Questions tagged «diodes»

警告：这可能是一个非常幼稚的问题（如果是，请启发我）。 继电器的许多应用都需要一个反激二极管来防止感应电压。我找不到任何包含反激二极管的继电器。 由于这是一个普遍的需求，为什么继电器在继电器封装内不包括反激二极管？是否有太多因素需要考虑，难以猜测电路的需求？

24 relay  diodes 

由于异步串行通信甚至在当今的电子设备中也很普遍，我相信我们许多人会不时遇到这样的问题。考虑与串行线（RS-232或类似产品）连接并且需要连续交换信息的电子设备D和计算机。即每个发送一个命令帧，并每个发送一个状态报告/遥测帧答复（报告可以作为对请求的响应发送，也可以独立发送-在这里并不重要）。通信帧可以包含任何任意二进制数据。假设通信帧是固定长度的分组。PCPCX msDY ms 问题： 由于协议是连续的，因此接收方可能会失去同步，或者只是在进行中的发送帧中间“加入”，因此它只是不知道帧起始位置（SOF）在哪里。根据数据相对于SOF的位置，数据具有不同的含义，接收到的数据可能会永久损坏。 所需的解决方案 可靠的定界/同步方案可在恢复时间短的情况下检测SOF（即重新同步所需的时间不超过1帧）。 我了解（并使用了一些）的现有技术： 1）标头/校验和 -SOF作为预定义的字节值。帧末的校验和。 优点：简单。 缺点：不可靠。恢复时间未知。 2）字节填充： 优点：可靠，快速恢复，可与任何硬件一起使用 缺点：不适用于固定大小的基于帧的通信 3）第9位标记 -在每个字节之前附加一个位，而SOF标记为1和数据字节标记为0： 优点：可靠，快速恢复 缺点：需要硬件支持。大多数PC硬件和软件未直接支持。 4）第8位标记 -上面的一种模拟，同时使用第8位而不是第9位，每个数据字仅保留7位。 优点：可靠，快速的恢复，可与任何硬件一起使用。 缺点：需要从/到常规8位表示到/从7位表示的编码/解码方案。有点浪费。 5）基于超时 -假定SOF为某个已定义的空闲时间之后的第一个字节。 优点：无数据开销，简单。 缺点：不太可靠。在较差的计时系统（如Windows PC）上无法很好地工作。潜在的吞吐量开销。 问题： 还有哪些其他可能的技术/解决方案可以解决该问题？您能否指出上面列出的缺点，可以轻松解决这些缺点，从而消除它们？您（或您将）如何设计系统协议？

24 serial  communication  protocol  brushless-dc-motor  hall-effect  hdd  scr  flipflop  state-machines  pic  c  uart  gps  arduino  gsm  microcontroller  can  resonance  memory  microprocessor  verilog  modelsim  transistors  relay  voltage-regulator  switch-mode-power-supply  resistance  bluetooth  emc  fcc  microcontroller  atmel  flash  microcontroller  pic  c  stm32  interrupts  freertos  oscilloscope  arduino  esp8266  pcb-assembly  microcontroller  uart  level  arduino  transistors  amplifier  audio  transistors  diodes  spice  ltspice  schmitt-trigger  voltage  digital-logic  microprocessor  clock-speed  overclocking  filter  passive-networks  arduino  mosfet  control  12v  switching  temperature  light  luminous-flux  photometry  circuit-analysis  integrated-circuit  memory  pwm  simulation  behavioral-source  usb  serial  rs232  converter  diy  energia  diodes  7segmentdisplay  keypad  pcb-design  schematics  fuses  fuse-holders  radio  transmitter  power-supply  voltage  multimeter  tools  control  servo  avr  adc  uc3  identification  wire  port  not-gate  dc-motor  microcontroller  c  spi  voltage-regulator  microcontroller  sensor  c  i2c  conversion  microcontroller  low-battery  arduino  resistors  voltage-divider  lipo  pic  microchip  gpio  remappable-pins  peripheral-pin-select  soldering  flux  cleaning  sampling  filter  noise  computers  interference  power-supply  switch-mode-power-supply  efficiency  lm78xx 

我注意到，在二极管和整流器的所有资源中，它们都将输出电压显示为输入信号的正半波。但是，这似乎是错误的。 我知道二极管两端存在压降，如果总电压低于该电平，则二极管闭合。因此，如果二极管没有立即打开，而是仅在输入波达到该电压之后才打开，这似乎是合乎逻辑的。 这是我的插图-首先，输入。第二，我的输出观念。第三-输出如教科书所示。 如果我错了，当输入低于二极管的开路电平时，输出信号中怎么可能没有“平坦区域”？

22 diodes  circuit-analysis  rectifier 

从一些示意图中可以看到，在晶体管CE端子之间放置了反激或缓冲二极管（右配置），而不是通常在线圈端子之间放置了反激（左配置）。 其中哪些是“正确的”？还是每个人都有各自的目的？ 需要注意的是，这些二极管通常列为外部1N400x型二极管（在TIP120 Darlingtons上），而不是BJT或Mosfet的内部二极管。 最后一点，我看到了一些示意图，其中有两个二极管，一个跨线圈，另一个跨CE端子。我认为在那种情况下只是冗余而没有真正影响电路，这是一个错误的假设吗？ 模拟该电路 –使用CircuitLab创建的原理图 何时/为什么要使用齐纳二极管作为续流二极管（在继电器线圈上）的答案？通过在上方左侧配置中显示一个常规二极管，在右侧配置中显示一个齐纳二极管，对此进行了细微的介绍。它并没有说相反的说法不正确（或为什么），那么作为第二部分，齐纳二极管能否在左侧配置下工作，而普通二极管在右侧配置下工作？如果是这样，它将如何改变其运作方式？

22 diodes  protection  inductive  flyback 

我刚刚在http://www.electronics-tutorials.ws/io/io_5.html上关注本教程，在讨论飞轮二极管时，它包含了这句话，无需进一步阐述： 除了使用飞轮二极管来保护半导体组件外，用于保护的其他设备还包括RC缓冲网络，金属氧化物压敏电阻或MOV和齐纳二极管。 我可以看到，如果它是一个大型设备，可能会需要RC网络，因此，线圈释放的电流可能比您希望通过单个二极管消散的电流更多。（如果不是这个原因，请纠正我。） 我不知道MOV是什么，所以暂时我不会理会它。:-) 我已经阅读了一些有关齐纳二极管的信息，但我不明白为什么在这里可能需要较低的反向击穿电压？ 编辑：我也对以上教程中的下图感到困惑： 这不会接受任何反激电压并将其倾倒到Vcc网络中吗？将继电器线圈置于TR1与地之间，并且二极管将反激电压耗散到地，这不是更好的主意吗？

22 relay  diodes  zener 

如果您的二极管具有一定的势垒电压（例如，Si为0.7 V），并且施加的电压高于该势垒电势，为什么二极管两端的电压保持在0.7V？ 我知道二极管上的输出电压会随着施加正弦输入而增加，直到达到0.7标记为止，但我似乎不明白为什么在此之后它仍保持恒定。 对我来说有意义的是，任何大于此势垒电位的电位都将允许电流通过，相应地，二极管两端的电位应为施加的电压减去0.7V。

21 voltage  diodes 

Raspberry Pi B +型号在USB连接器和板上的5V网络之间具有保护电路。他们建议在通过其GPIO接头和多熔丝对pi进行“反向供电”之前，对pi HAT进行类似的保护。我知道为什么要这样做，但我想进一步了解该电路的工作原理。 在发布此问题之前，我进行了一些搜索，发现了有关将MOSFET用作低压降二极管的信息，但它们的栅极都直接接地，而没有一对PNP和电阻。他们正在为此电路做什么？另外，这主要是使用体二极管吗？在哪种情况下，数据表上符合DMG2305UX资格的相关信息是什么？在我发现的其他电路中，似乎Rdson和Vgsth较低，这似乎与该电路的特性有关。

21 mosfet  diodes  raspberry-pi  protection 

我正在阅读《电子艺术》，他们正在显示此电路： 它表示D 1通过提供0.6V的偏压来补偿D 2的正向压降。我完全不了解这个电路。+ 5V是外部5v电源吗？如何补偿？

21 voltage  diodes 

我真的不了解该电路和类似电路中的这些二极管如何保护控制器电路免受线圈电感存储的能量的影响（例如驱动继电器电路）。我真的很感谢有人可以用图形方式解释它。（我的意思是二极管如何阻止电流等） 关于该电路的第二个问题是电容器。如果不存在怎么办？

21 capacitor  motor  diodes  driver  protection 

我正在使用PCB上的调谐天线从NFC设备中收集能量。虽然这种方法我能够产生约3.05V。我想使用从NFC设备收集的功率为超级电容器充电。为此，我使用了此处提供的简单二极管电路（如下图1所示）。 我面临的问题是，在工作条件下，电路需要最低3V的电压才能运行，但是由于典型二极管的压降增加，我相信在各种情况下，生成的电压都会降至所需的3V以下。是否有可用的二极管具有低于0.01V的超低压降？甚至有可能吗？ 请注意： 我的系统负载将小于5mA 产生的3.05V在电路中没有二极管

20 diodes  energy-harvesting 

我很难回答有关我们实验的一个特定问题。在我们的实验中，R1和R2分别设置为1Meg，后来设置为10k ...我有点理解R1和R2的需要。如果没有R1和R2，D1和D2的电压共享将不会完全是50-50，因为没有两个二极管是完全相同的。由于D1和D2只是串联，所以它们都具有相同的泄漏电流（没有R1和R2）。但是，它们可能会具有不同的IV曲线，因此该特定的泄漏电流将导致V @ D1 // = V @ D2。 我很难过的问题是，为什么当R1 = R2 = 1Meg时V @ R1 + V @ R2 / / = 10v？...另一方面，当R1 =时，这两个电压相加（总计10v） R2 = 10k ...为了完整起见，我在图表中包括了60欧姆的源电阻。但是，正如我所看到的，D1和D2都被反向偏置，因此它们提供了很大的电阻（反​​向电阻），该电阻应该比60欧姆大得多。即使使用1Meg和D1反向电阻的并联组合，它仍应比60欧姆大得多。我尝试根据RD1reverse // R1 = Req1和RD2reverse // R2 = Req2来考虑答案。Req1 + Req2（系列）应该仍然远远超过60ohms，我认为10v应该仍然出现在D1阴极的节点上。但是在我们的实验中，V @ R1 + V @ R1 <10v。 如果我以错误的方式想这件事，谁能指出我的意思？一些技巧/第一步提示将不胜感激 编辑：问题感谢@CL。为简单起见，假设D1和D2在反向偏置期间断开，并且注意Rmultimeter = 10Meg，V …

19 diodes 

有人可以向我解释信号二极管和整流二极管之间在电气特性和李沙育样式方面的区别吗？我知道肖克利方程被用作通用二极管的数学模型，但是我似乎找不到任何足以充分说明每种类型二极管特性的文献。任何帮助都将受到欢迎。

19 diodes 

再次来自HP电源（PSU）。输入的230 V整流为340 VDC，并馈入开关电源。奇怪的是，该设备的手册HP6023A对于CR1，CR3和CR2，CR4具有不同的二极管。 CR1和CR3标记为“ pwr rect 600V 3A 200ns”（MR856），而其他两个只是“ pwr rect 600V 3A”（1N5406）。实际上，该单元确实有四个相同的MUR 460，实际上是200 ns的部分。如果我们查看类似PSU（HP6038）的最新原理图，则它们的标签为“ 1901-1199二极管功率整流器600V 3A”： 现在的1901-1199实际上是现实生活中的MUR460。有没有必要在电桥中以50或60 Hz使用快速恢复二极管？是因为它驱动了切换台吗？

18 diodes  switch-mode-power-supply  recovery 

我想知道将二极管并联或串联会产生什么影响。（例如电流功能，电压功能等）。假设我有一个二极管数据表。哪些特性会改变？我的估计是，并联将提高电流容量，但可能会对反向泄漏产生负面影响。我不知道我是否正确或如何对其进行测试，因此有关并联或串联二极管的任何信息都很好。

18 diodes 

我很好奇基于半波整流器或全波整流器的直流电源之间是否存在实际差异。 我的意思是我有几个小型直流电源设备，每个电源应提供12V 0.1A。它们都有一个240V-> 18V的变压器，然后是1个二极管或4个二极管，然后是78L12（0.1A调节器）和一个或两个电容器（通常为220uF或470uF）。 我的问题是，当添加一个470uF电容器和78L12时，电源是否仅用半波整流器（单个二极管）就能提供高质量的直流电压，或者桥式整流器（4个二极管）是否更好。 我还有一个基于齐纳二极管的旧12V 0.2A电源，而不是7812稳压器。它还有18V的电压流向单个二极管，然后是33R电阻器（将电流限制为0.2Amp），然后是与1000uF电容器并联的齐纳二极管。再说一次：在那儿有4个二极管会更好吗？还是由于1000uF的电容器，半波整流在这里是否足够好？ （我所有的电源工作正常，我只是好奇这些东西“为什么”和“如何”工作。） 更新： 我发现了两个更有趣的信息： 每0.1安培（或更高）的输出电容应约为500 uF。这适用于全波整流器。由于我在半波整流器中看到了相同的值，所以这还不够，而且它们的设计也不好。 当我们希望通过简单的变压器将5V / 12V输出（或其他两个电压）组合在一起时，不能使用4二极管整流，因为它不能为两个不同的电路提供公共接地。（一个更复杂的实际示例：我从变压器-7 / 0 / + 7 / + 18伏特获得了一个带有四根输出线的电源。然后，它使用2二极管整流得到全波7V输出，并使用1二极管整流。以获得半波18V输出。此处无法将18V线路“升级”为4二极管整流。）

18 power-supply  diodes  rectifier