Questions tagged «esd»

这是我对NPN BJT（双极结型晶体管）的了解： 基极-发射极电流在集电极-发射极处被放大了HFE倍，因此 Ice = Ibe * HFE Vbe是基极-发射极之间的电压，并且与任何二极管一样，通常约为0.65V。不过，我不记得了Vec。 如果Vbe低于最小阈值，则晶体管断开，并且没有电流通过其任何触点。（好的，也许有几微安的泄漏电流，但这无关紧要） 但是我仍然有一些问题： 晶体管饱和时如何工作？ 除了Vbe低于阈值以外，是否可以在某些条件下使晶体管处于打开状态？ 此外，请随时指出（在答案中）我在这个问题上犯的任何错误。 相关问题： 我不在乎晶体管如何工作，如何使它工作？

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我有几款芯片（单片机，PIC16F1939），有些行为很奇怪（随机复位，有些时候某些引脚被拉高）。它们都运行相同的软件。我怀疑这些芯片有ESD损坏（或其他一些内部损坏）。我如何确定？X光片？还有其他可用的方法吗？

13 esd 

跟进我之前的问题。 我正在设计一种由5V电源供电的产品，该产品可将其馈入TLV1117LV33 LDO。该项目的典型电流消耗小于500mA，但该稳压器便宜且稳定，带有陶瓷输出帽，因此到目前为止我还是喜欢的。无论如何，在上一个问题中建议我在Vin线上放置一些ESD和瞬态保护，这对我来说很有意义，因此我考虑的解决方案是串联PTC多熔丝，然后再使用标准的单向TVS二极管地面。 但是，我看过的所有二极管（例如Littelfuse SP1003，Vishay GSOT05C）都具有很高的钳位电压。我知道这是标准的，即TVS二极管的最大钳位电压将大大高于其最大反向隔离。我还知道，较低的钳位电压和较低的动态电阻被认为是TVS二极管的品质因数。 但是，我的调节器的安全工作输入范围高达5.5V（绝对最大6V）。这些二极管具有5V反向隔离，通常在1A时约为7V钳位电压（在30A时约为12V）。那会很容易炸我的调节器！我见过的器件具有较低的钳位电压，但是当我说“更低”时，我的意思是10V而不是12V（在30A时）。我如何降低钳位电压，以便在5V电源轨（或类似的东西）上出现电感性瞬变时，稳压器能够幸免？ 像MOV之类的设备似乎具有更高的钳位电压，据我所知，这不是一个出色的解决方案。我也听说过有关多级ESD保护的信息，但是没有关于如何做的建议。我在想什么吗？

12 power-supply  esd 

是否应将防静电垫直接接地或介于两者之间的1E6欧姆电阻？ 2层垫子。上侧：耗散（10E7〜10E10 ohm /m²）。底部：导电。 更精确一点：与地面的连接将通过处于地电位的CGP（公共接地点）进行。那么，垫和CGP之间是否有1E6欧姆电阻？ 为了响应Lorenzo Donati：因此，《运算放大器应用程序手册》第7章，第95页中介绍的工作站环境如下所示： 为什么不进行以下设置？请注意腕带接地，这是我根据原始图像编辑的。 现在，腕带与地面之间的电阻不再是2E6欧姆，而是1E6欧姆。这够了吗？ 第96页：“从安全带到地面再次需要1E6欧姆，以确保安全”。

11 ground  grounding  esd  antistatic  static-electricity 

我的板上有两个DB37连接器，这些连接器最终连接到CPLD。所有这些连接/信号都是设备的输入。 为了防止ESD，我使用TVS二极管ESD9C3.3ST5G。我有这样的董事会： DB37->二极管->上拉电阻-> CPLD。 1K上拉用于不同的目的，与ESD保护无关。我的PCB为4层，具有以下堆叠： 讯号 地面 3.3伏 讯号 二极管通过通孔接地。通孔的走线较厚-比CPLD的走线厚。除了通孔焊盘和过孔之外，接地层是完整的。我认为这至少可以防止轻微的ESD。但是我需要进一步做些什么？这不是商业设备，将在内部使用-但是我确实需要它可靠。 我想到的一件事是在二极管和CPLD之间增加串联电阻（大约22欧姆）。但是，由于CPLD上的所有引脚都是输入，因此它们已经是高阻抗的。ESD 应通过TVS二极管接地。我的假设正确吗？ 我还读到与二极管并联增加一个电容器会有所帮助。我的信号速度不高，因此不会太大失真。但是，请注意，由于我有74个信号，因此我将必须使用这些上限中的74个。所以在我添加这些内容之前，我想知道这是否值得。 这是布局的特写： 最后，最后一个问题-以上是我开发板的输入端。从某种意义上来说，输出是相似的，因为我还有另外两个DB37连接器和一个CPLD。在这种情况下，CPLD的引脚为输出。 布局是这样的：CPLD-> MOSFET-> DB37 在这种情况下，我没有任何二极管。但是，正如我最近读到的那样，MOSFET对ESD的敏感性比其他器件要高得多，我也应该在这里添加二极管吗？MOSFET的漏极连接到DB37。然后将该DB37连接到前面所述的输入侧DB37。 如果MOSFET导通，则其漏极-源极电阻将非常低。因此，这可能是ESD派克通过而不是另一端的TVS二极管吸引人的途径。我是否也应该在此处添加TVS二极管，对吗？如果是这样，天哪，还有72个二极管！

11 layout  esd  tvs 

我为电池供电的设备设计了一种电路，该电路的USB连接器外露，可以充电和传输数据。这是一个非标准，可对接的USB连接器，没有可用的屏蔽连接，整个电路都装在一个塑料外壳中，没有底盘/没有保护性接地，如下图所示： 对于ESD保护，我几乎遵循此处提供的确切设计建议：http : //www.semtech.com/images/promo/Protecting_USB_Ports_from_ESD_Damage.pdf 当Vbus，D +或D-被正或负ESD脉冲击中时，我可以看到电流路径，即，转向二极管正向传导负脉冲或转移至中央TVS以获得正脉冲，如果我的理解关闭，请纠正。 但是，我不确定如果裸露的GND引脚本身受到击穿会怎样。 问题： GND引脚上的负ESD冲击是否与Vbus上的正脉冲具有相同的效果，即中央雪崩TVS击穿导致钳位？ 如果在GND上产生正ESD冲击，则转向二极管和/或中央TVS会向前传导，并将全部能量（如果有的话，减去1个二极管Vf的压降）传递给电路的其余部分，从而破坏严重性！我试图描述以下情况： （图片经以上链接修改） 我正在考虑的解决方案： 断开Vbus与中央TVS的连接，并在Vbus与GND之间引入一个独立的双向TVS，并为其余电路提供后续的反向电压保护（以承受双向TVS的-Vclamp）。它仍然可能无法阻止转向二极管导通，另外在其他裸露的IO引脚上还有其他单向TVS二极管与GND并联，这也可能会导通。 在裸露的USB GND和电路GND之间引入一个铁氧体磁珠，以防止它提供任何微弱的阻抗！ 任何建议/见解都欢迎，谢谢！ PS： 由于电路可以从Vbus汲取功率，因此不能在Vbus-GND回路中添加串联电阻 根据IEC 61000-4-2级别4（8 / 15kV接触/空气放电）进行计划的测试。在测试过程中，如果不连接USB电缆，设备将依靠电池供电，因此可以轻松访问所有引脚以防ESD冲击。

10 usb  ground  protection  esd  surge-protection 

是否在手腕或脚踝上佩戴防静电腕带有关系吗？

10 grounding  esd  antistatic  static-electricity 

我拥有一个倍福的Beckhoff EL2008 8通道数字输出端子，因为我使用的是模块内的ASIC，即Beckhoff的ET1200。 在模块内部的ET1200周围基本上有一个接地垫环，其中一些带有通孔（它们全部蜂鸣到ET1200的接地引脚）。 我能理解它们是否仅用于粘合接地层，但是为什么要暴露它们呢？ 根据过去的经验，ET1200是一个非常敏感的设备，这使我认为它们已受到ESD保护，从而增加了代替ET1200进行放电的可能性。 任何人都可以得出结论性地描述其目的吗？ 感谢您的关注。

10 esd  thermal  via  ground-plane 

在计算机上工作时，我想避免静电释放。我有一个腕带，但不确定是否将它连接到正确的东西上。通常，我会将其裁剪为计算机的外壳。但是，在两种情况下，我不太确定正确的程序是什么。首先，有时笔记本电脑似乎拥有全塑料外壳，直到您将它们拆开为止。其次，诸如硬盘驱动器之类的东西对ESD敏感，但是当您获得它们时，它们就不在任何计算机中，那么您应该附加什么呢？这让我想知道将它连接到地面是否可行（例如，美国插座中的第三个插脚，该插脚连接到接地棒或水管）。有人可以帮我弄清楚什么可以避免ESD，什么可以避免吗？

10 esd 

我有一个DB25 I / O连接器，通孔。引脚连接到SMT MCU，我想防止它受到ESD的影响，特别是IEC 61000-4-2。我想使用SMT齐纳二极管来保护引脚。 我正在考虑各种布局。我认为最佳布局是在DB25和MCU之间使用二极管。这样，ESD事件可以在到达MCU之前分流到地。 MCU <->二极管<-> DB25 但是，我想利用DB25中的通孔来简化布线并减少所需的过孔数量。但是，这样做时，二极管将最终位于DB25的“另一侧”。 MCU <-> DB25 <->二极管 这是一个坏主意吗？我有点担心在二极管开始完全导通之前，是否有足够快的ESD冲击会“分裂”并到达MCU。 如果是这种情况，MCU <-> DB25迹线在底层运行，而DB25 <-> Diodes迹线在顶层运行是否可以缓解？MCU和DB25之间增加的过孔会促使ESD电流流过二极管吗？

10 pcb-design  esd 

静电防护对于像我这样的业余爱好者而言确实非常昂贵。 我有一条接地的腕带，但是您认为简单的未经处理的木质工作台表面可以代替真正昂贵的ESD桌面吗？

10 protection  esd 

该MIDI规格提出了一种快速开关二极管，以保护光耦的LED免受ESD可能超过其反向电压： 但这是唯一使用的二极管。如果可以用电路中其他地方已经使用的某些组件替换BOM，则可以简化BOM。那么，为什么不使用通用晶体管的PN结呢？ 与1N4148相比，2N3904具有较小的反向击穿电压，但是在本应用中这无关紧要，因为LED钳位了这种电压。其他参数，例如电容或最大电流，也是可比的。这样看来，晶体管可以工作了，不是吗？ 以及应该使用哪个结，基极/发射极，基极/集电极或同时使用两者？以及如何处理未使用的结？

9 diodes  bjt  protection  esd  hacking 

我想为我的台式机获得防静电垫，并发现以下两个方面： DigiKey：桌垫ESD蓝色2X4'橡胶 Mouser：抗静电控制产品2X4'蓝色桌垫 购买防静电台垫时我应该寻找什么？

9 esd  workbench  antistatic 

我最近购买了一些IC，这些IC包括我以前从未见过的东西-纸条上的湿度传感器，带有用于某些特定湿度水平的颜色指示器。一旦纸张达到给定的湿度水平，纸张上的颜色就会改变颜色。如果达到该水平，建议烘烤IC。 这提示了两个我尚未找到答案的问题： 1.）我很少（如果有的话）遇到过破坏静电/ ESD的IC的问题。芯片制造商在运送产品时对ESD非常谨慎。在ee.stack上，我已经看到有关ESD的讨论，并且大多数答案都在其中，“不用太担心”。这是否是类似的情况-在达到建议的湿度水平后，我可以放掉警告并保持IC正常工作而无需烘烤IC？ 2.）假设我确实需要担心-制造产品后，我是否还需要担心这些少量的湿度对IC的影响？换句话说-我是否需要在产品外壳中使用防潮外壳来控制湿度（这可以在多种气候下使用）。 提前致谢。

9 integrated-circuit  safety  esd  humidity 

我正在使用板上的两个芯片，dsPIC33F和PIC24F以及串行EEPROM（24FC1025）。 我已经看到这些小小的ESD保护器件采用0603封装： http://uk.farnell.com/panasonic/ezaeg3a50av/esd-suppressor-0603-15v-0-1pf/dp/1292692RL 对于我正在使用的MCU，这是否必要？可能会不断处理板子，并且外部接口（I2C，UART）可能会受到ESD的影响。 内部二极管会保护芯片并使它们毫无意义吗？

9 esd  microcontroller