = map(analogRead(y_axisReadPin), 0, 1023, 0, 179); if( abs(x_Temp …

20 arduino  servo 

这个信号的故事如下。我已经购买了带有集成MDC DAC模块的NAD C 356BEE放大器。它具有光纤和USB输入。光学没问题，但是如果我使用USB将DAC连接到我的PC，则它会在指定的时间发出咔嗒声/爆裂声。点击频率与信号采样率有某种关系。例如，以96 kHz的频率每2.5秒弹出一次，但以48 kHz的频率每30秒弹出一次。 我播放了一个正弦波，并且记录了噪音并放大了波形。这是一个非常短的信号，大约为0.008秒。你有什么想法吗？ 噪声信号的幅度远高于测试信号。噪声信号的长度是随机的（但是很短，您会听到咔嗒声），但是对于相同的测试信号，波形始终是相同的。 不同的测试频率会导致不同的错误信号。似乎错误信号是原始信号的某种转换。

20 signal  dac 

作为一般的工程爱好者，我每天都在学习有关微控制器世界的更多信息。曾经我不太了解微控制器的位版本的重要性。 我已经使用ATmega8几个月了，对于我来说，它似乎工作得很好。我知道诸如时钟速度，内存，IO引脚数量，通信总线类型等如何将一个微控制器与另一个微控制器区分开。但是我不太了解8位，16位和32位的重要性。我确实知道更高的版本允许设备存储更大的数字，但是，这又对我的决定有何影响？如果我要设计一种产品，那么在那种假设的情况下，我会决定8位处理器根本无法使用，而我需要更高的东西。 是否有理由相信，理论上ATmega8的32位版本（在其他所有条件都相同的情况下）将优于8位版本（如果可能的话）？ 我可能在胡说八道，但是我想那是我困惑的结果。

20 microcontroller  microprocessor 

常规连接器的插头和插座具有接触的金属部件，它们具有以下问题： 有限的配合周期或昂贵的电镀。 阻抗不匹配（仅与高速信号有关）。 缺乏隔离。 这是一个显而易见的解决方案，它将成为有用的以太网类型连接器。与其使金属电气零件配合，不如使磁性零件配合？ 插头将包含初级绕组和C形铁芯，而插座将包含次级绕组和更多的C形铁芯。当插头和插座配合时，C型芯将接触。这样做的好处是该设计不会磨损，并且可以完全隔离PCB。 是否存在这样的连接器？如果不是，是否由于某些原因不使用它们？他们可能会变得更昂贵吗？他们可能不太可靠吗？

20 connector  ethernet  magnetics 

“ R”是电阻/电阻，“ C”是电容器/电容，这是有道理的。但是，电感/电感的“ L”从何而来？ 编辑：维基百科说这可能是为了纪念海因里希·伦茨，但我想听听更多肯定的话。

20 inductor  inductance 

（这是此相关问题的后续）。 我对人们使用Castellated PCBs的设计结果/经验所提供的一些反馈感兴趣，这是一种将一个PCB附着到另一个PCB的方法。通过Castellations，我当然指的是“半通孔”或“边缘电镀”，如下所示（两个图像均来自Stack）： 这似乎是一个很好的解决方案，并且似乎是相当流行的外形，尤其是在RF模块中。 但我担心（并希望对此发表评论）： 机械接触的坚固程度 电接触的可靠性 哪些设计方法/因素可能会影响连接质量 例如，@ Rocketmagnet在前面的相关问题中描述的一种布局方法是将通孔放置在尺寸轮廓上，因此半钻孔充当可焊接的cast形。这是一种标准/可接受的方法，还是设计人员应实际联系PCB制造商并定制专门要求加城堡形的电路板？ 如下图所示，采用半尺寸镀通孔方法（来自此人的博客）的结果并不令人印象深刻（该页面的作者认为不良的铣削负责）。

20 pcb  pcb-design  connector  via 

锡罐上的字眼完全一样。 图中的附件如何命名？查找名称的明显地方是探针手册，但看起来他们决定在制作手册后决定将附件添加到包装中，因为它不在组件列表中。

20 oscilloscope  terminology  probe 

我了解许多组件，例如电解电容器（电解电容器的保质期是否有限？）如果不使用，则保质期有限。诸如碳电阻器之类的其他组件在坐在架子上时往往会随着时间变化值。 我想知道的是，集成电路的保质期是否有限？如果是，某些类型的集成电路是否会遭受更大的损害？

20 integrated-circuit 

我正在设计一个包含0.4mm间距QFN芯片的非常密集的PCB。在某些方面，它很难散开。由于某些原因，所有QFN都具有巨大的散热垫，这使工作变得更加困难。 在焊盘和导热垫之间放置0.45mm OD，0.2mm ID的微小过孔是否合理？ 我想不出为什么没有理由：它们被阻焊剂覆盖，并且尺寸和间隙在我们PCB车间的规格之内。但是我认为我以前从未见过有人这样做。 加 我只想为对这些小过孔感兴趣的人添加一些照片。这是我们最近制作的董事会中的两个。一些演习在进行中，而有些则在微弱中进行。

20 pcb  layout  via  footprint 

我希望能够保护我的ADC免受高于5V的输入电压的影响。我可以构建具有如下所示输出的最简单的保护电路是什么？

20 voltage-clipping 

作为我项目的略微扩展，我试图查看是否可以通过使用双SIM卡方法来提高连接弹性。双SIM卡手机（或Tri-SIM，四SIM卡手机）在许多发展中国家非常流行，而AFAIK大多基于联发科芯片组。但是，我想知道它们是否使用单个GSM模块（RF基带+控制器），该模块被多路复用以供多个SIM使用，或者它们实际上是否具有与SIM卡数量一样多的GSM模块。 如果它是多个模块，那么我想我已经知道需要什么，但是如果它是一个与多个SIM卡多路复用的模块，那么我想了解它是如何工作的。如果有人对它的工作原理有一个高级的了解，那么很高兴能够看一下。 编辑（2012年2月1日）： 叫我疯了，但我继续购买了El-cheapo双SIM卡手机以撬开并查看内部，尽管由于集成度和密度很高，我不希望看到太多了。可以肯定的是，显然有2个SIM卡，并且走线似乎通向放置在金属EMI屏蔽盒下面的模块中，而没有任何标记。由于尚不清楚如何将其粘在板上，因此看不到移除EMI屏蔽盒的明显方法。因此，无法确定，但考虑到屏蔽的大小，可能是单个模块。 多SIM卡可能使用单个GSM RF模块的另一个原因是，我发现有些手机声称有4张SIM卡！嗯 修改（2012年2月15日）： 经过一番阅读之后，我开始相信将单个模块与2个（或更多）SIM一起使用的方法是修改GSM模块本身的标准单SIM固件。仅通过应用程序处理器（在我的情况下为uC）上的固件可能很难实现这一目标。模块上的固件公开了几种不同类型的API的sa Hayes AT命令集或使用某种消息传递的本机API，并且只提供比处理多个SIM卡所需的更高级别的控制。这意味着，要使用我现有的GSM模块（例如Telit，Siemen / Benq，SimCom等）来为我的项目实现双（或更多）SIM卡，将变得不容易（或不可能）。会一直寻找，如果有人拥有可靠的知识来挑战这一发现， 编辑（2012年7月25日）： 我遇到了2种不同的手机（el-cheapo底部支架深圳Android手机），这两款手机在技术规格上的关键差异引起了我的注意。有人说，虽然手机支持2张SIM卡，但一次只能激活其中一张，但我相信这是单模块，双SIM卡方式。对于另一部手机，它表示对于所支持的2张SIM卡，两者都可以同时使用，其中一个用于通话，另一个用于维持3G数据连接。如果不使用2个GSM RF模块，我将无法做到。当然，第二部手机更贵-约25美元，这可以用更好的ARM11处理器（800MHz而不是650MHz）和额外的GSM模块来解释，插入稍大一点的电池（仅增加200mAh）。当然， 编辑（2013年2月12日）： 为了确认这一点，在声称是双SIM卡的El-cheapo Android手机上，肯定只有1个GSM模块，因为这种行为是，如果您建立了数据会话，与其他SIM卡的所有呼叫（传入呼叫）均失败，网络运营商会播放该号码无法接通的通知。实际上，这意味着虽然第二个移动电话号码“注册”到了网络（在GSM的意义上），但由于手机（SIM卡与该移动电话号码相对应）未响应网络的“寻呼请求”，因此无法访问”。发生这种情况是因为唯一的GSM模块已经在忙于与第一个SIM卡的数据连接。 编辑（2015年9月15日）： 自从我上一篇博文以来，桥下流了很多水。我发现有文档表明，这两种变体似乎都很流行，尽管由于整体设备成本（包括电池成本）的原因，前者在低端设备上更受欢迎。 单无线电，多SIM卡 双无线电（尚未找到大于2的GSM无线电），多SIM卡 在电话手机行业中，前者似乎被称为“双待”，后者被称为“双待”。 一些与此相关的有趣链接： http://www.simore.com/cn/ http://www.gsmarena.com/dual_sim-review-154.php 但是，更有趣的是，这是有关使用支持双SIM卡的Quectel GSM模块的应用笔记。

20 communication  radio  gsm  redundancy 

对于我正在设计的项目，我使用带有LPC1788（QFP）微控制器的IS42s32800（TSOP）SDRAM 。在PCB上，我有4层，其接地层位于顶部信号层的正下方，而VDD层位于底部信号层的正上方。CPU和RAM之间的平均走线长度为60毫米，最长走线为97毫米，时钟线为53毫米长，且未安装终端电阻。我很好奇的是，是否绝对有必要在DRAM线上配备终端电阻。如果没有它们，这种设计是否可以工作？如果没有电阻，我什至不应该去尝试吗？

20 pcb  pcb-design  sdram  termination  lpc 

实际上，我只是被一位教练轶事地告知了我，但是有人可以解释游戏中的物理学吗？ 有人告诉我，如果以足够高的频率驱动电感器，它将开始像电容器一样工作，但我不知道为什么。

20 inductor  high-frequency  parasitic-capacitance