Questions tagged «digital-logic»

与处理连续信号的模拟电子设备不同,数字电子设备处理离散信号。数字逻辑用于对电信号进行算术运算,并构成构建CPU的基础。

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BJT晶体管如何在饱和状态下工作?
这是我对NPN BJT(双极结型晶体管)的了解: 基极-发射极电流在集电极-发射极处被放大了HFE倍,因此 Ice = Ibe * HFE Vbe是基极-发射极之间的电压,并且与任何二极管一样,通常约为0.65V。不过,我不记得了Vec。 如果Vbe低于最小阈值,则晶体管断开,并且没有电流通过其任何触点。(好的,也许有几微安的泄漏电流,但这无关紧要) 但是我仍然有一些问题: 晶体管饱和时如何工作? 除了Vbe低于阈值以外,是否可以在某些条件下使晶体管处于打开状态? 此外,请随时指出(在答案中)我在这个问题上犯的任何错误。 相关问题: 我不在乎晶体管如何工作,如何使它工作?

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SR锁存器中Q的开始状态是什么?
在这个图中 Q的开始状态是什么?由于S和R的第一个NOR依赖于先前的结果,因此第一次迭代一定要有一些东西吗? 注意:我上数字逻辑课程的第一年,所以问题是理论上的使用(表制作,它所适用的各种家庭作业问题等),而不是实际的实现。仅针对“如果R是__而S是__是什么?”之类的东西。像这样的简单事情。


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最简单的计算机内存(Pi0K)
我想制造最简单的计算机。我不在乎速度或存储,实际上,低速和低存储是一个巨大的优势,因为我想用晶体管(理想的是继电器)来构建它,并且我希望每个状态都有一个LED。它会通过一个Raspberry Pi进行编程,该Raspberry Pi将托管一个摄像头,以便您可以看到每个时钟周期正在执行(是的,它将以Hz而不是GHz的频率运行)。这将是一个开放式设计,意在让学校可以购买零件,了解和改进设计。因此,总预算必须低于400英镑,最好是100英镑左右。 我已经对此进行了多年的研究,并且对CPU有很好的想法(最少的寄存器,DIP开关中的微码以及用于减少晶体管数量的位串行逻辑/算术运算)。我不知道如何获取内存,我想要1024到8096位。 我能想到的最好的是两个6位n分之一的解码器,可以访问64 x 64的电容器网格。他们要么在里面充电,要么没有,读书会强化这种状态。电容器上将没有LED,因为此“ DRAM”的刷新将以顺序或分钟为单位(这很可惜,因为这将是唯一不显示状态的部分)。 其他想法包括某种形式的磁带驱动器(紧凑的盒式磁带机制:大容量存储,过于复杂,无法寻道),鼓式存储器(豆罐周围的带子:太难使机械师正常工作),机械式存储器(自行车车轮和滚珠轴承:太多的位错误),核心内存(大型硬铁氧体磁芯:要达到所需的规模仍然非常棘手),磁带/卡(我们仍然可以购买磁带阅读器),带有二进制打孔的旋转磁盘以及一些磁性用于存储的内存(构建起来太复杂)。 最终目的是发布可以在学年中构建的设计,其中CPU和内存的所有部分都是“可见的”,因此您可以看到指令提取,解码为微代码以及地址解码/注册访问/逻辑全部。在几分钟内发生。 如果有人对真正便宜的内存(<< 100英镑)有确切的想法,那么请告诉我。 托尼 PS当前的播放状态在http://www.blinkingcomputer.org/

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有关模拟和数字信号的一般问题
新手提醒:我不是电气工程师,也没有参加过电气工程,所以请多多包涵。 每当我读到数字信号和模拟信号之间的区别时,通常都会附上这样的图形(或类似图形): 考虑一下下面的图示(数字信号)。据我所知,电流是连续的,因此,在任何情况下,电流都不会以这种方式流动。换句话说:没有“方波”。 那么,这到底描绘了什么? 每当电压通过某个势垒或下降到该势垒以下时,这仅仅是解释吗?意思是,当电压高于任意选择的阈值时,我们认为它是“高”,否则我们认为它是“低”? 拜托,我知道这并不总是可能的,但是请尝试以一种外行会理解的方式回答。

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为什么在行业中,NAND门比NOR门更受青睐?
我在许多地方都读到,与非门相比,与非门在行业中更受欢迎。网上给出的理由说: 与NOR PMOS(串联4号)相比,由于NAND PMOS(尺寸为2并列),NAND的延迟小于Nor。 根据我的理解,延迟将是相同的。我认为这是这样的: 绝对延迟(Dabs)= t(gh + p) g =逻辑努力 h =电力 p =寄生延迟 t =延时单位,它是技术常数 对于NAND和NOR门(gh + p)得出(Cout / 3 + 2)。两者的t也相同。那么延误应该是一样的吧?

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需要一个工作频率高达2至3 GHz的XOR门
我遇到了一种不寻常的情况,我需要一个XOR门,当出现频率为2至3 GHz的方波输入时,该门将能够可靠地工作。我知道台式机CPU的逻辑门可以这些速度运行,但是我不知道有任何集成电路可以做到这一点。我应该尝试用晶体管来构建门吗? 另外,以这些速度,我是否需要担心使用地平面,斜接弯头和微带线?

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哪个逻辑系列最适合通用爱好者?
我需要购买一些逻辑集成电路。我应该去哪个家庭?HC?HCT?哪种零件最好放在零件盒中,以最大程度地与无法预测的未来项目兼容?电源范围宽,无极端频率要求,等等。施密特输入?开放的输出?

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LED的驱动电路是什么?
我在下图中找到了LED的驱动电路,但我无法弄清其设计目的是什么。 V DD输入有两种,分别是9 V和6.5V。我想也许这个驱动电路正在确保无论这两个输入电压(9 V和6.5 V)是哪一个,它都将保持相同的亮度。 因此,我的问题是1)。它的设计目的是什么?2)。它的理论是什么?
12 led  digital-logic  bjt 



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更改寄存器值时,能否将微控制器不同端口的各个引脚映射到寄存器并更改其值?
问:能否将微控制器不同端口的各个引脚映射到寄存器,并在更改寄存器值时更改其值? 场景:我已经用完了微控制器每个端口(8位)的一些引脚。现在,我想连接一个需要8位总线的设备(假设D0至D7 IN SEQUENCE),也就是说我需要来自控制器的8个引脚,以便可以一对一的方式连接它们 portx0 -> D0 // x is the name of port followed by bit location on that port portx1 -> D1 ... portx7 -> D7 但是我没有可以与该设备连接的8个引脚的整个端口,而是从portx,Porty和Portz提供了一些引脚。新的连接方案为(分别从微控制器到设备的连接) portx0 -> D0 portx1 -> D1 portx2 -> D2 porty4 -> D3 porty5 -> D4 porty6 -> D5 porty7 -> D6 …

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仅使用NAND / NOR门会增加电路延迟吗?
我记得在学校时曾学习过,人们可以单独NAND或通过NOR门来构建任何逻辑电路。 首先,我想知道这是如何实现的:即,当英特尔制造CPU时,他们使用NAND/ NORgates 来构建所有寄存器等吗,还是它们还有其他更奇特的处理方式? 其次,我想知道以这种方式构造所有内容是否会比使用AND/ OR/ NOT门制作的电路增加传播延迟。 我知道使用时PMOS/ NMOS建大门的配置,一个AND或一个OR出来的,而不是一个2级NAND或NOR这两者都是只有1。因为我知道你可以做一个AND从2级联NANDS和一个OR2个级联NORS,它只要制造商同时使用NAND和,传播延迟似乎就不会增加NOR。 是否有人对此有任何见识,特别是关于制造IC的实际情况?

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如何以如此高的像素时钟频率驱动VGA显示器?
我正在使用分立组件在数字电路上工作,以80x30文本模式驱动640x480 VGA显示器。 对于640x480的显示器,像素时钟为25.175MHz,周期约为40ns。我不明白我应该怎么能够经常向显示器提供新的像素。 我的电路的基本架构如下: 水平像素的二进制计数器以25.175MHz的频率计数到800(640个可见像素+ 160个前沿,同步,后沿)。在800处,增加垂直行计数器(并在525行处重置) 使用水平和垂直位置,导出当前字符的x,y坐标。 使用字符的x,y坐标,索引到视频内存中以检索ASCII字符。 使用ASCII字符在字符ROM中建立索引以获取字符的位模式 使用并行到串行移位寄存器,以像素时钟频率将8像素字符行转换为单个位 如果您遵循该链,则它会:计数器-> RAM-> ROM->并行于串行移位寄存器 使用我能找到的最快的组件,传播延迟和访问时间总计约为15ns + 20ns + 70ns + 15ns = 120ns,远大于25MHz的40ns周期。 在更高的分辨率和刷新率下,像素时钟可以远高于100MHz,这将是10ns的周期。 当RAM / ROM的访问时间已经远远超过它时,甚至不考虑系统中所有其他信号的情况下,如何能每10ns为显示器提供一个新的像素呢?


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