Questions tagged «bjt»

在家庭作业中，我需要绘制Vout-vs-Vin图，首先通过分析获得该图。我知道Ur和Vin都是非负的，电路如下所示： lnln\ln

14 operational-amplifier  circuit-analysis  bjt 

这是我对NPN BJT（双极结型晶体管）的了解： 基极-发射极电流在集电极-发射极处被放大了HFE倍，因此 Ice = Ibe * HFE Vbe是基极-发射极之间的电压，并且与任何二极管一样，通常约为0.65V。不过，我不记得了Vec。 如果Vbe低于最小阈值，则晶体管断开，并且没有电流通过其任何触点。（好的，也许有几微安的泄漏电流，但这无关紧要） 但是我仍然有一些问题： 晶体管饱和时如何工作？ 除了Vbe低于阈值以外，是否可以在某些条件下使晶体管处于打开状态？ 此外，请随时指出（在答案中）我在这个问题上犯的任何错误。 相关问题： 我不在乎晶体管如何工作，如何使它工作？

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在此原理图中，肖特基二极管（如“倒钩”）在连接了基极的某些BJT上意味着什么？我以前没有遇到过这个符号。

13 bjt  symbol  schottky 

我非常努力地了解晶体管的基本工作原理。我已经看过很多书，也去过论坛，但是从来没有令人信服的答案。 以下是我要了解的内容： 除非向基极施加电压，否则晶体管类似于反向偏置二极管。由于发射极-基极结是正向偏置的，因此会有电子（例如-npn）的传导。那会发生什么呢？这些来自基极的电子真的会突破集电极-基极结的势垒，然后合并的电流流向发射极吗？（IB + IC = IE） 为什么我们会越来越流行？放大在哪里？不可能就像无中生有。我知道我在这里缺少一些关键点。有人可以简单地向我解释清楚吗？ 我已经尝试了一周以了解这一点。:(

13 transistors  bjt  basic 

我在教科书（Sedra and Smith的Microelectronic Circuits，第494页，（2010年）第六版）中读到，BJT由于其在恶劣天气条件下的可靠性而受到汽车行业的青睐。我知道温度会影响载流子浓度，但这如何使BJT更可靠？ 有问题的段落：

13 transistors  mosfet  bjt  semiconductors  reliability 

我试图了解这种“自举偏置”放大器电路。下面的图片改编自GJ Ritchie的“晶体管技术”一书： 该电路是“分压器偏压”的变型，在加入了“自举组件”的和Ç。作者解释说，使用R 3和C是为了获得更高的输入电阻。作者对此进行了如下解释：R3R3R_3CCCR3R3R_3CCC 加上自举组件（和C），并假设C在信号频率下的电抗可忽略不计，则发射极电阻的AC值由下式给出：R3R3R_3CCCCCC R′E=RE||R1||R2RE′=RE||R1||R2R_E' = R_E || R_1 || R_2 实际上，这表示的小幅下降。RERER_E 现在，随着射极电阻的发射极跟随器的电压增益 是甲= - [R ' ÈR′ERE′R_E'，这是非常接近于1。因此，与输入信号v我Ñ施加到基，与在发射极出现的信号（甲v我Ñ）被施加到的下端- [R3。因此，出现在整个信号电压 - [R3是（1-甲）v我Ñ，比全输入信号，并且非常少得多- [R3现在似乎具有的一个有效的值（AC信号）：- [R'3=A=R′Ere+R′EA=RE′re+RE′A=\dfrac{R_E'}{r_e+R_E'}vinvinv_{in}AvinAvinAv_{in}R3R3R_3R3R3R_3(1−A)vin(1−A)vin(1-A)v_{in}R3R3R_3。R′3=R31−A≫R3R3′=R31−A≫R3R_3'=\dfrac{R_3}{1-A}\gg R_3 为了理解这一点，我制作了电路的AC模型。这是AC模型： 从AC模型中，我可以验证作者关于发射极电阻为的说法。| R 1 | | R 2和节点中标记为V的电压略小于输入电压。我还可以看到，R 3两端的电压降（由V i n - V给出）非常小，这意味着R 3将从输入中汲取很少的电流。RE||R1||R2RE||R1||R2R_E || R_1 || R_2R3R3R_3Vin−VVin−VV_{in} - VR3R3R_3 但是，从该解释中我仍然不太了解两件事： 1）为什么我们可以简单地将公式用于发射极跟随器电压增益（）这里，忽略的效果- [R3？A=R′Ere+R′EA=RE′re+RE′A=\dfrac{R_E'}{r_e+R_E'}R3R3R_3 2）说对于交流信号似乎具有不同的“有效值”是什么意思？我不明白为什么R 3会改变价值。R3R3R_3R3R3R_3 …

13 transistors  amplifier  bjt  bootstrap  biasing 

有人可以向我解释电阻器R2的用途吗？如果删除R2，电路将执行相同的结果，不是吗？ 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图

13 resistors  bjt 

我在下图中找到了LED的驱动电路，但我无法弄清其设计目的是什么。 V DD输入有两种，分别是9 V和6.5V。我想也许这个驱动电路正在确保无论这两个输入电压（9 V和6.5 V）是哪一个，它都将保持相同的亮度。 因此，我的问题是1）。它的设计目的是什么？2）。它的理论是什么？

12 led  digital-logic  bjt 

我想知道该电路的这些部分的用途。 资源 这是UT70C数字万用表的原理图。

12 transistors  bjt 

我正在使用BJT构建高速的（在BC847级晶体管上为10-20ns）数字“缓冲” /“反相器”。方案附后。 虽然我可以通过添加肖特基二极管来防止低端BJT饱和，但它不适用于高端。除了降低基极电阻的电阻，还有其他提示吗？

12 bjt  saturation 

假设我知道NPN晶体管的工作原理。 PNP晶体管有何不同？PNP和NPN之间的操作区别是什么？

12 transistors  bjt  pnp 

我正在尝试根据此模型设计BJT放大器： 当beta参数可能在100到800之间变化时，基极和发射极之间的电压等于0.6V（有源模式），Vt=25mVVt=25mVV_t = 25 mV并且可以忽略早期效应。 也可以假设旁路电容器只是充当AC的短路和DC的开路。 存在三个约束： 静态功耗<25mW； 6Vpp的输出信号摆幅 对于beta处的任何变化，集电极电流的最大误差为5％ 我已经证明集电极和发射极之间的电压为3.2V（使用信号摆幅信息），但是我不知道下一步该怎么做。 编辑： 导致：VCE=3.2VVCE=3.2VV_{CE} = 3.2V 输出信号摆幅产生的上限为+ 3V，下限为-3V。放大器将截止或饱和。而且，该电路是线性系统，这意味着可以使用叠加定理。在任何节点上，电压将是极化（DC）电压和信号（AC）电压之和。因此，使用信号摆幅并假定对称输出（和V Ë处于colletor和发射极的极化电压）：VCVCV_CVEVEV_E Vcmax=VC+3V=VC+vomax=VC+IC∗RC//RLVcmin=VC−3VVcmax=VC+3V=VC+vomax=VC+IC∗RC//RLVcmin=VC−3VV_{cmax} = V_C + 3V = V_C + v_{omax} = V_C + I_C * R_C//R_L\\ V_{cmin} = V_C - 3V 第一个方程式表示（截止条件，无电流流入晶体管；i R C = i R L）并使用第二个方程式（假设最小集电极电压为V）E + 0.2 V导致饱和）：IC∗RC//RL=3VIC∗RC//RL=3V I_C * …

12 amplifier  bjt 

BD679晶体管的数据表列出了“发射极基极电压”的最大值为5v的绝对最大额定值。 这个图使我感到困惑-我的（BJT）晶体管的心智模型具有从基极到发射极的等效路径，与二极管的等效，并且电位差无关紧要-是电流控制着栅极。 我搜索了这个词，结果中得到的像这其中似乎谈论的晶体管的不同属性。 符号（“发射极基极电压”与“基本发射极电压”相对）使我认为这可能是指可跨接在基极发射极上的最大“负电压”，而不是正常操作中的最大“负电压”。这个对吗？ 如果不是，那么这个数字是什么？与该器件的其余部分相比，是什么导致该结的最大值这么低？

12 transistors  bjt 

为NPN晶体管基极选择电阻的方法是什么？ 我想在如下所示的设计中将P2N2222A用作开关。当我的基极电压为（1.8 V）时，我希望在NODE1与地面之间建立连接。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图

12 transistors  resistors  bjt  npn 

我们每天都在使用它们，有经验的人会充分了解BJT晶体管的功能特性。有大量文档和链接解释了运算数学。甚至还有成千上万的精美视频，它们解释了当前身体如何运作的理论。（后者中的大多数由出于某种原因讲“电话营销英语”的人提供。） 但是，即使在40多年后，我也不得不承认很多，但我还是要以票面价值来接受，因为关于集电极接点如何适合方程式的描述总是有些费事。 不管怎么说，我真的只是不了解其中一个方面。它似乎无视物理学定律，即基尔霍夫定律等。 我说的是您的标准饱和公共发射极电路。 众所周知，并且我们接受的是，饱和时，集电极电压将小于基极电压。显然，我们在电路中利用了它的优势，并选择了一些器件来为特定的负载电流提供尽可能低的Vce-Sat。 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 一切顺利，直到您了解典型NPN晶体管的典型模式... 集电极的电压到底会比该夹层中的基极低吗？ 即使在其中添加一些反电动势类型的电压来解决，集电极电流也将错误地通过基极-集电极结。

11 transistors  bjt  physics