Questions tagged «bjt»

因此，有几种类型的晶体管： 北京电讯 场效应管 场效应管 将所有这些与每种特性（NPN，PNP，增强模式，耗尽模式，HEXFET等）结合起来，您将获得各种各样的零件，其中许多零件都可以完成相同的工作。哪种类型最适合哪种应用？晶体管用作放大器，数字逻辑开关，可变电阻器，电源开关，路径隔离，因此清单不胜枚举。我怎么知道哪种类型最适合哪种应用？我确信在某些情况下，一个比另一个更理想。我承认这里有一定的主观性/重叠性，但是我敢肯定，对于列出的每种晶体管类型（以及我遗弃的那些晶体管）最适合哪种应用类别已经达成了普遍共识？例如， PS-如果这需要是Wiki，那么如果有人想为我转换它就可以了

61 mosfet  bjt  transistors 

在实验中，我仅将BJT用作MCU输出的开关（用于打开和关闭LED等）。但是，我一再被告知，对于开关来说，N沟道增强模式MOSFET是更好的选择（例如，请参见此处和此处），但是我不确定为什么会这样。我确实知道MOSFET不会在栅极上浪费电流，而BJT的基极会在栅极上浪费电流，但这对我来说不是问题，因为我没有依靠电池供电。MOSFET也不需要与栅极串联的电阻，但是通常不需要下拉电阻，因此在MCU重新启动时栅极不会浮空（对吗？）。这样就不会减少零件数量。 似乎没有太多的逻辑电平MOSFET可以切换廉价BJT可以切换的电流（例如，对于2N2222，约为600-800mA），而确实存在的（例如，TN0702）是很难找到，而且价格昂贵得多。 什么时候MOSFET比BJT更合适？为什么经常被告知我应该使用MOSFET？

57 microcontroller  transistors  mosfet  bjt 

问题的另一种形式是：将两个二极管与导线（pn-np）连接起来是否会使晶体管等效？ 我读到它们并不等效，但是为什么呢？

56 diodes  bjt 

我看过针对初学者的教程，提出了在没有足够电流驱动的情况下从某种东西驱动LED的方法是： （选项A） 但是为什么不这样： （选项B） 选项B似乎比选项A有一些优势： 组件更少 晶体管不饱和，导致更快的关断 LED中充分利用了基极电流，而不是使基极电阻发热 选项A的优势似乎很少： 使负载更靠近供电轨 但是，当Vcc明显大于LED的正向电压时，这无关紧要。因此，鉴于这些优点，为什么选择A选项呢？我忽略了什么？

52 led  transistors  driver  bjt 

我了解到，在“饱和模式”下，BJT充当简单的开关。我在驱动LED之前就已经使用了此功能，但是我不确定我是否清楚地了解如何使晶体管进入该状态。 通过将Vbe升高到某个阈值以上，BJT是否会饱和？我对此表示怀疑，因为据我所知，BJT是电流控制的，而不是电压控制的。 通过允许Ib超过某个阈值，BJT是否会饱和？如果是这样，此阈值是否取决于连接到收集器的“负载”？是否仅仅因为Ib足够高而使晶体管的beta不再是Ic的限制因素而使晶体管饱和？

45 transistors  bjt  saturation 

我已经创建了所示的电路。我使用的是9V电池（实际上扔掉了9.53V）和5V来自Arduino的电压，分别测试9伏和5伏。该晶体管是BC 548B（我正在使用的数据表在此处）。 模拟此电路 –使用CircuitLab创建的原理图 我进行了一些测试，更改了Rb和Rc的值，结果如下，但不知道它们是否正确。 9V Ref Rb Rc Ib (μA) Ic (mA) Beta 1 160k 560 50 15.6 312 2 470k 1.2k 18 6.15 342 3 220k 1.2k 41 7.5 183 4 180k 1.2k 51 7.5 147 5V Ref Rb Rc Ib (μA) Ic (mA) Beta 1 160k 560 …

43 transistors  bjt 

如果对于BJT晶体管，在公共发射极放大器电路中将其发射极端子视为集电极，而将其视为发射极，会发生什么情况呢？

24 transistors  amplifier  bjt 

我经常注意到双极晶体管的基极使用上拉电阻，例如，这里的：R 2[R2R2 为什么使用它？我了解FET的上拉电阻，因为栅极的高阻抗，EMI可以轻松切换它。但是BJT需要打开基极电流，而且我认为EMI的内部阻抗过高，无法提供足够的电流。 将浮动基座留在BJT开关中是否安全？

23 bjt 

作为业余爱好者，我喜欢将BJT和分立元件插入无焊面包板中，以进行娱乐和教育，我认识到像我这样的人的市场不足，不足以使制造商继续生产。 我注意到，在此网站上，许多有关BJT的问题都得到了使用专用IC或PIC的建议的回答。 我也喜欢阅读 有史以来555个最佳IC或过时的过时 我注意到555和通孔BJT可以通过在线爱好者商店购买和推销。 我有一些便宜的太阳能LED灯来标记路径的边缘，最近一个灯坏了，所以我打开了它，发现该板在单层上有三个通孔BJT和一堆其他分立的通孔组件板。 那么，为什么一些大批量制造商仍然使用这种技术呢？ 我能提出的唯一理由是 它的设计真的很旧，不值得重新设计吗？ 教育市场比我想象的还要大？ 也许旧的BJT生产机械可以运送到低工资的国家，并以最低的成本保持运行数年？ 中国的工资仍然足够低以维持这种技术？ 有很多老工程师利用555和BJT积累的智慧吗？ 离散通孔BJT仍然是某些问题的最佳解决方案（什么？） 工程师是否仍在设计使用通孔BJT的批量生产？

22 design  bjt  555  through-hole 

BJT主要用于常见的发射极，有时也用于常见的集电极配置。我很少看到共同的基础。您何时会在共同基础中使用BJT？例如，哪些参数不同于普通发射器？

21 transistors  bjt 

这是FAN3100栅极驱动器IC的结构： （摘自其数据表） 如您所见-有两个输出开关：CMOS和BJT。 为什么他们都把它们都放？

20 bjt  cmos  gate-driving  fet 

考虑一下这个简单的CircuitLab电路（电流源）草图： 我不确定如何计算晶体管的功耗。 我正在学习电子学课程，并且在笔记中有以下公式（不确定是否有帮助）： P=PCE+PBE+Pbase−resistorP=PCE+PBE+Pbase−resistorP = P_{CE} + P_{BE} + P_{base-resistor} 因此，功耗是集电极和发射极之间的功耗，基极和发射极之间的功耗以及一个神秘因素。注意，在该示例中，晶体管的β被设置为50。Pbase−resistorPbase−resistorP_{base-resistor} 我总体上很困惑，这里关于晶体管的许多 问题 非常有帮助。

20 transistors  bjt 

我在驻极体麦克风前置放大器上经常看到此电路，但我不太了解。FET用作公共源放大器，因此它具有增益，反相和相对较高的输出阻抗。因此，在缓冲区后面跟随它会很有意义。 BJT是常见的收集器 /发射器跟随器，因此它似乎只是一个缓冲区，对吗？这将是同相的，具有接近单位的电压增益，并且具有低输出阻抗，可以在不降低性能的情况下驱动其他器件。来自FET的电压信号通过电容器传递到BJT的基极，然后在此处进行缓冲并显示在BJT的输出中。 我不明白的是为什么FET的漏极电阻器连接到BJT 的输出，而不是电源。这是某种反馈吗？这不是正面的反馈吗？（随着FET的输出电压的增加，它会通过电容将基极电压向上推动，然后将其从BJT向上推动输出电压，然后将其向上拉动FET电压，依此类推。） 与这种电路相比，它有什么优势？

19 amplifier  bjt  jfet 

根据我的理解，输出级的作用是将输出阻抗减小到几乎为0。为此，MOSFET似乎更适合，因为它们的RdsRdsR_{ds}更低。 但是我经常看到BJT在离散设计中作为缓冲器，通常在达林顿配置中以增加输入阻抗，而只有一个MOSFET具有足够高的输入阻抗。 我的想法是它更便宜或更简单。功率BJT确实比功率MOSFET便宜一些，在我看来，用BJT发射极跟随器制作相对线性的缓冲器比较简单，而MOSFET源极跟随器可能需要一些反馈。

15 mosfet  bjt  buffer 

以下是业余爱好者的工作，我完全没有商业意图。只会构建少数几个（两个？）。（我将它们用于零件测试和曲线生成，尽管在更高的电压合规性下，我可能会发现比以前更多的用途。） 我有以下引脚驱动器电路，该电路可提供高达输出顺从电压，同时提供 ± 10±50V±50V\pm 50\:\textrm{V}连接到引脚驱动器输出和地之间的负载。（较大的正负轨道约为 ± 60±10mA±10mA\pm 10\:\textrm{mA}，运放轨为 ± 15±60V±60V\pm 60\:\textrm{V}。±15V±15V\pm 15\:\textrm{V} 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 上述电路的输出摆率通常不超过或10020As20As20\:\frac{\textrm{A}}{\textrm{s}}。（我以不超过1的速率驱动输入100mVμs100mVμs100\:\frac{\textrm{mV}}{\mu\textrm{s}}，峰到峰，并且通常比这慢。）1ms1ms1\:\textrm{ms} 我想将顺从电压扩展到，并将电流驱动能力降低至 ± 500±800V±800V\pm 800\:\textrm{V}或许 ± 1±500μA±500μA\pm 500\:\mu\textrm{A}。（然后，电压压摆率增加到 1.6±1mA±1mA\pm 1\:\textrm{mA}，这可能是一个问题了。）1.6Vμs1.6Vμs1.6\:\frac{\textrm{V}}{\mu\textrm{s}} 获得± 850的配对高压电源轨不是问题。但是我能够将 Q 1到 Q 4作为同一骰子的一部分（BCM846S等）拾取，我想保持 V B E（甚至 β）的匹配。但是现在 V C E O又涨了“很多”和相同的拓扑结构是行不通的，因为我不认为有任何配对用的那种双极结型晶体管 V ç Ë Ò。实际上，我不确定是否有任何离散的PNP BJT接近我想要看到的。（也许是NPN。但是PNP？）±850V±850V\pm 850\:\textrm{V}Q1Q1Q_1Q4Q4Q_4VBEVBEV_{BE}ββ\betaVCEOVCEOV_{CEO}VCEOVCEOV_{CEO} 我可以想象设置另外一对电压轨（靠近高压轨，但也许是靠近地面），并采用级联设计（又使用四个BJT），以保护高端和低端匹配镜对。所增加的电压供应不需要处理超过 10个40V40V40\:\textrm{V}或其附近，因此它可能不是所有难以构建新的高电压电源导轨的进行。但是，如果对拓扑有其他/更好的想法，我想听听他们的看法。10μA10μA10\:\mu\textrm{A} 这就是我的意思： 模拟该电路 我有没有想过这里的问题，还是可以做得更好？有没有人建议任何FAB对离散BJT进行任何处理，我可能会在这里考虑其共源共栅？ 我也知道，我还将面临与间隙和爬电有关的完全不同的问题，而我以前不必在这里面对过。但是，这是一个不同的主题，我将在以后单独讨论。现在，我专注于如何获得想要达到的更高的电压合规性。 …

15 bjt  high-voltage  current-source